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一种钝化进光层的晶体硅双面太阳电池结构，以n型晶体硅片作为基底，其发射极面分为发射极‑导电区域和钝化‑进光区域：前者由基底向外依次由本征非晶硅钝化层、重掺杂p型非晶硅层、金属栅线I构成，后者由基底向外依次由TiO2I、钝化减反射层I构成；背...
该专利属于南昌大学所有，仅供学习研究参考，未经过南昌大学授权不得商用。

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