一种钝化进光层的晶体硅双面太阳电池结构制造技术

一种钝化进光层的晶体硅双面太阳电池结构，以n型晶体硅片作为基底，其发射极面分为发射极‑导电区域和钝化‑进光区域：前者由基底向外依次由本征非晶硅钝化层、重掺杂p型非晶硅层、金属栅线I构成，后者由基底向外依次由TiO2I、钝化减反射层I构成；背电场面分为钝化‑进光区域和背电场‑导电区域：前者由基底向外依次为重掺杂晶体硅层或TiO2II、钝化减反射层II；后者由基底向外依次为本征非晶硅钝化层II、重掺杂n型非晶硅、金属栅线Ⅱ。本实用新型专利技术在保持晶体硅太阳电池双面进光的特性前提下，同时获得高开路电压和高短路电流的特性，最大程度的提高晶体硅太阳电池的发电能力。

【技术实现步骤摘要】
一种钝化进光层的晶体硅双面太阳电池结构
本技术属于太阳电池和半导体器件领域。涉及太阳电池的制备技术。
技术介绍
对于地面用太阳电池，双面进光的结构实际发电量高于同等标称功率的单面进光太阳电池的认识已经被行业普遍接受。目前主流的双面进光太阳电池均是以n型晶体硅片为基底的。一种是基于pn同质结结构的n-PERT结构，特点是短路电流大，开路电压低；另一类是以基于pn异质结结构的，以HIT结构为代表，特点是短路电流小，开路电压高。如何提高前者的开路电压和提高后者的短路电流一直是业内的难点，也是努力的方向。如能结合二者的特点，专利技术一种新的结构，同时获得高短路电流、高开路电压的优点，有望进一步提高双面晶体硅太阳电池的性能。南昌大学以前的一项专利技术是在此方向上的一个进步（中国专利技术专利，No.201510776929.8），其结构称为HAC-D结构，意思是该结构结合了HAC（heterojunctionofamorphoussiliconandcrystallinesilicon）异质结和扩散制备的同质结(Diffusedhomojunctionofcrystallinesilicon)）本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种钝化进光层的晶体硅双面太阳电池结构，其特征是以n型晶体硅片（6）作为基底，其发射极面分为发射极‑导电区域和钝化‑进光区域：发射极‑导电区域由基底向外依次由本征非晶硅钝化层（3）、重掺杂p型非晶硅层（2）、金属栅线I（1）构成，钝化‑进光区域由基底向外依次由TiO2I（5）、钝化减反射层I（4）构成，这两个区域交叉分布且不重叠；其背电场面结构分为钝化‑进光区域和背电场‑导电区域：钝化‑进光区域由基底向外依次为重掺杂晶体硅层或TiO2II（7）、钝化减反射层II（8）；背电场‑导电区域由基底向外依次为本征非晶硅钝化层II（9）、重掺杂n型非晶硅（10）、金属栅线Ⅱ（11），这两个区域交叉分...

【技术特征摘要】
1.一种钝化进光层的晶体硅双面太阳电池结构，其特征是以n型晶体硅片（6）作为基底，其发射极面分为发射极-导电区域和钝化-进光区域：发射极-导电区域由基底向外依次由本征非晶硅钝化层（3）、重掺杂p型非晶硅层（2）、金属栅线I（1）构成，钝化-进光区域由基底向外依次由TiO2I（5）、钝化减反射层I（4）构成，这两个区域交叉分布且不重叠；其背电场面结构分为钝化-进光区域和背电场-导电区域：钝化-进光区域由基底向外依次为重掺杂晶体硅层或TiO2II（7）、钝化减反射层II（8）；背电场-导电区域由基底向外依次为本征非晶硅钝化层II（9）、重掺杂n型非晶硅（10）、金属栅线Ⅱ（11），这两个区域交叉分布且不重叠。2.根据权利要求1所述的一种钝化进光层的晶体硅双面太阳电池结构，其特征是在金属栅线I（1）与...

【专利技术属性】
技术研发人员：高超，周浪，黄海宾，袁吉仁，岳之浩，
申请(专利权)人：南昌大学，
类型：新型
国别省市：江西,36