本发明涉及高结晶度炭黑及其制备方法，更具体地，涉及能够用作需要高水平的耐久性的燃料电池催化剂载体、包括二次电池在内的多种电池的导电材料的高结晶度炭黑及其制备方法，更详细地，本发明提供微晶尺寸Lc为4.0nm以上，比表面积(BET)为50...

高纯SiC晶体的制造方法，本发明涉及制造高纯碳化硅(siliconcarbide，SiC)晶体的方法，更具体地，涉及以优秀的收率大量生产杂质的含量极低的高纯SiC的方法。的含量极低的高纯SiC的方法。的含量极低的高纯SiC的方法。

本公开涉及一种用于制备具有高软化点的石油基沥青的方法，更具体地，涉及一种用于制备具有高软化点的石油基沥青的方法，所述方法包括通过使用包括氧化反应器的氧化热处理装置对石油基残留物执行氧化热处理工艺，以及对被氧化且被热处理的石油基残留物执行...

本发明涉及一种浸渍沥青的制备方法，更详细地，所述方法包括如下步骤：混合煤焦油类原料物质及溶剂而制备混合物；通过离心分离法或倾析(decanting)法从所述混合物中分离上清液及包含固体成分的下层液；从所述上清液回收所述溶剂来获取残留物；...

本发明涉及一种用于制造氮化硅基底的方法，并且更具体地，包括以下步骤：通过混合氮化硅粉末、陶瓷添加剂和溶剂来形成浆料；使浆料成型以形成片材；将片材中的至少一个夹在下板与上板之间以形成堆叠结构；将堆叠结构脱脂；以及烧结堆叠结构。下板和上板中...

本发明涉及用于储存潜热的组合物，并且更具体地，涉及仅由第一相变材料和第二相变材料的混合物以及热解法二氧化硅组成的用于储存潜热的组合物。第一相变材料和第二相变材料各自独立地包括脂肪酸或其酯，并且热解法二氧化硅的重量比为5重量％至15重量％。

本发明涉及氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制备方法，更详细地，涉及如下的氮化硅膜蚀刻溶液及使用其来执行的半导体器件的制备方法，即，硅化合物不易分解而防止颗粒的产生，提高相对于氧化硅膜的氮化硅膜的选择比。

本发明涉及一种用于提纯过氧化氢的方法。更具体地，该方法包括使用初级提纯系统提纯过氧化氢的粗产物的步骤，和使用二级提纯系统提纯经过初级提纯的过氧化氢溶液的步骤。初级提纯系统和二级提纯系统中的一个包括电去离子系统，并且初级提纯系统和二级提纯...

本发明涉及氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件制备方法，更详细地，涉及如下的氮化硅膜蚀刻溶液及使用其来执行的半导体器件的制备方法，即，硅化合物不易分解而防止颗粒的产生，提高相对于氧化硅膜的氮化硅膜的选择比。

本发明涉及氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制备方法，更详细地，涉及可通过在低温下不易分解而在高温的蚀刻条件下容易分解来防止生长为硅类颗粒，增加氮化硅膜与氧化硅膜的选择比的氮化硅膜蚀刻溶液及使用其来执行的半导体器件的制备方法。

本发明涉及一种氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制备方法，更详细地，涉及一种如下的氮化硅膜蚀刻溶液及使用其来进行的半导体器件的制备方法，即，确保滴定溶解度，在低温下不易分解，在蚀刻条件下容易分解以防止生长成硅类颗粒，可提高相对于氧化...

本发明涉及一种氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制备方法，更详细地，涉及一种如下的氮化硅膜蚀刻溶液及使用其来进行的半导体器件的制备方法，即，在蚀刻条件下，可提高相对于氧化硅膜对氮化硅膜的蚀刻选择比的同时，提高在水或酸条件下的储存稳定...

本发明涉及石油基高软化点沥青的制备方法，更详细地，涉及喹啉不溶物(QI)含量低，可调节β树脂含量，氮、硫及氧等多个杂原子含量低的石油基高软化点沥青的制备方法。的石油基高软化点沥青的制备方法。的石油基高软化点沥青的制备方法。

本发明涉及一种氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制备方法，更详细地，提供一种氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制备方法，由于该氮化硅膜蚀刻溶液包含与以相同体积为基准的球形的第一胶体二氧化硅粒子相比表面积增加的第二胶体二氧化硅粒子...

本发明涉及一种氮化硅膜蚀刻溶液以及使用其的半导体器件的制备方法，更详细地，涉及一种如下的氮化硅膜蚀刻溶液以及使用其来进行的半导体器件的制备方法，即，通过将氨基酸类、硫酯类(thioester)或酯类基团引入胶体二氧化硅粒子之间来防止硅类...

本发明涉及一种氮化硅膜蚀刻溶液以及使用其的半导体器件的制备方法，更详细地，涉及一种氮化硅膜蚀刻溶液以及包括通过使用其来进行的蚀刻工序的半导体器件的制备方法，该氮化硅膜蚀刻溶液中包含具有杂芳基类取代基的化合物，因此不易分解且在磷酸水溶液中...

本发明涉及一种氮化硅膜蚀刻溶液及其制备方法，更详细地，提供一种如下的氮化硅膜蚀刻溶液及其制备方法，即，在氮化硅膜蚀刻溶液中，由化学式1表示的反式(trans)结构的化合物在蚀刻条件下增加与氧化硅膜的结合，从而可提高相对于氧化硅膜对氮化硅...

本发明涉及一种硅基板蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制造方法。本发明涉及硅基板蚀刻溶液，更详细地，涉及可通过调节硅基板蚀刻溶液中的硅烷化合物(硅)的浓度来在蚀刻硅烷化合物(硅)氮化膜时相对于硅氧化膜提高对硅氮化膜的蚀刻选择比的硅基板蚀刻溶液。

本发明涉及硅基板蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制造方法，更详细地，涉及通过调节硅基板蚀刻溶液中的硅烷化合物(例如，硅酸)的浓度来在蚀刻硅烷化合物(例如，硅酸)氮化膜时相对于硅氧化膜提高对硅氮化膜的蚀刻选择比的硅基板蚀刻溶液。

本发明涉及可连续执行碳黑形成及碳黑活化的装置及方法。根据本发明，为了活化在燃烧反应器中形成的碳黑，将碳黑重复回流至燃烧反应器，由此，可以确保用于充分活化碳黑的残留时间。