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NXP股份有限公司专利技术
NXP股份有限公司共有2775项专利
RF-IC封装方法及所获得的电路技术
典型地,今天的芯片包括多个电路以及多个电感器,通常是RF电感器。这些IC电感器对于实现许多完全集成的收发器芯片所需的压控振荡器是必需的,这些收发器芯片今天提供给市场,用于多无线通信协议。本发明涉及RF-IC封装方法,该封装方法实际上消除...
无源谐波抑制混频器制造技术
一种电子器件,包括无源谐波抑制混频器。该无源谐波抑制混频器具有连接至几个子混频级的输入端,并且子混频级连接至求和模块以产生输出。每一个子混频级包括选通模块和相应的放大器,该选通模块适于在控制信号的控制下选择性地传送输入信号或者反转极性的...
区分实际回波峰与混叠回波峰的方法技术
一种区分实际回波峰与混叠回波峰的方法,包括:计算数字数据的N个采样和该相同的N个采样的延迟了时间延迟Δ1,0的副本之间的相关,以获得第一相关结果,时间延迟Δ1,0等于估计信道脉冲响应的不同的第一和第二功率峰之间的时间间隔T,第一峰是时间...
在三维室内获取图像制造技术
本申请涉及在三维室内(4)获取图像。在室内(4),至少两个成像单元(2)的图像获取区域(6)在至少一个三维交叠框(8)内交叠。为了降低遮挡,提供了至少一个图像处理单元(10),被布置用于获得来自至少两个成像单元(2)的获取的图像,并用于...
LED封装和用于制造这种LED封装的方法技术
一种LED封装,包括LED管芯和存储器器件。所述存储器器件用于保持用于驱动所述LED管芯的LED数据信息。LED驱动器装置包括如上所述的LED封装、LED驱动器器件和微控制器。所述微控制器与所述存储器器件相连,以访问用于驱动所述LED管...
多处理器系统以及使多处理器系统的调试处理同步的方法技术方案
本发明涉及用于使具有多个处理器(2.1-2.3)的多处理器系统(1)的调试处理同步的方法和系统,该方法包括以下步骤:如果通过STOP信号(STOP#2.1-STOP#2.3)请求用于处理器(2.1-2.3)之一的调试处理,那么对其他处理...
通信系统以及用于操作通信系统的方法技术方案
本发明涉及一种通信系统(1),其包括用于在媒体访问控制子系统(3)和物理层(4)之间传送数据的数字接口(2),还包括集成在所述物理层(4)中的至少一个供应商指定寄存器(10.3),该供应商指定寄存器可被所述媒体访问控制子系统(3)访问来...
用于数据处理的电路结构和方法技术
本发明公开了用于数据处理的电路结构和方法。为了进一步发展通过加密或解密来处理数据以使其免受未授权访问的电路结构(100)以及方法,其中通过该方法,以使得任何存储部分被弹性配置为主存储器或冗余存储器的方式,在至少两个存储模块(10,12)...
滤波器追踪和控制方法技术
本发明提供了一种新的追踪和控制带通滤波器的谐振频率的方法,并提供了一种用于针对温度和工艺变化的灵敏度限制的解决方案。具体来讲,本发明提供了一种相位感应模块来获得输入和输出之间的相位差,提供了一种负反馈控制结构,所述负反馈控制结构可以被用...
测试静态随机存取存储器的方法技术
本发明公开了一种测试具有多个存储器单元的SRAM的方法。在第一步骤中将一个位值写入所测试的单元(CUT)。随后,断开第一选通晶体管和第二选通晶体管并将位线放电至低电位。然后,在预定时间段内保持连接至所测试的存储器单元的字线(WL)的激活...
数据符号的时间误差估计制造技术
本发明涉及一种用于估计宽带传输系统中的符号时间误差的方法和系统,该方法包括:使用每个接收到的符号中的预定周期,基于符号间相关性来确定数据符号流中的离散傅里叶变换模块(5)的输入信号的定时误差信号;选择符号的不同有用数据部分的多个样本作为...
MAC和PHY接口配置制造技术
根据本发明的示例实施例,实现了一种使用内部数据总线在媒体接入控制层(MAC)(100)和物理层(PHY)(150)之间发送内部符号集的方法,该内部数据总线用于在MAC(100)和PHY(150)之间发送数据。内部符号的子集不具有对应的P...
具有改进的ESD保护的半导体器件制造技术
本发明涉及一种半导体器件,包括具有小于100微米的厚度以及具有第一衬底侧和相对的第二衬底侧的半导体衬底(102)。在半导体衬底中限定具有小于20V的反向击穿电压的至少四个的多个单片集成齐纳二极管或雪崩二极管(164,166,168,17...
蚀刻步骤期间对电极的正确钻蚀的测试制造技术
描述衬底上的探针电极结构,该探针电极结构包括在一个层序列上的第一探针电极和相邻的第二探针电极,所述层序列在从所述衬底到探针电极的方向上通常包括导电底层、电绝缘中心层和导电顶层。本发明的探针电极结构提供了一种在蚀刻步骤中对第一探针电极的钻...
具有凸出电极的半导体元件和半导体组合装置制造方法及图纸
一种具有基板和基板上的凸出电极的半导体元件。凸出电极被构成为适合将半导体元件电连接和机械连接到外部基板。另外,凸出电极由凸出次电极的一维或二维阵列形成,这些凸出次电极被从基板表面开始的电绝缘流彼此分开。该半导体元件具有改进了的凸出电极。...
减小基片与基片上的凸出电极之间的应力制造技术
本发明涉及具有基片和凸出电极的半导体元件。凸出电极具有基片表面,其面向基片并且包括一个通过间隙与基片分离的第一基片表面部分。该间隙允许凸出电极相对基片发生应力补偿形变。凸出电极的基片表面还包括第二基片表面部分,其与基片具有固定的机械连接...
调光器抖动校正制造技术
本发明提供了用于控制针对具有快速响应行为的灯(例如,LED灯)的灯驱动器(例如,LED驱动器)的控制器和方法。该控制器和方法能够在使用传统调光器(例如,切相调光器)对灯进行调光时实质上降低或防止这种灯处的可见亮度闪烁。这可以通过预先关断...
具有带近场通信接口和第二接口两个接口的EEPROM的设备制造技术
一种通过在RF天线(12)或总线通信端口控制器接口(4)或它们二者之间进行通信来对RFID电路的读/写存储器进行编程的设备和方法。在外围设备(1)中,对EEPROM(6)、总线通信控制器接口(4)、NFC接口(8)、天线(12)和逻辑控...
用于自振荡D类系统的电子装置制造方法及图纸
本发明涉及一种电子装置,所述电子装置包括用于自振荡D类系统(100)的集成功率比较器电路(1)。所述集成功率比较器电路(1)具有调制级(10),其中所述调制级(10)包括用于将补偿信号(401)提供给所述调制级的补偿电路(40),确定该...
在体半导体晶片中制造局域化绝缘体上半导体(SOI)结构的方法技术
一种在衬底(10)中形成局域化SOI结构的方法,其中在衬底中形成沟槽(18),在沟槽(18)的基底上形成介电层(20)。通过外延生长,向沟槽(18)填充半导体材料(22)。
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