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日产化学株式会社专利技术
日产化学株式会社共有988项专利
气体分离膜的制造方法技术
气体分离膜的制造方法,所述气体分离膜是微粒均匀地分散于树脂中的气体分离膜,所述气体分离膜的制造方法包括下述(A)和(B):工序(A),以上述微粒的量相对于总质量而言为1~50质量%的方式,将上述微粒与基体树脂混合而制造母料;工序(B),...
包含耐热性阻聚剂的含有聚硅氧烷的临时粘接剂制造技术
本发明的课题是提供在支持体与晶片之间不产生空隙的临时粘接剂。解决手段是用于在支持体与晶片的电路面之间可剥离地粘接而将晶片的背面进行加工的临时粘接剂,上述临时粘接剂包含能够通过氢化硅烷化反应而固化的成分(A)、Tg‑DTA中的5%质量减少...
半导体基板用底涂剂及图案形成方法技术
提供与抗蚀剂膜的密合性高,能够形成薄膜且形成良好的抗蚀剂图案的作为新的抗蚀剂图案用表面改性剂的半导体基板用底涂剂、在基板上依次叠层了表面改性剂和抗蚀剂图案的叠层基板、图案形成方法以及半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂图案用表面改性剂,是在...
液晶调光元件制造技术
本发明提供密封密合性优异、具有期望的电压保持率(VHR)并且具有可靠性的液晶取向膜、形成该液晶取向膜的液晶取向剂、和具备该液晶取向膜的宾主型液晶调光元件。一种宾主型液晶调光元件,其特征在于,其具备:具有透明电极的一对基板和被所述一对基板...
固化膜形成用组合物、取向材及相位差材制造技术
本发明的课题是提供形成具备优异的液晶取向性和密合性的固化膜的固化膜形成用组合物、该固化膜、使用该固化膜而形成的光学膜、取向材以及相位差材。解决手段是下述固化膜形成用组合物、由该固化膜形成用组合物形成的固化膜、使用该固化膜而形成的光学膜、...
锂离子二次电池制造技术
提供在4.35~5V的范围充电以供使用的锂离子二次电池,其是包括非水电解液以及可吸储和放出锂的正极和负极的锂离子二次电池,所述非水电解液包含(A)电解质、(B)非水系有机溶剂、和(C)具有至少一个芳环且不具有氨基的化合物的与该芳环的碳原...
固化膜形成用组合物、取向材及相位差材制造技术
本发明的课题是提供对于形成具备优异的液晶取向性和密合性的固化膜而言有用的固化膜形成用组合物、使用由该固化膜形成用组合物获得的固化膜而制成的取向材以及相位差材。解决手段是下述固化膜形成用组合物、以及由该固化膜形成用组合物获得的固化膜、使用...
液晶表示元件的制造方法技术
提供可以维持非对称的倾斜角体现能力、并且可以抑制液晶单元的内部偏置电压经时性变化的现象的液晶表示元件。一种液晶表示元件的制造方法,其特征在于,包括如下工序:在第一基板上形成第一液晶取向膜的液晶取向膜形成工序,所述第一液晶取向膜具有式(1...
液晶取向剂、液晶取向膜和液晶表示元件制造技术
提供一种能够形成与基板、密封剂的密合性高且电压保持率等电特性优异的液晶取向膜的液晶取向剂。一种液晶取向剂,其特征在于,其含有聚合物(A)和下述式(1)所示的二胺化合物(B),所述聚合物(A)为选自由使二胺成分与四羧酸成分反应而得到的聚酰...
非水电解液用添加剂、非水电解液和锂离子二次电池制造技术
提供非水电解液用添加剂和使用了其的锂离子二次电池,所述非水电解液用添加剂包含化合物,所述化合物为具有至少一个芳环并且不具有氨基的化合物,并且该化合物的与芳环的碳原子结合的氢原子中的至少1个被下述式(1)所示的基团取代。
液晶取向剂、液晶取向膜和使用其的液晶表示元件制造技术
提供一种能够获得蓄积电荷的缓和快、即使被背光照射其电荷的蓄积量也不易变化的液晶取向膜的液晶取向剂、液晶取向膜和液晶表示元件。一种液晶取向剂,其特征在于,其含有由具有下述式(1)所示结构的二胺得到的聚合物和有机溶剂。(R
储能器件电极用底涂箔制造技术
提供储能器件电极用底涂箔,其包括:集电体、在该集电体的至少一面形成的、包含导电性碳材料和分散剂的底涂层,所述集电体不含底涂层中所含的元素,采用X射线光电子能谱(XPS)测定所述底涂箔的底涂层形成面得到的构成所述集电体的元素的比率为2原子...
新型的液晶取向剂、液晶取向膜和液晶表示元件制造技术
提供一种能够获得电压保持特性和高温高湿耐受性优异的液晶表示元件的液晶取向剂、液晶取向膜和液晶表示元件。一种液晶取向剂,其特征在于,其包含:具有下述式(I‑1)或式(I‑2)所示的部分结构的聚合物(P)。(A表示碳原子数1~18的(n+1...
液晶取向剂、液晶取向膜和液晶表示元件制造技术
包含由二胺成分得到的聚合物和有机溶剂,所述二胺成分包含下述式[I]所示的至少1种第1二胺、以及具有选自下述式[S1]~[S3]所示的组中的侧链结构的至少1种第2二胺。(式[I]中,Z
涂布膜形成组合物和半导体装置的制造方法制造方法及图纸
提供涂布膜形成组合物和使用了其的半导体装置的制造方法,所述涂布膜形成组合物包含:(a)含有由下述式(1a)或(1b)表示的结构单元的聚合物,和(b)包含1~49质量%的选自丙二醇单甲基醚、丙二醇单甲基醚乙酸酯、丙二醇单乙基醚、2‑羟基异...
储能器件的底涂层形成用组合物制造技术
提供储能器件的底涂层形成用组合物,其特征在于,包含导电性碳材料、分散剂和溶剂,对所述导电性碳材料的粉体施加了20kN/cm
储能器件的底涂层形成用组合物制造技术
储能器件的底涂层形成用组合物可给予发挥低电阻化效果和电阻上升抑制效果的底涂层,所述储能器件的底涂层形成用组合物包含碳纳米管、碳纳米管分散剂和溶剂,碳纳米管中的金属杂质的总含量为不到5质量%,并且钴和锰的含量均为不到0.01质量%。
储能器件用电极和储能器件制造技术
提供储能器件用电极,其通过将包括集电体、在该集电体的至少一面形成的包含碳纳米管的底涂层和在该底涂层上形成的电极合材层的层叠体用不到1kN/cm的压制压力压制而成。
储能器件用电极和储能器件制造技术
提供储能器件用电极,其包括:集电体、在该集电体的至少一面形成的包含导电性碳材料和阳离子性分散剂的底涂层、和在该底涂层上形成的电极合材层。
包含硝酸和被保护了的苯酚基的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物制造技术
本发明的课题是提供可以用于制造半导体装置的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物,其是用于形成可以作为硬掩模使用的抗蚀剂下层膜的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物,其包含作为硅烷的水解性硅烷(a)的水解...
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