本发明专利技术涉及芯片保持用胶带、芯片状工件的保持方法、使用芯片保持用胶带的半导体装置制造方法及芯片保持用胶带的制造方法。本发明专利技术提供容易进行芯片状工件的粘贴剥离的芯片保持用胶带。一种芯片保持用胶带，具有在基材上形成有粘合剂层的构成，所述粘合剂层具有用于粘贴芯片状工件的芯片状工件粘贴区域和用于粘贴安装框架的框架粘贴区域，所述芯片保持用胶带通过将安装框架粘贴到所述框架粘贴区域上来使用，其中，所述粘合剂层中，在测定温度23±3℃、牵引速度300mm/分钟的条件下，所述框架粘贴区域中的对镜面硅晶片的180度剥离粘合力为所述芯片状工件粘贴区域中的对镜面硅晶片的180度剥离粘合力的5倍以上。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片保持用胶带、芯片状工件的保持方法、使用芯片保持用胶带的半导体装置制造方法以及芯片保持用胶带的制造方法。
技术介绍
以往，作为半导体装置的制造方法，已知包括以下工序的制造方法将固定于切割薄膜上的半导体晶片切割为多个半导体芯片的切割工序；从切割薄膜上拾取半导体芯片的拾取工序；和将拾取的半导体芯片芯片接合到衬底等被粘物上的工序。另外，近年来，有时使用在切割薄膜上层叠芯片接合薄膜而得到的切割/芯片接合薄膜代替上述切割薄膜。此时，在切割工序中，半导体晶片与芯片接合薄膜一起被切断， 在拾取工序中，以带有芯片接合薄膜的半导体芯片的形式被拾取，在芯片接合工序中，通过该芯片接合薄膜将半导体芯片芯片接合到被粘物上。另一方面，有时拾取的半导体芯片不芯片接合到被粘物上，而是先保存起来。将芯片状工件进行保存的情况下，以往是将半导体芯片粘贴到通用的切割薄膜等粘合带上保持、保存。但是，在将带有芯片接合薄膜的半导体芯片粘贴到粘合带上保持的情况下，由于芯片接合薄膜与粘合带的粘合性过强，有时不能将保持的带有芯片接合薄膜的半导体芯片再剥离，或者长时间保持时胶粘力随时间的推移而上升从而难以再剥离。因此，以往提出了在外围部露出粘合剂层、在外围部内侧的中央部露出基材薄膜的芯片分选用片(例如，参考专利文献1)。专利文献1中记载的芯片分选用片，通过将带有芯片接合薄膜的半导体芯片暂时胶粘到基材薄膜上来使用。但是，由于上述芯片分选用片要通过将带有芯片接合薄膜的半导体芯片暂时胶粘在不具有粘合力的基材薄膜上来使用，因此需要附着在半导体芯片上的芯片接合薄膜具有某种程度的粘合力，从而导致构成芯片接合薄膜的材料的选择余地变小。另外，在常温下粘合力弱的芯片接合薄膜的情况下，为了暂时胶粘必须进行加热，因此存在制造工序复杂化的问题。另外，在上述半导体装置的制造方法中，在不使用切割/芯片接合薄膜而使用切割薄膜的情况下，欲拾取的半导体芯片上未附着芯片接合薄膜而不具有粘合力，因此不能使用上述芯片分选用片。现有技术文献专利文献专利文献1 日本特开2008-100755号公报
技术实现思路
本专利技术鉴于上述课题而做出，其目的在于提供容易进行芯片状工件的粘贴剥离的芯片保持用胶带、该芯片状工件的保持方法、使用该芯片保持用胶带的半导体装置制造方法、以及该芯片保持用胶带的制造方法。本专利技术人为了解决上述现有问题，对芯片保持用胶带进行了研究。结果发现，通过将测定温度23士3°C、牵引速度300mm/分钟的条件下测定的粘贴安装框架的框架粘贴区域中的对镜面硅晶片的180度剥离粘合力设定为粘贴芯片状工件的芯片状工件粘贴区域中的对镜面硅晶片的180度剥离粘合力的5倍以上，可以适当地进行芯片状工件的粘贴剥离，从而完成了本专利技术。gp，本专利技术提供如下专利技术。(1) 一种芯片保持用胶带，具有在基材上形成有粘合剂层的构成，所述粘合剂层具有用于粘贴芯片状工件的芯片状工件粘贴区域和用于粘贴安装框架的框架粘贴区域，所述芯片保持用胶带通过将安装框架粘贴到所述框架粘贴区域上来使用，其特征在于，所述粘合剂层中，在测定温度23士3°C、牵引速度300mm/分钟的条件下，所述框架粘贴区域中的对镜面硅晶片的180度剥离粘合力为所述芯片状工件粘贴区域中的对镜面硅晶片的180度剥离粘合力的5倍以上。根据(1)的构成，由于框架粘贴区域中的剥离粘合力在所述条件下为芯片状工件粘贴区域中的剥离粘合力的5倍以上，因此在粘合力比较强的框架粘贴区域，能够牢固地粘贴安装框架，并且在粘合力比较弱的芯片状工件粘贴区域，能够以可粘贴剥离的方式粘贴芯片状工件。特别是根据(1)的构成，由于芯片状工件粘贴区域具有某种程度的弱粘合力，因此无论是不带有具有粘合力的树脂层(例如芯片接合薄膜)的芯片状工件(例如，半导体芯片)，还是带有在室温或保存时的温度下几乎不发挥粘合力的树脂层的芯片状工件，都可以进行粘贴。另外，本专利技术中，芯片状工件包括带有具有粘合力的树脂层的芯片状工件和无树脂层的芯片状工件两者。(2)如上述⑴所述的芯片保持用胶带，其中，在测定温度23士3 °C、牵引速度 300mm/分钟的条件下，所述芯片状工件粘贴区域中的粘合剂层对镜面硅晶片的180度剥离粘合力优选为0. 01 0. lN/20mm胶带宽度。根据O)的构成，由于芯片状工件粘贴区域中的粘合层的粘合力在上述条件下为 0.01N/20mm胶带宽度以上，因此芯片状工件可靠地粘贴，可以防止脱落。另外，由于所述粘合力为0. lN/20mm胶带宽度以下，因此在剥离时无需进行加热或辐射线照射等操作就可以进行剥离。(3)如上述⑴或⑵所述的芯片保持用胶带，其中，所述芯片状工件粘贴区域中的粘合剂层的杨氏模量优选为3MPa以上。根据(3)的构成，由于芯片状工件粘贴区域中的粘合剂层的杨氏模量为3MPa以上，因此芯片状工件与粘合剂层的密合不会过强，可以容易地剥离芯片状工件。(4)如上述⑴至(3)中任一项所述的芯片保持用胶带，其中，优选所述芯片保持用胶带具有基材和在所述基材上形成的辐射线固化型粘合剂层，所述芯片状工件粘贴区域是通过辐射线照射引起的固化导致粘合力下降而形成的区域。根据的构成，由于芯片状工件粘贴区域是通过辐射线照射引起的固化导致粘合力下降而形成的区域，因此交联密度高，可以抑制构成粘合剂层的聚合物的微观运动。因此，即使长时间粘贴在芯片状工件的表面，密合性的上升也少，芯片状工件在长时间(例如，一个月)保持粘贴的状态后，也可以容易地剥离。另外，由于可以根据辐射线照射量来设定芯片状工件粘贴区域的粘合力，因此容易得到所需的粘合力。(5)如上述⑴至(3)中任一项所述的芯片保持用胶带，其中，优选所述粘合剂层是由表面具有所述框架粘贴区域的强粘合剂层和表面具有所述芯片状工件粘贴区域的弱粘合剂层以两者在基材上不层叠的形态形成的粘合剂层。(6)如上述⑴至(3)中任一项所述的芯片保持用胶带，其中，优选所述粘合剂层具有强粘合剂层和以使所述强粘合剂层面的外围部露出的方式层叠在所述强粘合剂层上的弱粘合剂层，所述强粘合剂层的露出部位相当于所述框架粘贴区域，所述弱粘合剂层的表面相当于所述芯片状工件粘贴区域。(7)如上述⑴至(3)中任一项所述的芯片保持用胶带，其中，优选所述粘合剂层具有弱粘合剂层和以使所述弱粘合剂层面的中央部露出的方式层叠在所述弱粘合剂层上的强粘合剂层，所述强粘合剂层的表面相当于所述框架粘贴区域，所述弱粘合剂层的露出部位相当于所述芯片状工件粘贴区域。(8) 一种芯片状工件的保持方法，用于保持通过切割而形成的芯片状工件，其特征在于，包括以下工序将安装框架粘贴到上述(1)至(7)中任一项所述的芯片保持用胶带的框架粘贴区域的工序，和将通过切割而形成的芯片状工件粘贴到芯片保持用胶带的芯片状工件粘贴区域的工序。根据(8)的构成，通过将安装框架粘贴到芯片保持用胶带的框架粘贴区域、将通过切割形成的芯片状工件粘贴到芯片保持用胶带的芯片状工件粘贴区域，例如，可以将通过切割形成的芯片状工件先进行保存。另外，保存中的芯片状工件根据需要可以用于半导体装置的制造等。另外，本专利技术提供如下专利技术。(9) 一种半导体装置的制造方法，使用上述(1)至(8)中任一项所述的芯片保持用胶带，其特征在于，包括以下工序切割工件的工序，将通过切割而形成的芯本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种芯片保持用胶带，具有在基材上形成有粘合剂层的构成，所述粘合剂层具有用于粘贴芯片状工件的芯片状工件粘贴区域和用于粘贴安装框架的框架粘贴区域，所述芯片保持用胶带通过将安装框架粘贴到所述框架粘贴区域上来使用，其特征在于，所述粘合剂层中，在测定温度２３±３℃、牵引速度３００ｍｍ／分钟的条件下，所述框架粘贴区域中的对镜面硅晶片的１８０度剥离粘合力为所述芯片状工件粘贴区域中的对镜面硅晶片的１８０度剥离粘合力的５倍以上。
【技术特征摘要】
2009.12.25 JP 2009-2961161.一种芯片保持用胶带，具有在基材上形成有粘合剂层的构成，所述粘合剂层具有用于粘贴芯片状工件的芯片状工件粘贴区域和用于粘贴安装框架的框架粘贴区域，所述芯片保持用胶带通过将安装框架粘贴到所述框架粘贴区域上来使用，其特征在于，所述粘合剂层中，在测定温度23士3°C、牵引速度300mm/分钟的条件下，所述框架粘贴区域中的对镜面硅晶片的180度剥离粘合力为所述芯片状工件粘贴区域中的对镜面硅晶片的180度剥离粘合力的5倍以上。2.如权利要求1所述的芯片保持用胶带，其特征在于，在测定温度23士3°C、牵引速度300mm/分钟的条件下，所述芯片状工件粘贴区域中的粘合剂层对镜面硅晶片的180度剥离粘合力为0. 01 0. lN/20mm胶带宽度。3.如权利要求1所述的芯片保持用胶带，其特征在于，所述芯片状工件粘贴区域中的粘合剂层的杨氏模量为3MPa以上。4.如权利要求1所述的芯片保持用胶带，其特征在于，所述芯片保持用胶带具有基材和在所述基材上形成的辐射线固化型粘合剂层， 所述芯片状工件粘贴区域是通过辐射线照射引起的固化导致粘合力下降而形成的区域。5.如权利要求1所述的芯片保持用胶带，其特征在于，所述粘合剂层是由表面具有所述框架粘贴区域的强粘合剂层和表面具有所述芯片状工件粘贴区域的弱粘合剂层以两者在基材上不层叠的形态形成的粘合剂层。6.如权利要求1所述的芯片保持用胶带，其特征在于，所述粘合剂层具有强粘合剂层和以使所述强粘合剂层面的外围部露出的方式层叠在所述强粘合剂层上的弱粘合剂层，所述强粘合剂层的露出部位相当于所述框架粘贴区域， 所述弱粘合剂层的表面相当于所述芯片状工件粘贴区域。7.如权利要求1所述的芯片保持用胶带，其特征在于，所述粘合剂层具有弱粘合剂层和以使所述弱粘合剂层面的中央部露出的方式层叠在所述弱粘合剂层...
【专利技术属性】
技术研发人员：村田修平，松村健，水野浩二，浅井文辉，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：JP
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