硅基板蚀刻溶液及利用其的半导体器件的制造方法技术

本发明专利技术涉及硅基板蚀刻溶液及利用其的半导体器件的制造方法，更具体地，涉及利用可通过调节硅基板蚀刻溶液中的硅烷化合物(硅)的浓度来提高蚀刻时的氮化硅膜与氧化硅膜的蚀刻选择比的硅基板蚀刻溶液以及包括利用其来执行蚀刻工序的步骤的半导体器件的制造方法。

Etching solution of silicon substrate and manufacturing method of semiconductor devices using it

【技术实现步骤摘要】
硅基板蚀刻溶液及利用其的半导体器件的制造方法
本专利技术涉及硅基板蚀刻溶液及利用其的半导体器件的制造方法，更具体地，涉及利用可通过调节硅基板蚀刻溶液中的硅烷化合物(硅)的浓度来提高蚀刻时的氮化硅膜与氧化硅膜的蚀刻选择比的硅基板蚀刻溶液以及包括利用硅基板蚀刻溶液执行蚀刻工序的步骤的半导体器件的制造方法。
技术介绍
目前，蚀刻氮化硅膜及氧化硅膜的方法有多种，而干式蚀刻法及湿式蚀刻法为主要使用方法。通常，干式蚀刻法作为利用气体的蚀刻法，具有各向同性优于湿式蚀刻法的优点，但是，由于干式蚀刻法的生产率远低于湿式蚀刻法且成本高，因此广泛使用湿式蚀刻法。通常，湿式蚀刻法为将磷酸作为蚀刻溶液来使用的方法，这是众所周知的。在这种情况下，当为了氮化硅膜的蚀刻而仅使用纯磷酸时，随着器件变得精细，不仅蚀刻氮化硅膜，而且还蚀刻氧化硅膜，从而可发生各种缺陷及图案异常的问题，因此有必要进一步降低氧化硅膜的蚀刻速率。
技术实现思路
专利技术所要解决的问题本专利技术的目的在于，提供可通过增加硅基板蚀刻溶液中的硅烷化合物(硅)的浓度来降本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅基板蚀刻溶液，其特征在于，/n包含：/n无机酸水溶液；以及/n由下述化学式1表示的硅添加剂，/n化学式1：

【技术特征摘要】
20181031 KR 10-2018-01318801.一种硅基板蚀刻溶液，其特征在于，
包含：
无机酸水溶液；以及
由下述化学式1表示的硅添加剂，
化学式1：
在上述化学式1中，
Z由下述化学式2表示：
化学式2：
X1及X2分别独立地为氧或硫，
R1至R4分别独立地选自氢、C1-C10烷基、C6-C12环烷基、包含至少一种杂原子的C2-C10杂烷基、C2-C10烯基、C2-C10炔基、C1-C10卤代烷基、C1-C10氨烷基、芳基、杂芳基、芳烷基、羟基、氨基、卤素、砜、膦、磷、巯基、烷氧基、酰胺、酯、酸酐、酰卤、氰基、羧基及唑，
Y1至Y4分别独立地选自氢、C1-C10烷基、C6-C12环烷基、包含至少一种杂原子的C2-C10杂烷基、C2-C10烯基、C2-C10炔基、C1-C10卤代烷基、C1-C10氨烷基、芳基、杂芳基、芳烷基、羟基、氨基、卤素、砜、膦、磷、巯基、烷氧基、酰胺、酯、酸酐、酰卤、氰基、羧基及唑，
n为1至5之间的整...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳浩成，金明炫，文暎善，李浚银，张平和，
申请(专利权)人：OCI有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR