一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有第1成分、第2成分和溶剂，所述第2成分为水溶性聚合物，所述第1成分与所述第2成分的质量比率(第1成分:第2成分)为99:1～50:50，所述溶剂包含相对于所述溶剂为50质量％以上的水。

提供一种粘接剂、具有该粘接剂的层叠体，所述粘接剂向晶片的电路面、支承体(支承基板)的旋涂性优异，将晶片的电路面与支承体隔着粘接层接合的接合时、晶片背面的加工时的耐热性优异，在晶片加工后(例如晶片背面的研磨后)能容易地将晶片与支承体剥离。...

提供一种层叠体、形成如下能剥离的粘接剂层的粘接剂组合物、以及使用如下层叠体的经加工的半导体基板的制造方法，所述层叠体具有一层中既具有粘接功能也具有剥离功能的、能通过光照射而剥离的粘接剂层，所述层叠体在半导体基板的研磨时，能将支承基板与半...

提供将包含氧化钛的金属氧化物粒子作为核体、将氧化钛以外的金属氧化物粒子作为壳体，并以核体的一部分露出的方式将壳体被覆于核体而成的改性金属氧化物粒子及其制造方法。一种核壳型金属氧化物粒子，包含：含有平均一次粒径为3～100nm的金属氧化物...

一种EB或EUV光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：含有羟基的聚合物(A)、在阳离子部含有羟基的光产酸剂(B)、能够与羟基反应的交联剂(C)和溶剂(D)。

一种针对半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物，其包含：(A)具有在固化剂的存在下能够进行交联反应的反应基的化合物或聚合物；(B)固化剂；(C)具有羟基、以及选自羟基和羰基中的至少一者的化合物；以及(D)溶剂。

本发明提供一种液晶取向剂、液晶取向膜、液晶显示元件以及其制造方法，所述液晶取向剂可以得到能抑制印刷不均、针孔等涂布不良且具有充分的厚度的液晶取向膜。一种液晶取向剂，其含有：含有一种以上的聚合物的聚合物成分(P)以及(C)成分，其中，上述...

提供一种新型二胺，其在用作构成液晶取向膜的聚合物的原料时，能抑制烧成时的聚合物的分子量降低并且形成具有高电压保持率的液晶取向膜。一种二胺，其中，由下述式(dA－1)～(dA－6)中的任意式表示。

本发明提供液晶取向性良好、预倾角表现能力也优异的液晶取向膜、具有该液晶取向膜的液晶表示元件和赋予该液晶取向膜的液晶取向剂。本发明提供一种液晶取向剂，其包含作为(A)成分的化合物、作为(B)成分的聚酰胺酸、以及溶剂，该化合物具有下述式(p...

本发明提供一种液晶取向剂、液晶取向膜、液晶显示元件以及其制造方法，所述液晶取向剂可以得到能抑制在使显示亮度大幅变化的情况下产生的刚切换后的残影的液晶取向膜。一种液晶取向剂，其含有：含有一种以上的聚合物的聚合物成分(P)以及(C)成分，其...

提供一种液晶取向剂，其能得到能减小蓄积电荷的绝对值，并且在短时间内减少产生的电荷的液晶取向膜；以及减少起因于背光的电荷蓄积、闪烁的液晶取向膜。一种液晶取向剂，其含有聚合物(P)，该聚合物(P)是选自由使用如下四羧酸成分和如下二胺成分得到...

提供能够充分降低液体组合物中的甲醛浓度、并且抑制甲醛随着时间而增加的固化膜形成用组合物。一种固化膜形成用组合物，含有：(A)具有光取向性基团的化合物，(B)具有N‑羟甲基或N‑烷氧基甲基的交联剂，以及(C1)选自具有下述式(1)所示基团...

作为在将使用有改性金属氧化物粒子的涂布剂涂布于基材时能够具有透明性、高粒子折射率和良好的涂膜电阻率值的改性金属氧化物粒子溶胶，提供下述改性金属氧化物溶胶，其为包含改性金属氧化物粒子(iii)、该改性金属氧化物粒子在有机溶剂中分散的溶胶，...

提供一种固化膜形成用组合物以及使用由该固化膜形成用组合物得到的固化膜形成的取向材和相位材材，该固化膜形成用组合物能够通过低于100℃的低温烧成形成具有优异的液晶取向性和密合性的固化膜。一种固化膜形成用组合物，含有：(A)具有光取向性基团...

一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其特征在于，含有聚合物和溶剂、所述聚合物具有下述式(1)所示的重复单元(1)和所述重复单元(1)以外的重复单元(2)，包含所述聚合物的聚合物溶液中的所述聚合物的平均粒径为50nm以下。(式(1)中，R<...

本申请涉及一种催化剂组合物，其包含具有下述通式(I)所示的结构的高分子化合物、催化剂和催化剂载体，以及具有下述通式(I)所示的结构的高分子化合物。在通式(I)中，n为1～2，o为1～3，p为0～3，o+p≤4，B和C各自独立地为选自烷基...

提供即使没有交联剂、交联催化剂，也可以在更低温下形成热固化膜的聚合物树脂材料。一种自交联性聚合物，是包含具有芳香族环的单元结构A、和作为具有连接碳原子的有机基的单元结构B的自交联性聚合物，至少一种单元结构A为(i)‑NR‑键连接着至少2...

提供对高低差基板的埋入性和平坦化性优异，并且作为抗蚀剂下层膜的主要成分的聚合物的保存稳定性高的抗蚀剂下层膜形成用组合物、使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案形成法、和使用了该组合物的半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组...

一种空腔形成用组合物，其是用于在半导体基板上的导电布线图案间形成空腔的空腔形成用组合物，所述空腔形成用组合物含有具有烯属不饱和键的单体中的2种以上单体的加聚物和溶剂，所述加聚物含有具有热固性部位的重复单元(R1)和具有易热分解性部位的重...

本发明的课题是提供根据基板表面的材质而能够选择性地掩蔽的材料。解决手段是下述高分子膜形成用组合物、和使用该高分子膜形成用组合物的向基板的表面选择性形成高分子膜的方法，上述高分子膜形成用组合物是用于在具有表面由金属(I)形成的区域(R‑I...