本发明提供一种半导体集成装置中的延迟电路以及逆变器，对静电放电的耐受性强，且能够以低耗电抑制延迟时间的偏差。作为半导体集成装置中的延迟电路的逆变器，采用具有如下的高电位部以及低电位部的逆变器。低电位部具有将各自的源极端子以及漏极端子在第...

本发明涉及半导体电路、半导体器件及布线异常诊断方法。使电压施加部(24)的开关(SW5)处于接通状态，向布线(27)供给电压VCC，测量电池单元(C4)的输出电压Vout，如果输出电压Vout＝0V，则判断为布线(V4～V3)之间发生短...

本发明涉及充电控制系统以及充电控制装置。其具有：太阳能电池(10)；接收由太阳能电池(10)输出的电力的二次电池(20)；与二次电池(20)一起构成闭合电路的第2传送路径(40)；对基于太阳能电池(10)的输出电压和基于与第2传送路径(...

本发明提供一种能够使反向耐压升高的半导体装置。包括：一导电型的半导体层(100)；绝缘体层(130)；设置在绝缘体层中的半导体层(210)；设置于半导体层(210)的有源元件(20)；设置于半导体层(100)的一主面(201)的另一导电...

本发明提供一种相关器以及包含该相关器的解调装置，即使在接收信号频带内混入了无用功率，也能够排除该无用功率的影响，从而求出自相关。其中，第1、第2滤波电路具有相互不重叠的不同通过频率特性。第1、第2延迟电路将从第1、第2滤波电路输出的信号...

本发明提供能够阻止闩锁的信号放大装置、桥接式信号放大装置、信号输出装置及闩锁阻止方法。在电源布线(VDD)中流过了过电流的情况下，进行控制以使得PMOS晶体管(12)成为导通状态且NMOS晶体管(14)成为非导通状态，然后进行控制以使得...

本发明提供一种通过简单的处理就能准确地判定无线钥匙位于主体的内部还是外部的无线钥匙系统以及钥匙位置检测方法。设置在主体内的通信装置通过内部天线、和设置在主体外侧且指向性与内部天线不同的外部天线发送无线信号；无线钥匙在通过具有相互不同的指...

本发明提供一种秘密信息传输方法，通过第１装置生成包含主密钥信息的多个分散信息并通过无线通信将这些分散信息发送到第２装置，通过第２装置接收所述多个分散信息并恢复主密钥，在该秘密信息传输方法中，在第１装置中，排列通过对多个随机数信息和主密钥...

本发明提供一种加速度传感器装置，可防止锤部、梁部和压电电阻元件的破损以及特性变化，可提高加速度传感器装置的可靠性。加速度传感器装置包括：具有锤部（１１）、在该锤部（１１）的周围具有间隔地配置的底座部（１２）、挠性连接锤部（１１）和底座部...

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件具有第一区域（４０）和与其相邻的第二区域（５０），还包括：半导体基板，具有主表面和侧面，所述主表面位于所述第一区域（４０），所述侧面位于所述第一区域（４０）和所述第二区域（５０）的边界；...

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，抑制通过设置在半导体基板上贯通口所露出的电极层发生裂缝。贯通过孔（２２）的开口直径比钝化膜（１６）的开口部（１６Ａ）的开口直径大，并且按照贯通过孔（２２）的开口边缘位于比钝化膜（１６）的开口部（１６...

本发明提供一种在Ｗ－ＣＳＰ那样的封装尺寸与半导体芯片大致相同的半导体器件中，能确保更宽的印字区的半导体器件的结构。在半导体基板具有从反面到达正面电极的多个贯通电极、与形成在半导体基板的反面上的贯通电极连接的反面布线网、覆盖反面布线网的绝...

本发明提供一种加速度传感器的构造及其制造方法，对于具有限位部构造的加速度传感器，特别是利用微细加工工艺制造的具有限位部构造的加速度传感器，能消除锤和限位部粘附的问题。本发明提供的加速度传感器，其特征在于，包括：锤部；具有间隔地包围所述锤...

本发明提供一种电子设备、遥控操作装置以及遥控操作系统，在抑制功耗的同时，可缩短从由遥控操作装置发送操作信号到电子设备开始动作时的时间。把电子设备（１２）构成为具有接收从遥控装置（１４）发送的信号的无线接收电路（２２）、和对输入的信号进行...

本发明提供一种放大电路，其有效动作范围宽，能实现相位补偿用电容的小容量化，还可抑制贯通电流，在具备输入放大级（３２）、和Ｐ型ＭＯＳ晶体管（３６）及Ｎ型ＭＯＳ晶体管（３８）作为推挽电路来动作的输出级（３４）的放大电路（３０）中，附加了输入...

本发明涉及光电二极管的制造方法及使用其而形成的光电二极管，该光电二极管的制造方法，包括：在硅半导体层的各扩散层的形成区域，以预定的浓度注入预定类型的杂质后，在硅半导体层上形成由具有透光性的绝缘材料构成的绝缘材料层的步骤；通过有选择地除去...

本发明提供一种半导体器件的制造方法，在半导体器件的制造中可削减制造成本，并且总是能够确保充分的对准精度。根据本发明的制造方法，在半导体基板上，形成多个元件隔离用沟槽和多个对准标记用沟槽，并在形成有该两种沟槽的半导体基板上层叠氧化膜，并且...

本发明提供一种半导体制造装置及半导体器件的制造方法，通过适当地设定蓝宝石衬底的预热工序中的预热条件，可顺利地进行蓝宝石衬底的吸引保持。该半导体制造装置具备：加热板，其使蓝宝石衬底在大气中升温；支承部，其使蓝宝石衬底的背面与加热板相对，并...

一种薄型化并且适合于高速动作的层叠型半导体装置。在半导体衬底的一面上排列配置形成多个预定电路，按照预定图形依次层叠形成与电路电连接的布线及绝缘层以形成多层布线部，在形成多层布线部的阶段在半导体衬底上形成表面以绝缘膜覆盖的填充电极，在多层...

提供可以防止被制造工艺的等离子电流破坏，并且避免了二极管的耐压上升的半导体器件以及半导体器件的制造方法。半导体器件（１０），采用具有作为支撑衬底的硅衬底（１０１ａ）、硅衬底（１０１ａ）上的氧化膜（１０１ｂ）、和氧化膜（１０１ｂ）上的硅薄...