A double-sided heterojunction silicon solar cell structure with n-type crystal silicon wafer as its base is presented. The emitter surface is divided into emitter, conductive region and passivation region. The emitter and conductive region are composed of intrinsic amorphous silicon passivation layer, heavily doped p-type amorphous silicon layer and metal grating I in turn from the base to the outside. The passivation region is reduced by passivation. The reflective layer I is composed of passivation conductive region: passivation 1089 The utility model can obtain the characteristics of high open-circuit voltage and short-circuit current while maintaining the characteristics of double-sided light input of crystal silicon solar cells, so as to maximize the power generation capacity of crystal silicon solar cells.
【技术实现步骤摘要】
一种进光区域无重掺杂层遮挡的异质结晶体硅双面太阳电池结构
本技术属于太阳电池领域和半导体器件领域。涉及太阳电池的制备技术。
技术介绍
对于晶体硅异质结太阳电池,其通常结构为在n型制绒晶体硅衬底上,一面为本征非晶硅钝化层、p型非晶硅发射极层、TCO透明导电薄膜、银栅线,另外一面为本征非晶硅钝化层、n型非晶硅发射极层、TCO透明导电薄膜、银栅线的结构。该结构的太阳电池的优点是开路电压高,缺点是TCO层和本征及掺杂非晶硅层造成很大的光吸收损耗,尤其是非晶硅层,导致该类太阳电池的短路电流一直不高。如何通过器件结构设计和制备技术的提高来提高该类太阳电池的短路电流是其性能提升的一个重要方向。另外,该结构太阳电池所用TCO材料的一种主要元素是铟,其在地球上储量很少,价格很高,是导致该太阳电池的成本很高的主要因素之一,所以降低TCO的用量也是该结构太阳电池改进的一个重要方向。
技术实现思路
本技术的目的是提出一种进光区域无重掺杂层遮挡的异质结晶体硅双面太阳电池结构,通过提高晶体硅异质结太阳电池的短路电流,进一步提高晶体硅双面太阳电池的发电效率;减少贵重原材料的消耗。本技术是通过以下技术方案实现的。本技术所述的一种进光区域无重掺杂层遮挡的异质结晶体硅双面太阳电池结构,以n型晶体硅片(5)作为基底,其发射极面分为发射极-导电区域和钝化-进光区域:发射极-导电区域由基底向外依次由本征非晶硅钝化层(3)、重掺杂p型非晶硅层(2)、金属栅线I(1)构成,钝化-进光区域由钝化减反射层I(4)构成,这两个区域交叉分布且不重叠。为提高金属栅线I(1)与重掺杂p型非晶硅层(2)之间的接触导电性,优 ...
【技术保护点】
1.一种进光区域无重掺杂层遮挡的异质结晶体硅双面太阳电池结构,其特征是以n型晶体硅片(5)作为基底,其发射极面分为发射极‑导电区域和钝化‑进光区域:发射极‑导电区域由基底向外依次由本征非晶硅钝化层(3)、重掺杂p型非晶硅层(2)、金属栅线I(1)构成,钝化‑进光区域由钝化减反射层I(4)构成,这两个区域交叉分布且不重叠;其背电场面分为钝化‑进光区域和背电场‑导电区域:钝化‑进光区域由基底向外依次为重掺杂n型晶体硅层II(6)、钝化减反射层II(7);背电场‑导电区域由基底向外依次为重掺杂n型晶体硅层II(6)、金属栅线II(8),这两个区域交叉分布且不重叠。
【技术特征摘要】
1.一种进光区域无重掺杂层遮挡的异质结晶体硅双面太阳电池结构,其特征是以n型晶体硅片(5)作为基底,其发射极面分为发射极-导电区域和钝化-进光区域:发射极-导电区域由基底向外依次由本征非晶硅钝化层(3)、重掺杂p型非晶硅层(2)、金属栅线I(1)构成,钝化-进光区域由钝化减反射层I(4)构成,这两个区域交叉分布且不重叠;其背电场面分为钝化-进光区域和背电场-导电区域:钝化-进光区域由基底向外依次为重掺杂n型晶体硅层II(6)、钝化减反射层II(7);背电场-导电区域由基底向外依次为重掺杂n型晶体硅层II(6)、金属栅线II(8),这两个区域交叉分布且不重叠。...
【专利技术属性】
技术研发人员:岳之浩,周浪,黄海宾,袁吉仁,高超,
申请(专利权)人:南昌大学,
类型:新型
国别省市:江西,36
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