一种具有局域发射极特性的Si基双面太阳电池结构制造技术

一种具有局域发射极特性的Si基双面太阳电池结构，以n型晶体硅片作为基底，发射极面分为发射极‑导电区域和钝化‑进光区域：前者由重掺杂p型晶体硅发射极层和金属栅线I构成；钝化‑进光区域由重掺杂n型晶体硅场钝化层I和钝化减反射层I构成；背电场面分为钝化‑进光区域和背电场‑导电区域：前者由重掺杂晶体硅层、钝化减反射层II构成；后者由重掺杂晶体硅、金属栅线II构成。本实用新型专利技术在保持晶体硅太阳电池双面进光特性的前提下，获得了更高开路电压和短路电流，最大程度的提高晶体硅太阳电池的发电能力。

A Si-based Double-sided Solar Cell Structure with Local Emitter Characteristics

A silicon-based double-sided solar cell structure with local emitter characteristics is presented. The emitter surface is divided into emitter, conductive region and passivation region: the former consists of heavily doped p-type crystal silicon emitter layer and metal gate I; the passivation and entry region is composed of heavily doped n-type crystal silicon field passivation layer I and passivation antireflection layer I; the back electric field surface is divided into two parts. Passivation Inlet and Back Electric Field Conductive Region: The former consists of heavily doped crystal silicon layer and passivated antireflective layer II; the latter consists of heavily doped crystal silicon and metal gate II. The utility model achieves higher open-circuit voltage and short-circuit current, and maximizes the power generation capacity of the crystal silicon solar cell, while maintaining the double-sided light intake characteristics of the crystal silicon solar cell.

【技术实现步骤摘要】
一种具有局域发射极特性的Si基双面太阳电池结构
本技术属于太阳电池领域和半导体器件领域。涉及太阳电池的制备技术。
技术介绍
对于双面晶体硅太阳电池，PERT结构因为其与现有扩散制结的晶体硅产线的兼容性好，效率比较高一直受到太阳电池行业内的重点关注。但该结构的太阳电池的发展目前遇到了瓶颈，其中关键之一在于硼扩散形成的发射极层的性能以及其制备技术。为了达到更高的开路电压硼掺杂浓度一定要高，但这又会带来载流子复合的增加。而且硼掺杂层中载流子的横向传输损耗所需要的低方阻与达到这一条件所需要的提高硼掺杂浓度（会造成复合损耗的增加）的技术改进方向是相互矛盾的。如何解决这一矛盾对PERT技术的发展至关重要，我们认为从器件结构的设计上入手可能是一个有效的突破口。本技术即是在这个方向上的一个努力尝试。
技术实现思路
本技术是通过以下技术方案实现的。本技术所述的一种具有局域发射极特性的Si基双面太阳电池结构，以n型晶体硅片（5）作为基底，其发射极面分为发射极-导电区域和钝化-进光区域：发射极-导电区域由基底向外依次由重掺杂p型晶体硅发射极层（2）和金属栅线I（1）构成，其中重掺杂p型晶体硅发射极层（2）开槽较小本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有局域发射极特性的Si基双面太阳电池结构，其特征是以n型晶体硅片（5）作为基底，其发射极面分为发射极‑导电区域和钝化‑进光区域：发射极‑导电区域由基底向外依次由重掺杂p型晶体硅发射极层（2）和金属栅线I（1）构成，其中重掺杂p型晶体硅发射极层（2）开槽小，金属栅线I（1）开槽大，金属栅线I（1）与n型晶体硅片（5）之间没有重掺杂p型晶体硅发射极层（2）的区域为钝化减反射层I（3）；钝化‑进光区域由基底向外依次由重掺杂n型晶体硅场钝化层I（4）和钝化减反射层I（3）构成，这两个区域交叉分布且不重叠；其背电场面结构分为钝化‑进光区域和背电场‑导电区域：钝化‑进光区域由基底向外依次为重掺杂...

【技术特征摘要】
1.一种具有局域发射极特性的Si基双面太阳电池结构，其特征是以n型晶体硅片（5）作为基底，其发射极面分为发射极-导电区域和钝化-进光区域：发射极-导电区域由基底向外依次由重掺杂p型晶体硅发射极层（2）和金属栅线I（1）构成，其中重掺杂p型晶体硅发射极层（2）开槽小，金属栅线I（1）开槽大，金属栅线I（1）与n型晶体硅片（5）之间没有重掺杂p型晶体硅发射极层（2）的区域为钝化减反射层I（3）；钝化-进光区域由基底向外依次由重掺杂n型晶体硅场钝化层I（4）和钝化减反射层I（3）构成，这两个区域交叉分布且不重叠；其背电场面结构分为钝化-进光区域和背电场-导电区域：钝化-进光区域由基底向外依次为重掺杂晶体硅层（6）、钝化减反射层II（7）；背电场-导电区域由基底向外依次为重掺杂晶体硅层（8）、金属栅线II（9），其中重掺杂晶体硅层（8）开槽小，金属栅线II（9）开槽大，金属栅线II（9）与n型晶体硅片（5）之间没有重掺杂晶体硅层（8）的区域为钝化减反射层II（7），这两个区域交叉分布且不重叠。2.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁吉仁，周浪，黄海宾，高超，岳之浩，
申请(专利权)人：南昌大学，
类型：新型
国别省市：江西,36