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南昌大学专利技术
南昌大学共有11798项专利
一种用于水利工程的垃圾过滤装置制造方法及图纸
本实用新型公开了一种用于水利工程的垃圾过滤装置,包括水箱和垃圾残渣箱,水箱和垃圾残渣箱的顶部固定连接有水平设置的顶板,顶板上开设有两个流通孔,两个流通孔分别位于水箱和垃圾残渣箱的上方,两个流通孔分别与水箱和垃圾残渣箱连通,顶板的顶部转动...
基于物理层安全的无人机能效最大化资源分配方法组成比例
本发明公开了一种基于物理层安全技术的无人机能效最大化资源分配方案,实现了最大化地面用户的安全容量的目的。其实现步骤是:1.设置参数并对其初始化;2.在给定第i次迭代的飞行轨迹qi[n]基础上计算第n时刻相对应的发送功率Pi[n];3.根...
一种激光熔覆制备氧化石墨烯合金镁基表面耐磨层的方法技术
一种激光熔覆制备的氧化石墨烯合金镁基表面耐磨层的方法,在无水环境中,利用水热高压,并在氧化石墨烯自带官能团作用下吸附Ti离子,并在后期焙烧中得到锐钛型GO@TiO2(锐钛型)。所得粉末与细Fe粉、Al2O3颗粒、Si粉及丙三醇一定比例调...
一种氧化钛包覆氧化石墨烯/铝基复合材料表面激光熔覆的方法技术
一种氧化钛包覆氧化石墨烯/铝基复合材料表面激光熔覆的方法,在无水环境中,利用水热高压,并在氧化石墨烯自带官能团作用下吸附Ti离子,并在后期焙烧中得到锐钛型的GO@TiO2,所得粉末与Ti粉及丙三醇按一定比例调节混合得到胶黏态的混合粉末,...
一种氧化钛包覆氧化石墨烯/钢板表面的激光熔覆的方法技术
一种氧化钛包覆氧化石墨烯/钢板表面的激光熔覆的方法,在无水环境中,利用水热高压,并在氧化石墨烯自带官能团作用下吸附Ti离子,并在后期焙烧中得到锐钛型的GO@TiO2。所得粉末与Ti粉,Si粉以及余量的细铁粉与丙三醇一定比例调节混合得到胶...
一种提高钛基材料表面性能的方法技术
一种提高钛基材料表面性能的方法,在无水环境中,利用水热高压,并在GO自带官能团作用下吸附Ti离子,并在后期焙烧中得到GO@TiO2(锐钛型)。所得粉末与Ti粉,Si粉以及余量的细铁粉同丙三醇一定比例调节混合得到胶黏态的混合粉末。将钛板用...
一株具有缓解结肠炎功效的鼠李糖乳杆菌及其应用制造技术
一株具有缓解结肠炎功效的鼠李糖乳杆菌及其应用,菌株为鼠李糖乳杆菌Lactobacillus rhamnosus NCU2217,已于2018年4月9日保藏在中国微生物菌种保藏管理委员会普通微生物中心,地址:北京市朝阳区北辰西路1号院3号...
一株鼠李糖乳杆菌NCU2217制造技术
本发明提供一株鼠李糖乳杆菌NCU2217,已于2018年4月10日保藏在中国微生物菌种保藏管理委员会普通微生物中心,地址:北京市朝阳区北辰西路1号院3号,中国科学院微生物研究所,其简称为CGMCC,保藏编号为CGMCCNO15573,鼠...
一株嗜酸乳杆菌NCU426制造技术
一株嗜酸乳杆菌NCU426:所述嗜酸乳杆菌Lactobacillus acidophilus NCU426,已于2018年4月9日保藏在中国微生物菌种保藏管理委员会普通微生物中心,地址:北京市朝阳区北辰西路1号院3号,中国科学院微生物研...
一种谷壳灰基复合调湿材料及其制备方法技术
本发明属于建筑材料领域,具体涉及一种谷壳灰基复合调湿材料及其制备方法。所述调湿材料由谷壳灰、无机多孔矿物原料和无机改性掺合料按体积之比为(6~8):(3~5):1组成,所述无机改性掺合料,按重量百分比计包括:94%~96%钢铁厂矿渣、2...
一种气动打印制备陶瓷微球装置和方法制造方法及图纸
本发明涉及3D打印技术领域,尤其涉及一种气动打印制备陶瓷微球装置和方法。步骤一:将陶瓷粉体、交联剂、去离子水混合均匀形成浆料,并且各组分的质量百分比如下:陶瓷粉体5%‑50%,交联剂0.5%‑2%,其余为去离子水;步骤二:配制固化液,将...
一种电气自动化控制柜制造技术
本实用新型公开了一种电气自动化控制柜,包括外壳、封盖和操作按键保护盖,所述操作按键保护盖固定安装在外壳远离传动轴一侧壁上,所述操作按键保护盖内部设有滑轨,所述外壳的内腔设有干粉箱、PLC控制器、柜身和电源,所述干粉箱设在PLC控制器和电...
一种皮蛋腌制液制造技术
本发明提供一种皮蛋腌制液,按质量份配比为:食品级氢氧化钠3.5‑5.5份、食用盐3‑5.5份、水100‑120份、重金属化合物0.01‑0.2份、甘油0.1‑0.5份、红茶末0.6‑3.0份,本发明添加的甘油,便于重金属化合物的溶解,可...
一种卤皮蛋及其腌制方法技术
本发明涉及一种卤皮蛋及其腌制方法,腌制液包括以下腌制辅料和卤料:水、食品加工助剂、食用盐、生姜、花椒、八角、桂皮、香叶、小茴香、辣椒、草果、箬竹叶、薄荷、罗勒、阳春砂、辛夷、香砂、香果、香菜籽、肉蔻、排草、五加皮、决明子、甘草、丁香、白...
一种可增强空穴注入的发光二极管制造技术
本实用新型提供了一种可增强空穴注入的发光二极管,包括衬底,依次层叠于衬底之上的缓冲层、N型半导体层、有源区准备层、发光有源层和P型半导体层,所述有源区准备层包含若干个分布密度为1e
一种氮化物发光二极管结构制造技术
本实用新型提供了一种氮化物发光二极管结构,包括衬底,在衬底上设有缓冲层,在缓冲层上依次设有N型层、准备层、第一多量子阱层、第二多量子阱层、P型电子阻挡层和P型层,所述第一多量子阱层包括第一多量子阱层的量子阱和第一多量子阱层的量子垒;所述...
一种钝化进光层的局域发射极晶体硅双面太阳电池结构制造技术
一种钝化进光层的局域发射极晶体硅双面太阳电池结构,以n型晶体硅片作为基底,其发射极面分为发射极‑导电区域和钝化‑进光区域:发射极‑导电区域由基底向外依次由本征非晶硅钝化层、重掺杂p型非晶硅层、金属栅线I构成,钝化‑进光区域由基底向外依次...
一种具有局域发射极特性的Si基双面太阳电池结构制造技术
一种具有局域发射极特性的Si基双面太阳电池结构,以n型晶体硅片作为基底,发射极面分为发射极‑导电区域和钝化‑进光区域:前者由重掺杂p型晶体硅发射极层和金属栅线I构成;钝化‑进光区域由重掺杂n型晶体硅场钝化层I和钝化减反射层I构成;背电场...
一种钝化进光层的晶体硅双面太阳电池结构制造技术
一种钝化进光层的晶体硅双面太阳电池结构,以n型晶体硅片作为基底,其发射极面分为发射极‑导电区域和钝化‑进光区域:前者由基底向外依次由本征非晶硅钝化层、重掺杂p型非晶硅层、金属栅线I构成,后者由基底向外依次由TiO2I、钝化减反射层I构成...
一种进光区域无重掺杂层遮挡的异质结晶体硅双面太阳电池结构制造技术
一种进光区域无重掺杂层遮挡的异质结晶体硅双面太阳电池结构,以n型晶体硅片作为基底,发射极面分为发射极‑导电区域和钝化‑进光区域:发射极‑导电区域由基底向外依次由本征非晶硅钝化层、重掺杂p型非晶硅层、金属栅线I构成,钝化‑进光区域由钝化减...
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