本发明涉及一种树脂发泡体，所述树脂发泡体具有从其表面到内部的整体上的树脂组成均匀性，所述树脂发泡体具有基于JIS?Z?8741(1997)的60°光泽值为1.5以上的表面，和2.00N/cm2以下的基于JIS?K?6767(1999)的...

本发明提供将来自普通活菌的难闻气味抑制到不能觉察的水平的粘合片。该粘合片具有含有丙烯酸类聚合物作为基础聚合物的粘合剂层。在以16S?rDNA为目标，对从所述粘合剂层中提取的DNA实施PCR(聚合酶链式反应)扩增；利用凝胶电泳分离该扩增后...

本发明涉及一种有机硅树脂用组合物，所述组合物包含：(1)末端具有硅烷醇基团的有机聚硅氧烷；(2)在一个分子中具有至少一个烯基甲硅烷基和至少两个氢化甲硅烷基的有机聚硅氧烷；(3)缩合催化剂；和(4)氢化硅烷化催化剂。

本发明涉及一种电磁波吸收体。一种电磁波吸收体，其包括电介质层、分割导电膜层和电磁波反射层，其中厚度‘d’与波长‘λ’的比满足[0.01≤d/λ≤0.03]的条件，电磁波吸收体的每单位面积的重量落入1000g/m2至3000g/m2之间的...

本发明涉及布线电路板及其制造方法。在悬挂主体部之上形成基底绝缘层。在基底绝缘层之上并列形成有读取用布线图案、写入用布线图案以及接地图案。在基底绝缘层之上以覆盖读取用布线图案、写入用布线图案以及接地图案的方式形成有第1覆盖绝缘层。在第1覆...

本发明提供一种光掩模与基材的对位方法及布线电路板的制造方法。曝光系统具有曝光机及图像处理装置。曝光机包括多个摄像机。摄像机构成为可选择地设定成全扫描模式及部分扫描模式。摄像机在全扫描模式下传输所得到的全部图像数据，在部分扫描模式下从所得...

本发明提供了聚合物光波导的制法，该方法使用通过光引发阳离子聚合反应而固化的类型的感光性树脂，可有效地制造低光损失的聚合物光波导。该聚合物光波导由芯(2)、下包层(1)、和外包层(3)构成，该制法包括：在下包层(1)的表面涂布含有溶剂的芯...

本发明提供半导体背面用切割带集成膜，其包括：切割带，所述切割带包括基材和在所述基材上的压敏粘合剂层；和倒装芯片型半导体背面用膜，所述倒装芯片型半导体背面用膜设置于所述压敏粘合剂层上，其中所述压敏粘合剂层的至少一部分已通过用放射线照射而预...

本发明涉及半导体背面用切割带集成膜。本发明提供一种半导体背面用切割带集成膜，其包括倒装芯片连接至被粘物上的用于保护半导体元件背面的倒装芯片型半导体背面用膜和切割带，所述切割带包括基材和设置于所述基材上的压敏粘合剂层，所述倒装芯片型半导体...

本发明提供了一种薄膜及粘合粘接片。在将通过粘合等手段固着于粘附体表面的、通过加热形成筒状物的薄膜从粘附体表面除去时，形成该筒状物的薄膜通过夹持装置夹持或使之附着于载体时，该夹持装置、载体在将形成筒状物的该薄膜向着粘附体表面推压的方向上施...

本发明提供通过拉伸张力芯片接合薄膜恰当地断裂的热固型芯片接合薄膜。一种热固型芯片接合薄膜，用于以下方法：对半导体晶片照射激光形成改性区域后，通过用改性区域将半导体晶片断裂而由半导体晶片得到半导体元件的方法；或者在半导体晶片的表面形成未到...

本发明涉及丙烯酸类粘合性组合物和丙烯酸类粘合带。丙烯酸类粘合带低温时对低极性被粘物的胶粘性提高。本发明的某一方式的丙烯酸类粘合带，为具有由丙烯酸类粘合性组合物形成的粘合剂层的单层粘合带。一种丙烯酸类粘合性组合物，其含有：丙烯酸类聚合物(...

本发明提供偏振片和图像显示装置。根据本发明的一个实施方案的偏振片包含：偏振器；含无机细粒和粘结剂用树脂的紫外线屏蔽层，所述无机细粒各自均具有3.0eV以上的带隙；和保护膜。紫外线屏蔽层包含40至80体积％的含量的无机细粒，并且具有400...

本发明提供一种在对金属材料具有高胶粘性的同时加热剥离性或拆除性提高的粘合性组合物或丙烯酸类粘合带。本发明的某一方式的丙烯酸类粘合带，具有丙烯酸类聚合物(A)、重均分子量(Mw)为1000以上且小于30000的(甲基)丙烯酸类聚合物(B)...

本发明涉及芯片保持用胶带、芯片状工件的保持方法、使用芯片保持用胶带的半导体装置制造方法及芯片保持用胶带的制造方法。本发明提供容易进行芯片状工件的粘贴剥离的芯片保持用胶带。一种芯片保持用胶带，具有在基材上形成有粘合剂层的构成，所述粘合剂层...

本发明涉及半导体背面用切割带集成膜。本发明提供一种半导体背面用切割带集成膜，其包括：包括基材和设置于所述基材上的压敏粘合剂层的切割带；和设置于所述压敏粘合剂层上的倒装芯片型半导体背面用膜，其中所述倒装芯片型半导体背面用膜包含黑色颜料。

本发明涉及粘合剂组合物、粘合片以及粘合片的制造方法，该粘合剂组合物为丙烯酸系粘合剂组合物，其含有满足以下所有条件的单体混合物的共聚反应物，所述条件为：(a)含有全部单体成分的50质量％以上的单体m1，其中，单体m1为下述式(I)所示的(...

本发明提供一种倒装芯片型半导体背面用膜，其形成于倒装芯片连接至被粘物的半导体元件的背面上，所述膜包括晶片粘合层和激光标识层，其中所述晶片粘合层的弹性模量(在50℃下)为10MPa以下，所述激光标识层的弹性模量(在50℃下)为100MPa...

本发明涉及半导体背面用切割带集成膜。本发明提供一种半导体背面用切割带集成膜，其包括：包括基材和设置于所述基材上的压敏粘合剂层的切割带；和设置于所述压敏粘合剂层上的倒装芯片型半导体背面用膜，其中所述切割带的压敏粘合剂层与所述倒装芯片型半导...

本发明提供一种倒装芯片型半导体背面用膜，其形成于倒装芯片连接至被粘物的半导体元件的背面上，所述膜包括晶片粘合层和激光标识层，其中所述晶片粘合层对于波长为532nm的光具有40％以上的透光率，以及所述激光标识层对于波长为532nm的光具有...