【技术实现步骤摘要】
一种AlGaN基MSM结构日盲型紫外探测器及其制备方法
本专利技术涉及光电传感器领域,具体涉及一种AlGaN基MSM结构日盲型紫外探测器及其制备方法。
技术介绍
紫外光在电磁波谱中的位置通常被定义为波长在100nm-400nm的区域,而太阳光中大约有10%的紫外光,在大气层中,波长范围小于280nm的紫外光会被吸收,因此紫外光波长在240-280nm的区域通常被称为“日盲”区域。“日盲”区域的紫外光受自然光的噪音干扰可以忽略不计,因此可以对此区域的紫外光充分利用。目前在通讯、预警等相关领域均有广泛应用,日盲型紫外探测器受到越来越多的关注,科研人员对相关的研究热度也一直很高。较为常见的紫外光探测器器件有金属-半导体-金属(MSM)结构、肖特基结构、光电导型结构和p-i-n型结构,本专利技术制备了一种AlGaN基MSM结构日盲紫外探测器,具有制作简单、响应速度快等优点,同时,本专利技术也为日盲紫外光电探测器的研究和探索提供理论依据和技术支持。
技术实现思路
为了提供性能优异、质量好的AlGaN基MSM结构日盲型紫外探测器,一种AlGaN基MSM结构日盲型紫外探测器,包括:图形化蓝宝石衬底、ZnO缓冲层、非故意掺杂Al0.3Ga0.7N光吸收层、第一Ni/Au叉指电极、第二Ni/Au叉指电极,所述ZnO缓冲层位于图形化蓝宝石衬底上,且面积与图形化蓝宝石衬底相同,所述非故意掺杂Al0.3Ga0.7N光吸收层位于ZnO缓冲层上方,所述第一Ni/Au叉指电极位于非故意掺杂Al0.3Ga0.7N光吸收层上方,所述第二Ni/Au叉指电极位于图形化蓝宝石衬底上方,且与ZnO缓冲 ...
【技术保护点】
1.一种AlGaN基MSM结构日盲型紫外探测器,其特征在于:包括图形化蓝宝石衬底(1)、ZnO缓冲层(2)、非故意掺杂Al0.3Ga0.7N光吸收层(3)、第一Ni/Au叉指电极(4)、第二Ni/Au叉指电极(5),所述ZnO缓冲层(2)位于图形化蓝宝石衬底(1)上,所述非故意掺杂Al0.3Ga0.7N光吸收层(3)位于ZnO缓冲层(2)上方,所述第一Ni/Au叉指电极(4)位于非故意掺杂Al0.3Ga0.7N光吸收层(3)上方,所述第二Ni/Au叉指电极(5)位于图形化蓝宝石衬底(1)上方,且与ZnO缓冲层(2)平行布置。
【技术特征摘要】
1.一种AlGaN基MSM结构日盲型紫外探测器,其特征在于:包括图形化蓝宝石衬底(1)、ZnO缓冲层(2)、非故意掺杂Al0.3Ga0.7N光吸收层(3)、第一Ni/Au叉指电极(4)、第二Ni/Au叉指电极(5),所述ZnO缓冲层(2)位于图形化蓝宝石衬底(1)上,所述非故意掺杂Al0.3Ga0.7N光吸收层(3)位于ZnO缓冲层(2)上方,所述第一Ni/Au叉指电极(4)位于非故意掺杂Al0.3Ga0.7N光吸收层(3)上方,所述第二Ni/Au叉指电极(5)位于图形化蓝宝石衬底(1)上方,且与ZnO缓冲层(2)平行布置。2.如权利要求1所述一种AlGaN基MSM结构日盲型紫外探测器,其特征在于,所述ZnO缓冲层(2)厚度为0.1μm。3.如权利要求1或2所述一种AlGaN基MSM结构日盲型紫外探测器,其特征在于,所述ZnO缓冲层(2)面积与图形化蓝宝石衬底(1)面积相同。4.如权利要求1所述一种AlGaN基MSM结构日盲型紫外探测器,其特征在于,所述非故意掺杂Al0.3Ga0.7N光吸收层厚度为0.1μm。5.如权利要求1所述一种AlGaN基MS...
【专利技术属性】
技术研发人员:陆海,周东,渠凯军,
申请(专利权)人:镇江镓芯光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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