半导体背面用切割带集成膜制造技术

本发明专利技术涉及半导体背面用切割带集成膜。本发明专利技术提供一种半导体背面用切割带集成膜，其包括：包括基材和设置于所述基材上的压敏粘合剂层的切割带；和设置于所述压敏粘合剂层上的倒装芯片型半导体背面用膜，其中所述倒装芯片型半导体背面用膜包含黑色颜料。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体背面用切割带集成膜。将倒装芯片型半导体背面用膜用于保护 芯片形工件(例如半导体芯片)的背面和增强强度。此外，本专利技术涉及使用半导体背面用 切割带集成膜的半导体器件和生产所述器件的方法。
技术介绍
近年来，日益要求半导体器件及其封装的薄型化和小型化。因此，作为半导体器 件及其封装，已经广泛地利用其中将半导体芯片(芯片形工件)以该半导体芯片的电路面 与基板的电极形成面相对的形式固定至基板的那些(即，通过倒装芯片接合生产的半导体 芯片，或倒装芯片安装的半导体器件)。在此类半导体器件等中，在一些情况下半导体芯片 (芯片形工件)的背面用保护膜保护以抑制半导体芯片损坏(参见，例如，专利文献1至10)。专利文献1 JP--A--2008--166451专利文献2 JP--A--2008-006386专利文献3 JP--A--2007--261035专利文献4 JP--A--2007--250970专利文献5 JP--A--2007--158026专利文献6 JP--A--2004--221169专利文献7 JP--A--2004--214288专利文献8 JP--A--2004--142430专利文献9 JP--A--2004-072108专利文献10JP-A-2004-06355
技术实现思路
然而，将用于保护半导体芯片背面的背面保护膜粘贴至通过在切割步骤中切割半 导体晶片获得的半导体芯片的背面导致增加粘贴步骤，以致步骤的数量增加，成本等增加。 此外，由于近年来的薄型化，在切割步骤后的半导体芯片的拾取步骤中，在一些情况下可能 损害半导体芯片。因此，期望增强半导体晶片或半导体芯片直至拾取步骤。考虑到前述问题专利技术本专利技术，其目的在于提供从半导体晶片的切割步骤至半导体 芯片的倒装芯片接合步骤均能够利用的半导体背面用切割带集成膜。此外，本专利技术的另一 目的在于提供半导体背面用切割带集成膜，其能够在半导体晶片的切割步骤中显示出优良 的保持力，在半导体芯片的倒装芯片接合步骤后能够进一步显示出优良的激光标识性。作为为解决上述常规问题进行深入研究的结果，本专利技术人已发现，当将倒装芯片 型半导体背面用膜层压在具有基材和压敏粘合剂层的切割带的压敏粘合剂层上从而以集 成形式形成切割带和倒装芯片型半导体背面用膜并且所述倒装芯片型半导体背面用膜包 含黑色颜料时，从半导体晶片的切割步骤至半导体芯片的倒装芯片接合步骤均能够利用其中以集成形式形成切割带和倒装芯片型半导体背面用膜的层压体(半导体背面用切割带 集成膜)，以及在半导体晶片的切割步骤中能够显示优良的保持力，在半导体芯片的倒装芯 片接合步骤后能够进一步显示优良的激光标识性，由此完成本专利技术。S卩，本专利技术提供半导体背面用切割带集成膜，其包括切割带，所述切割带包括基材和设置于所述基材上的压敏粘合剂层；和倒装芯片型半导体背面用膜，所述倒装芯片型半导体背面用膜设置于所述压敏粘 合剂层上，其中所述倒装芯片型半导体背面用膜包含黑色颜料。如上所述，根据本专利技术的半导体背面用切割带集成膜以倒装芯片型半导体背面用 膜与具有基材和压敏粘合剂层的切割带集成的形式形成，并且在倒装芯片型半导体背面用 膜中将黑色颜料用作着色剂。因此，通过在切割晶片(半导体晶片)时将半导体背面用切 割带集成膜粘贴至工件(半导体晶片)，能够有效地切割和保持工件。此外，在切割工件以 形成芯片形工件(半导体芯片)后，通过将芯片形工件与倒装芯片型半导体背面用膜一起 以优良的拾取性从切割带的压敏粘合剂层容易地剥离，能够容易地获得背面受到保护的芯 片形工件。此外，由于其中将黑色颜料用作着色剂的倒装芯片型半导体背面用膜形成于芯 片形工件的背面，因此芯片形工件具有优良的激光标识性。自然，芯片形工件具有优良的外 观性，这是因为将其中将黑色颜料用作着色剂的倒装芯片型半导体背面用膜以优良的紧密 粘合性粘贴至所述芯片形工件背面。此外，在本专利技术的半导体背面用切割带集成膜中，由于切割带和倒装芯片型半导 体背面用膜以如上所述的集成方式形成，因此，在切割步骤前，当将切割带粘贴至半导体晶 片背面时也能够粘贴倒装芯片型半导体背面用膜，因而单独粘贴倒装芯片型半导体背面用 膜的步骤(倒装芯片型半导体背面用膜粘贴步骤)不是必需的。此外，在随后的切割步骤 和拾取步骤中，由于将倒装芯片型半导体背面用膜粘贴在半导体晶片背面或通过切割形成 的半导体芯片背面上，因此能够有效地保护半导体晶片或半导体芯片，因而在切割步骤或 随后的步骤(拾取步骤等)中能够抑制或防止半导体芯片的损坏。在本专利技术中，黑色颜料优选炭黑。根据本专利技术的半导体背面用切割带集成膜适合 用于倒装芯片安装的半导体器件。本专利技术还提供生产半导体器件的方法，该方法包括将工件粘贴至上述半导体背面用切割带集成膜的倒装芯片型半导体背面用膜上，切割所述工件以形成芯片形工件，将芯片形工件与倒装芯片型半导体背面用膜一起从切割带的压敏粘合剂层剥离， 和将所述芯片形工件通过倒装芯片接合固定至被粘物。此外，本专利技术进一步提供倒装芯片安装的半导体器件，其使用上述半导体背面用 切割带集成膜制造，所述半导体器件包括芯片形工件和粘贴至所述芯片形工件背面的倒装 芯片型半导体背面用膜。由于切割带和晶片背面保护膜以集成方式形成以及倒装芯片型半导体背面用膜 包含黑色颜料，因此从半导体晶片的切割步骤至半导体芯片的倒装芯片接合步骤均能够利 用根据本专利技术的半导体背面用切割带集成膜。具体地，根据本专利技术的半导体背面用切割带集成膜在半导体晶片的切割步骤中能够显示优良的保持力，在半导体芯片的倒装芯片接合 步骤期间和之后能够进一步显示优良的激光标识性。此外，在倒装芯片接合步骤等中，由于 半导体芯片的背面用倒装芯片型半导体背面用膜保护，因此能够有效抑制或防止半导体芯 片的破坏(breakage)、碎裂(chipping)和翘曲(warp)等。自然，在除了从半导体芯片的切 割步骤至倒装芯片接合步骤的步骤之外的步骤中，根据本专利技术的半导体背面用切割带集成 膜能够有效地显示其功能。附图说明图1为示出根据本专利技术的半导体背面用切割带集成膜的一个实施方案的横截面 示意图。图2A-2D为示出使用根据本专利技术的半导体背面用切割带集成膜生产半导体器件 的方法的一个实施方案的横截面示意图。附图标记说明1 半导体背面用切割带集成膜2 倒装芯片型半导体背面用膜3 切割带31 基材32 压敏粘合剂层4:半导体晶片(工件)5 半导体芯片(芯片形工件)51 在半导体芯片5的电路面形成的凸块(bump)6:被粘物61 粘合至被粘物6的连接垫(connecting pad)的连结用导电性材料 具体实施例方式参考图1描述本专利技术的实施方案，但本专利技术不限于该实施方案。图1为示出根据 本专利技术的半导体背面用切割带集成膜的一个实施方案的横截面示意图。在图1中，1为半导 体背面用切割带集成膜(下文中有时也称作“切割带集成的半导体背面保护膜”、“具有切割 带的半导体背面用膜”或“具有切割带的半导体背面保护膜”)，2为倒装芯片型半导体背面 用膜(下文中有时也称作“半导体背面用膜”或“半导体背面保护膜”)，3为切割带，31为 基材，32为压敏粘合剂层。此外，在本说明书的附图中，没有给出不需要描述的部分，为了容易描述，存在通 本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种半导体背面用切割带集成膜，其包括：切割带，所述切割带包括基材和设置于所述基材上的压敏粘合剂层；和倒装芯片型半导体背面用膜，所述倒装芯片型半导体背面用膜设置于所述压敏粘合剂层上，其中所述倒装芯片型半导体背面用膜包含黑色颜料。

【技术特征摘要】
2009.12.24 JP 2009-292770;2010.11.11 JP 2010-253091.一种半导体背面用切割带集成膜，其包括切割带，所述切割带包括基材和设置于所述基材上的压敏粘合剂层；和倒装芯片型半导体背面用膜，所述倒装芯片型半导体背面用膜设置于所述压敏粘合剂 层上，其中所述倒装芯片型半导体背面用膜包含黑色颜料。2.根据权利要求1所述的半导体背面用切割带集成膜，其中所述黑色颜料为炭黑。3.根据权利要求1或2所述的半导体背...

【专利技术属性】
技术研发人员：高本尚英，松村健，志贺豪士，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：JP