【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及穿隧式场效应晶体管和制造所述穿隧式场效应晶体 管的方法。
技术介绍
不使用穿隧效应的类型的传统的场效应晶体管是公知的。通常，这种晶体管可具有一种导电类型(都是高度掺杂的n型或都是高度掺 杂的p型)的由体区横向分开的扩散的源极扩散部分和漏极扩散部 分。体区上的绝缘栅极控制了紧靠在源极和漏极之间的栅极之下的沟 道的导通。一直期望减小这种传统晶体管的尺寸。然而，尽管近几十年来 在减小晶体管尺寸方面取得了很大成功，但是，仍然存在一些与进一 步减小晶体管尺寸相关的问题。尤其是，短沟道效应变得越来越严重。 源漏耗尽区突出到沟道，并且减弱了栅极对沟道施加的控制。当以源 极和漏极之间的高电压工作时，即，当工作在高纵场区域中时，这会 导致很大的亚阈值斜率的退化。这增大了关态电流。这样增大的关态电流具有两个缺点一一其降低了最大开关速 度，并且增大了泄漏电流，进而提高了静态功耗。由势垒上的热扩散电流表示关态电流。载流子的Fermi-Dirac分 布将亚阈值斜率限制为60Mv/decade的固有极限。因此，即使短沟道 效应可被完全控制和优化，物理上的60Mv/decade...
【技术保护点】
一种半导体器件，包括： 第一导电类型的源极扩散部分（４），其位于半导体器件的第一主表面（２４）处； 与第一导电类型相反的第二导电类型的漏极扩散部分（６），其在第一主表面（２４）处与源极扩散部分（４）横向隔开； 低掺杂区域（ ８），其位于第一主表面（２４）处的源极扩散部分（４）和漏极扩散部分（６）之间，该低掺杂区域（８）具有比源极扩散部分（４）和漏极扩散部分（６）低的掺杂浓度； 绝缘栅极（１６），其位于低掺杂区域（８）上的第一主表面（２４）上； 其中 ，该半导体器件包括第一主表面（２４）处由第一半导体材料制成的盖层（２２...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】EP 2006-10-5 06121784.01. 一种半导体器件，包括第一导电类型的源极扩散部分(4)，其位于半导体器件的第一主表面(24)处；与第一导电类型相反的第二导电类型的漏极扩散部分(6)，其在第一主表面(24)处与源极扩散部分(4)横向隔开；低掺杂区域(8)，其位于第一主表面(24)处的源极扩散部分(4)和漏极扩散部分(6)之间，该低掺杂区域(8)具有比源极扩散部分(4)和漏极扩散部分(6)低的掺杂浓度；绝缘栅极(16)，其位于低掺杂区域(8)上的第一主表面(24)上；其中，该半导体器件包括第一主表面(24)处由第一半导体材料制成的盖层(22)、形成于盖层(22)之下的由不同于第一半导体材料的第二半导体材料制成的积累层(20)、和位于积累层(20)之下的由不同于第二半导体材料的材料制成的底层(2)，以形成量子阱，该量子阱用于限制积累层(20)中的电子、空穴，或电子和空穴二者。2. 如权利要求1所述的半导体器件，其中，盖层(22)和底层(2)是硅制的，并且积累层(20)是硅锗制的。3. 如权利要求2所述的半导体器件，其中，积累层(20)被分级，其具有分子式Si^G^，其中x随着第一主表面下的深度改变。4. 如权利要求3所述的半导体器件，其中，x从积累层(20)和底层(2)间的界面处的O改变到积累层(20)和盖层(22)间的界面处的最大值。5. 如权利要求4所述的半导体器件，其中，x的最大值处在0.2至0.5的范围内。6. 如前述任一权利要求所述的半导体器件，其中，漏极扩散部分(6)从第一主表面(...
【专利技术属性】
技术研发人员：吉尔贝托库拉托拉，普拉巴特阿加瓦尔，扬W斯洛特布姆，戈德弗里丢斯AM胡尔克斯，拉杜苏尔代亚努，赫尔本多恩博斯，
申请(专利权)人：NXP股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]
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