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一种进光区域无重掺杂层遮挡的异质结晶体硅双面太阳电池结构，以n型晶体硅片作为基底，发射极面分为发射极‑导电区域和钝化‑进光区域：发射极‑导电区域由基底向外依次由本征非晶硅钝化层、重掺杂p型非晶硅层、金属栅线I构成，钝化‑进光区域由钝化减反射...
该专利属于南昌大学所有，仅供学习研究参考，未经过南昌大学授权不得商用。

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