本发明涉及硅基板蚀刻溶液及利用其的半导体器件的制造方法，更具体地，涉及利用可通过调节硅基板蚀刻溶液中的硅烷化合物(硅)的浓度来提高蚀刻时的氮化硅膜与氧化硅膜的蚀刻选择比的硅基板蚀刻溶液以及包括利用其来执行蚀刻工序的步骤的半导体器件的制造...

本发明涉及橡胶组合物用偶联剂及包含其的轮胎用橡胶组合物。本发明的橡胶组合物包含能够诱导原料橡胶与碳黑之间的相互作用的偶联剂，由此，可通过提高橡胶组合物中的碳黑的分散性来体现具有低的滚阻特性及优秀的耐磨耗性的轮胎。

本发明涉及硅衬底蚀刻溶液，更加详细地，涉及可在蚀刻氮化硅膜时抑制硅类颗粒的生成的硅衬底蚀刻溶液。

本发明涉及硅衬底蚀刻溶液，更加详细地，涉及当蚀刻氮化硅膜时，与氧化硅膜相比可提高对氮化硅膜的蚀刻选择比并提高高温稳定性的硅衬底蚀刻溶液。

本发明提供高纯度沥青的制备方法，其用于碳原材料原料的高纯度沥青的制备，所述制备方法包括：准备软化点为10℃至60℃的软沥青的步骤；对上述软沥青和芳香族类不溶物凝聚溶剂进行混合来准备混合物的步骤；利用离心分离法或滗析法从上述混合物中分离未...

本发明涉及包含大量固体成分的煤焦油的处理方法，更具体地，涉及从包含大量固体成分的煤焦油回收去除固体成分的煤焦油，并获取喹啉含量低的煤焦油泥来作为副产物的方法。

本发明涉及蚀刻组合物及利用其的蚀刻方法。本发明涉及蚀刻组合物、蚀刻方法及利用其的半导体器件的制备方法，更详细地，包含在半导体制备工序中进行湿式蚀刻的情况下，对氧化膜的蚀刻率进行最小化的同时能够选择性地去除氮化膜的高选择比的化合物的蚀刻组...

本发明涉及蚀刻用组合物及利用其的半导体器件的制备方法。本发明涉及包含由下列化学式1表示的氨基‑硅氧烷化合物及溶剂的蚀刻用组合物，本发明的蚀刻用组合物可将氧化膜的蚀刻率最小化，而且可以选择性地除去氮化膜，对抑制对器件特性产生坏影响的微粒的...

本发明涉及用于定量及定性分析碳黑表面官能团的系统及方法。根据本发明，相比于以往的分析方法，能够以高准确性及可靠性来定量及定性分析碳黑的表面官能团。

本发明涉及对通常具有导电性的碳黑进行表面处理来制备高电阻性能的碳黑的方法和由此制备的碳黑。

本发明涉及碳黑制备装置，上述碳黑制备装置因设置有可对碳黑进行均匀的氧化处理的反应器，从而可在制备原料碳黑的同时对碳黑连续性地进行表面处理。

本发明提供一种碳黑制造装置。本发明的一实施例的碳黑制造装置可包括：至少一个燃烧筒，具有空气供给部及燃料供给部；反应部，流入通过所述燃烧筒投入的高温燃气；喷嘴插入口，设置到所述反应部的一面，可流入供给原料；喷嘴头，通过所述喷嘴插入口插入到...

本发明涉及可防止或缓解表面氧化改性后因残留臭氧而使碳黑的表面氧化度发生变化的碳黑的氧化方法以及使其包括在单一连续工序中的碳黑的制备方法。

本发明涉及蚀刻组合物及利用其的蚀刻方法。本发明涉及蚀刻组合物、蚀刻方法及利用其的半导体器件的制造方法，更详细地涉及包含使氧化膜的蚀刻率最小化并可选择性地去除氮化膜的高选择比的化合物的蚀刻组合物及包括利用该蚀刻组合物的蚀刻工序的半导体器件...

本发明涉及蚀刻组合物、蚀刻方法及利用其的半导体器件的制造方法，更详细地涉及包含在半导体制造工序中进行湿法蚀刻时，最小化氧化膜的蚀刻率的同时能够选择性地去除氮化膜的高选择比的化合物的蚀刻组合物及包含利用该蚀刻组合物的蚀刻工序的半导体器件的...

本发明提供炭黑氧化方法，包括：在臭氧生成器中，利用氧生成臭氧，从而得到氧和臭氧的混合气体的步骤；向设有投入口和排出口的反应器供给炭黑后，向上述投入口投入上述混合气体，使上述混合气体与上述反应器内的炭黑相接触，来对上述炭黑进行氧化处理的步...

本发明涉及铜蚀刻用组合物及过氧化氢类金属蚀刻用组合物，更具体地，涉及如下过氧化氢类金属蚀刻用组合物，能够防止铜蚀刻用组合物及过氧化氢类金蚀刻用组合物中的过氧化氢的分解及其他成分的改性，上述铜蚀刻用组合物可通过提高在铜与有机物之间形成的螯...

本发明公开可通过在炭黑的表面引入光氧化反应来制备表面改性的高颜色用炭黑的炭黑制备装置及其制备方法。炭黑制备装置包括第一反应器，用于形成未粉碎炭黑；粉碎机，用于粉碎未粉碎炭黑；第二反应器，通过使粉碎的炭黑与水反应来形成炭黑混合物；造粒机，...

本发明公开可适用于炭黑制备装置等高温高压环境的原料喷嘴。本发明实施例的高温高压用原料喷嘴的特征在于，包括：喷嘴本体，形成有原料供给区域和在上述原料供给区域朝向前方延伸且直径小于上述原料供给区域的直径的原料喷射区域；陶瓷头，外周面粘结于上...

本发明公开了一种用于将多晶硅与碳夹头分离的装置和方法。该装置通过在其上附着有多晶硅的碳夹头(多晶硅‑碳夹头)上施加高频电流进行感应加热，从而选择性地加热碳夹头，所述碳夹头来自用于合成多晶硅的室。因此，可以熔化多晶硅与碳夹头接触的接触表面...