NXP股份有限公司专利技术

NXP股份有限公司共有2775项专利

  • 在一种用于分配来自于应答器的数字数据(55a、55b)的方法中,在读取器(1)处接收第一信号(13),第一信号(13)包括来自于第一应答器(2)的第一信号分量(7)、以及来自于第二应答器(3)的第二信号分量(8)。在第一信号分量(7)中...
  • 本发明公开了一种防止音频信号限幅的方法和电路。该方法包括:确定频域中音频信号的最高幅度频率分量,然后减小这些最高幅度频率分量的幅度,直到音频信号的限幅电平下降到预定电平以下为止。
  • 一种在半导体器件中形成互连结构的方法,其中,在电介质层上沉积另一电介质层(66)之前,用诸如孔生材料之类的填充材料(64)填充在所述电介质层中限定的通孔(62)。在另一电介质层中形成沟槽(72),其后去除在通孔中暴露出的填充材料。该方法...
  • 本发明关注一种形成金属-绝缘体-金属电容器的方法,该电容器具有由电介质层隔开的顶板和底板,顶板和底板之一具有一种形状,该形状包括延伸到顶板和底板中另一个的对应空腔中的至少一个突起,该方法包括在基面上生长一个或多个纳米纤维的步骤。
  • 穿隧式晶体管包括与漏极扩散部分(6)的导电类型相反的源极扩散部分(4),从而在低掺杂区域(8)中的源极扩散部分和漏极扩散部分之间形成耗尽层。绝缘栅极(16)控制耗尽层的位置和厚度。该器件包括形成在积累层(20)中的量子阱,积累层(20)...
  • 用于生成用于在正交频分调制通信系统中传输的数据包的方法和设备,其中依据至少两个条件来在频域或时域中针对每个包生成前导序列,以节省功耗并在单个CMOS芯片中实现。
  • 本发明涉及一种闪光补偿系统,以及一种用于数字摄像机系统的相应方法,其中,当场景由闪光设备(2)发射的闪光照射时,基于由多个传感器(4、5)测量相应强度场,来对由图像传感器(1)拾取的场景(3)的图像执行亮度补偿。根据多个传感器的输出信号...
  • 一种半导体器件,具有在公共接触区(22)中互相电连接的图案化焊盘金属层和图案化凸块下金属化层。所述半导体器件包括用于确定在公共接触区(22)中的图案化焊盘金属层和图案化凸块下金属化层之间的接触电阻的第一测试结构(11)。所述第一测试结构...
  • 基带信号发生器(102a)向处理子单元(704p)提供极性信号(A,IP)。处理子单元(704p)还接收来自下变频单元(704c)的反馈信号,该反馈信号用于确定放大输出信号的幅度(B)和实际误差相位。将极性信号的幅度(A)和确定的幅度(...
  • 一种使用系统级芯片(SoC)架构来制造集成电路(700)的方法,所述方法包括:在第一同步岛(IoS)中提供第一电路(710);以及在第一IoS中的第一电路(710)与第二IoS中的硬核(720)之间提供源同步数据链路(755/757,7...
  • 一种布置在半导体衬底(1)上的基于多晶体管的非易失性存储单元(M1)包含至少一个存取晶体管(AT1;AT2;AT2’;AT2”)和至少一个存储晶体管(TM2a;TM2b;TM2c;TM2d)。所述至少一个存取晶体管是“常断”晶体管,并且...
  • 提供在各种操作条件下都一致并且使用低功率的参考电压。根据示例,从电源(例如,200中的vdd)产生内部温度补偿电压(例如,200中的vdd_int),从内部电压产生参考电压(例如,200中的vref)。参考电压存储在存储电路(例如,43...
  • 一种在半导体晶片上选择性形成硅化物的方法,其中在施加 SiProt掩膜(10,16,22)之前在整个晶片上沉积金属层(12),从 而对掩膜(10,16,22)的任何蚀刻都不会导致硅晶片的任何表面损伤。
  • 以缓解寄生短路的方式来切换电源。根据示例,控制电路(例如,310,320)使用主电源电压和备用电源电压中较高的电源电压来操作主电源和备用电源,以在电源之间切换。
  • 本发明涉及一种非易失性存储器件,其包括:输入端,用于提 供要被存储在非易失性存储器件上的外部数据(D1);第一非易失 性存储模块(100)和第二非易失性存储模块(200),第一非易失性 存储模块(100)和第二非易失性存储模块(200)...
  • 本发明涉及一种非易失性存储器装置,其包括:输入端,用于 提供将被存储在非易失性存储器装置中的外部数据(D);第一非易 失性存储器块(100)和第二非易失性存储器块(200),第一非易失 性存储器块(100)和第二非易失性存储器块(200...
  • 一种合并了MIPI D-PHY规范的移动装置具有用于在移动装置内的电子模块之间承载数据的数据通道。这些数据通道可以合并用于在双线接口上异步地接收数据信号的间隔独热方法。提供了双线接收接口,该双线接收端口采用同或门来采集伴随置位复位触发器...
  • 本发明涉及一种模拟存储器电路,即,采样和保持电路,其中,使用晶体管电路使开关晶体管的源极和栅极在采样过程之前和之后保持在相同的电位。模拟存储器电路包括存储电容器(102),存储电容器(102)的第一端连接至第一端口(104),第一端口连...
  • 使用一种PN相位恢复(PPR)方法来获取诸如DMB-T之类的系统中的PN序列相位同步。鲁棒地估计连续信号帧中基本PN序列位置的时间偏移量。通过具有适中计算复杂度的投票机制,基于在连续信号帧中测量的多个时间偏移量,来进行信号帧索引的精确判定。
  • 一种用于RFID应答器(20)的天线(1,41),所述天线包括: 第一天线臂(2,42)、第二天线臂(3,43)、和在第一连接处(15) 电连接至第一天线臂(2,42)并在第二连接处(16)电连接至第二 天线臂(3,43)的dc环路结构...