【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体激光器件，更具体涉及可以发射具有两种不同波长光的两-波长半导体激光器件，及制造该半导体激光器件的方法。
技术介绍
通常，半导体激光器件是用于通过激励发射放大发射光的半导体器件，其中发射光具有窄频宽度(短波长性能)并保证高功率，以及具有优良的方向性。由于如上所述的性能，半导体激光器件被广泛地应用于光纤通信、多路通信、空间通信等的领域，以及用于光盘系统如CD、DVD等的光学拾取设备的光源。最近，在使用激光作为用于记录和再现信息的光源的光盘领域中，需要提供可以以两种不同的波长振荡的两-波长半导体激光器件。具体，两-波长半导体激光器件积极地用作用于同时执行具有较低密度的CD再现设备和具有较高密度的DVD再现设备的光源。两-波长半导体激光器件具有在单衬底上用于产生具有780nm波长光束的激光二极管和用于产生650nm波长光束的结构。图1图示了常规两-波长半导体激光器件的剖面侧视图。参考图1，该常规两-波长半导体激光器件10包括在单衬底11上形成的第一半导体激光二极管10a和第二半导体激光二极管10b。第一和第二半导体激光二极管10a和10b由预定的隔...
【技术保护点】
一种两－波长半导体激光器件，包括：具有上表面的第一导电材料衬底，上表面具有在其上彼此分开形成的第一和第二区域；包括在第一导电材料衬底的第一区域上顺序地层叠的第一导电材料第一敷层、第一有源层和第二导电材料第一敷层的第一半导体激 光二极管；在第一导电材料衬底的第二区域上形成且包括与第一半导体激光二极管的第一导电材料第一敷层、第一有源层和第一导电材料第二敷层相同层的非有源层；包括在非有源层上顺序地层叠的第一导电材料第二敷层、第二有源层以及第二导电材料第 二敷层的第二半导体激光二极管；以及至少在第一和第二半导体激光二极管之...
【技术特征摘要】
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