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三菱瓦斯化学株式会社专利技术
三菱瓦斯化学株式会社共有2084项专利
蚀刻液及使用其的半导体装置的制造方法制造方法及图纸
本发明提供在使用了具有电极的半导体基板的半导体装置的制造中使用的、能选择性蚀刻铜而不蚀刻镍的蚀刻液及使用其的半导体装置的制造方法。含有过氧化氢和有机酸和有机膦酸、有机酸为选自柠檬酸及苹果酸中的至少一种、且过氧化氢的含量为0.75~12质...
分散介质置换装置制造方法及图纸
本发明涉及用于将含有第一分散介质和对苯二甲酸晶体的原浆中的第一分散介质置换成第二分散介质的分散介质置换装置。该装置可以在用于供给含有第一分散介质和对苯二甲酸晶体的原浆时,使浆料中的对苯二甲酸晶体在水平方向均匀地分散,而且能长期稳定地运转。
蚀刻液及使用其的半导体装置的制造方法制造方法及图纸
本发明提供在具有电极的半导体基板的再布线中使用的、能选择性蚀刻铜而不蚀刻镍的蚀刻液及使用其的半导体装置的制造方法。含有过氧化氢和柠檬酸、且过氧化氢的含量为0.75~12质量%、柠檬酸的含量为1~20质量%、且过氧化氢和柠檬酸的摩尔比在0...
基板处理装置以及基板处理方法制造方法及图纸
本发明提供一种基板处理装置,具有:第一处理室以及第二处理室;在所述第一处理室保持基板的第一基板保持单元;向所述第一基板保持单元所保持的基板供给含有蚀刻成分和增稠剂的药液的药液供给单元;在所述基板保持有所述药液的状态下,将该基板从所述第一...
环状化合物、其生产方法、放射线敏感性组合物和抗蚀图案形成方法技术
公开的是:对于安全溶剂的溶解性高、高灵敏度、能够形成具有良好形状的抗蚀图案和很少引起抗蚀图案塌陷的环状化合物;所述环状化合物的生产方法;包含所述环状化合物的放射线敏感性组合物;和使用所述组合物的抗蚀图案形成方法。具体公开的是:具有特定结...
光致变色材料制造技术
本发明提供用于使高速调光材料形成实用的消色反应速度或者发色浓度的控制方法以及实用的消色反应速度或者发色浓度的高速调光材料。通过使具有自由基聚合基团的用二聚对二甲苯邻甲酸交联的六芳基双咪唑化合物聚合而得的聚合物、或者使该化合物与(甲基)丙...
共聚聚酰胺树脂、其制造方法、树脂组合物和由它们形成的成型品技术
本发明提供成型用共聚聚酰胺树脂、成型用共聚聚酰胺树脂的有效的制造方法、树脂组合物和由它们形成的成型品,所述共聚聚酰胺树脂由二胺成分和二羧酸成分形成,所述二胺成分由包含70摩尔%以上的苯二甲胺的至少两种以上成分构成,所述苯二甲胺包含20摩...
环状化合物、其生产方法、放射线敏感性组合物和抗蚀图案的形成方法技术
公开的是:在安全溶剂中具有高溶解度、高灵敏度并能够提供具有良好形状抗蚀图案的环状化合物;生产该环状化合物的方法;包含该环状化合物的放射线敏感性组合物;和使用该放射线敏感性组合物形成抗蚀图案的方法。具体公开的是:具有特定结构的环状化合物;...
用于抑制金属微细结构体的图案倒塌的处理液和使用其的金属微细结构体的制造方法技术
一种用于抑制金属微细结构体的图案倒塌的处理液,以及使用该处理液的金属微细结构体的制造方法,所述处理液含有具有烃基且包含氧亚乙基结构的图案倒塌抑制剂,所述烃基包含可以一部分或全部被氟取代的烷基和烯基的任一种。
气氛调整剂组合物制造技术
本发明涉及一种气氛调整剂组合物,其是细胞培养用的气氛调整剂组合物,含有以下成分而成:(a)抗坏血酸类、(b)水、(c)多孔性载体、(d)除醛剂、和(e)过渡金属催化剂和/或碱土金属氢氧化物,所述除醛剂是选自由乙撑脲、尿素、精氨酸、赖氨酸...
聚酰胺的制造方法技术
本发明涉及聚酰胺的间歇式制造方法,其中,使用具备分凝器的间歇式反应槽,在二羧酸成分中添加二胺成分而进行缩聚,所述二胺成分包含70摩尔%以上的苯二甲胺,所述苯二甲胺包含20摩尔%以上的对苯二甲胺,该聚酰胺的制造方法中,在使反应体系整体维持...
一种光学部件制造技术
一种光学部件,其中,所述光学部件具有由聚酯薄膜、或聚酯薄膜得到的延伸薄膜形成的薄膜层,所述光学部件为偏振板,所述偏振板包括由在40℃、90%RH下的透湿度为10-300g/(m2·24hr)的所述聚酯薄膜形成的薄膜层、以及偏振膜;所述聚...
光学材料用组合物及光学材料制造技术
本发明涉及光学材料用组合物以及光学材料。本发明的课题在于,提供能够在聚合固化前的阶段预测聚合固化后是否出现黄色、判断优劣的环硫化物化合物或者含有其的光学材料用组合物等。通过铁、铬和镍的总含量在5.0ppm以下的环硫化物化合物或者含有其的...
光学材料用组合物及使用其的光学材料制造技术
本发明涉及光学材料用组合物及使用其的光学材料。本发明提供能在聚合固化前的阶段预测聚合固化后是否发生黄色变色而能够判断优劣的、含有多硫醇的光学材料用组合物等。利用含有铁、铬和镍的总含量在5.0ppm以下的多硫醇化合物以及多异(硫)氰酸酯化...
脂环式醇的制造方法技术
本发明的目的在于廉价且高收率地制造作为调合香料原料等有用的通式(III)所示的脂环式醇,在HF的存在下利用一氧化碳将通式(I)所示的不饱和烃(优选通过二烯化合物的部分还原而得到的物质)羰基化得到通式(II)所示的环己烷羰基化合物,然后还...
用于抑制金属微细结构体的图案倒塌的处理液和使用其的金属微细结构体的制造方法技术
含有选自由具有氟烷基的卤化铵、具有氟烷基的甜菜碱化合物、以及具有氟烷基的氧化胺化合物组成的组中的至少一种的用于抑制金属微细结构体的图案倒塌的处理液、以及使用该处理液的金属微细结构体的制造方法。
环状化合物、其制造方法、辐射敏感组合物及抗蚀图案形成方法技术
下述式(1)所示的环状化合物。(式中,L、R1、R′及m如说明书中所定义的)。式(1)所示的环状化合物由于相对于安全溶剂的溶解性高,灵敏度高,并且可赋予良好的抗蚀图案形状,所以作为辐射敏感组合物的成分是有用的。
环状化合物、其制造方法、辐射敏感组合物及抗蚀图案形成方法技术
本发明提供一种下述式(1)所示的环状化合物。(式(1)中,L、R1、R′和m如说明书中所定义的那样)。式(1)所示的环状化合物对安全溶剂的溶解性高、高灵敏度、且可赋予良好的抗蚀图案形状,因此是有用的辐射敏感组合物的成分。
容器的制造方法技术
本发明涉及一种容器的制造方法,该方法包括以下工序:通过直接吹塑使含有聚酰胺树脂组合物的材料在模具内膨胀的工序,所述聚酰胺树脂组合物含有100质量份聚酰胺树脂和0.01~2质量份结晶促进剂,所述聚酰胺树脂是通过将含有70摩尔%以上间二甲苯...
硅通孔工艺中的硅基板背面蚀刻用蚀刻液及使用该蚀刻液的具有硅通孔的半导体芯片的制造方法技术
本发明提供用于硅通孔工艺中的硅基板背面蚀刻、不蚀刻由铜或钨等金属或者多晶硅等形成的连接塞而仅蚀刻硅基板、且具有优异的蚀刻速率的蚀刻液以及使用该蚀刻液的具有硅通孔的半导体芯片的制造方法。本发明提供含有氢氧化钾、羟胺和水的硅通孔工艺中的硅基...
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