【技术实现步骤摘要】
薄膜太阳能电池及薄膜太阳能电池的制备方法
本专利技术涉及太阳能电池领域,尤其是涉及一种薄膜太阳能电池及薄膜太阳能电池的制备方法。
技术介绍
随着工业的快速发展,严峻的能源和环境问题日趋严重,太阳能利用成为各国特别是发展中国家研究的热点。太阳能的光电转换是太阳能利用中发展迅速及前景比较乐观的技术之一,其安全可靠、无污染、资源取之不尽、建设周期短以及使用寿命长。薄膜太阳能电池,相较于晶硅及非晶硅电池而言,电池材料用量少,生产流程短,更易于降低生产成本,现在已经进行产业化大规模生产。薄膜太阳能电池包括基底和设置在基底上方的背电极层,在薄膜太阳能电池的制备过程中,通常首先准备基底,然后在基底的上表面设置背电极层,再在背电极层的上方进行其他后续工艺,最终完成对薄膜太阳能电池的整体制备。现有技术中使用的太阳能基底通常含有碱性元素,在后续工艺包括磁控溅射等涉及到高温操作的情况下,碱性元素非常容易扩散至背电极层的上方对后续工艺造成影响,从而使电池组件在进行薄膜太阳能电池标准规范测试标准IEC61215:2016时,由于碱性元素的问题造成电势诱导衰减效应,即PID效应,最终难以通过 ...
【技术保护点】
1.一种薄膜太阳能电池,其特征在于,所述薄膜太阳能电池包括基底、背电极层和阻挡层,所述阻挡层位于所述基底和所述背电极层之间,用于阻挡碱性元素自所述基底向所述背电极层迁移。
【技术特征摘要】
1.一种薄膜太阳能电池,其特征在于,所述薄膜太阳能电池包括基底、背电极层和阻挡层,所述阻挡层位于所述基底和所述背电极层之间,用于阻挡碱性元素自所述基底向所述背电极层迁移。2.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池,其特征在于,所述阻挡层包括氮氧化硅层和/或氮化硅层。3.根据权利要求1或2所述的薄膜太阳能电池,其特征在于,所述阻挡层的厚度大于等于30nm且小于等于200nm。4.根据权利要求1或2所述的薄膜太阳能电池,其特征在于,所述阻挡层的折射率大于等于1.95且小于等于2.15。5.根据权利要求1或2所述的薄膜太阳能电池,其特征在于,所述基底为搪瓷钢基底,所述搪瓷钢基底包括依次层叠设置的下搪瓷涂层、中间钢体层以及上搪瓷涂层,其中,所述中间钢体层包括铁素不锈钢层或低碳钢层。6.根据权利要求5所述的薄膜太阳能电池,其特征在于,所述上搪瓷涂层和所述下搪瓷涂层为同一...
【专利技术属性】
技术研发人员:聂曼,杨立红,
申请(专利权)人:北京铂阳顶荣光伏科技有限公司,
类型:发明
国别省市:北京,11
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