本发明涉及通过气相渗透将挥发性磷光体结合到反蛋白石多孔体系的工艺，并涉及相应的发光物。

本发明涉及一种ＯＬＥＤ，其至少具有基底、具有至少一个导线的（第一）电极、至少一个有机发光层和具有至少一个导线的（第二）电极，其中至少所述基底和所述（第一）电极，所述（第二）电极，或者所述基底、所述（第一）电极和所述（第二）电极是透明的，...

本发明涉及包括茚并芴单元或其衍生物的聚合物，涉及包括它们的有机半导体（ＯＳＣ）材料，涉及它们在电子或光电装置中的用途，以及涉及包括所述聚合物或材料的器件。

本发明涉及发光器件和新颖的发光体材料以及发光体体系，并且特别涉及有机发光器件（ＯＬＥＤｓ）。特别是，本发明涉及发光的络合物作为发光体在这些器件中的应用。

本发明涉及在太阳能电池多晶、三晶以及单晶硅表面上或用于光电目的的硅衬底上制造粗糙表面的新颖方法。本发明特别涉及在硅衬底上制造粗糙表面的蚀刻方法和蚀刻剂。

本发明涉及有机半导体在至少两种不同有机溶剂的溶剂混合物中形成的溶液或分散液，其特征在于：Ａ．各溶剂各自的沸点均低于２００℃且熔点为１５℃或更低，Ｂ．溶剂中至少有一种的沸点范围为大于１４０℃至低于２００℃，Ｃ．所用溶剂没有苄基的ＣＨ↓［２...

本发明涉及作为磷光发射体的新型有机金属化合物，这类化合物可以作为活性组分（＝功能材料）用于一系列不同类型的应用场合，这种应用在最宽的意义上可以分类到电子工业中。本发明的化合物通过式（Ⅰ）、（Ⅰａ）、（Ⅱ）、（Ⅱａ）、（Ⅴ）、（Ⅶ）、（Ⅸ...

本发明涉及一种制备不含颗粒的高分子半导体溶液的方法以及它们在制备高分子半导体层方面的应用，所述高分子半导体用于高分子有机发光二极管（ＰＬＥＤ）、有机集成电路（Ｏ－ＩＣ）、有机场效应晶体管（ＯＦＥＴ）、有机薄膜晶体管（ＯＴＦＴ）、有机太阳...

本发明涉及硼和铝化合物在电子学中的应用，特别是作为电子输运材料、作为发射层主体材料和作为空穴阻断材料在磷光ＯＬＥＤ中的应用，并且涉及在磷光ＯＬＥＤ中由之制造的各层。

本发明涉及相变材料在用于冷却的装置，尤其是电气和电子元件中的应用。

本发明描述作为磷光发射体的新型有机金属化合物，这类化合物可以作为活性组分（＝功能材料）用于一系列不同类型的应用场合，这种应用在最广的意义上可以分类到电子工业中。本发明的化合物通过式（Ⅰ）、（Ⅰａ）、（Ⅱ）、（Ⅱａ）得以描述。

本发明涉及用于全表面或选择性蚀刻硅表面和层的蚀刻糊形式的新型蚀刻介质及其用途。

本发明涉及新的半导体聚合物，其制造方法及其在薄膜电子和光学器件中的应用，例如有机发光二极管（ＯＬＥＤ）和光电器件，如太阳能电池和光电探测器。

本发明涉及一种方法，其中加入某种除了氢以外还有另外取代基、且其上两个甲基的至少一个带有离去基团的双（甲基）芳基化合物，在聚（亚芳基亚乙烯基）合成中可重复地控制分子量，而且可以通过ＧＩＬＣＨ聚合或者亚磺酰前体途径实现，本发明也涉及一种通过...

本发明涉及包括式（Ⅰ）的新结构单元的共轭聚合物。本发明的材料当用于聚合物有机发光二极管中时可以提高效率并且使用寿命更长。

令人惊讶的是，目前发现，如果在导电掺杂聚合物及有机半导体层之间，引入至少一个可交联的聚合物缓冲层，优选阳离子可交联的聚合物缓冲层，可以显著改进电子器件的电子性能。在热引发即通过使温度增加到５０－２５０℃交联的缓冲层的情况下，得到特别良好...

本发明涉及对有机电致发光器件的改进，其包括掺杂有至少一种磷光发光体的某种基质材料，其特征在于，基质中的发光体掺杂区，在与基质层成直角的方向上，仅在部分基质层中延伸。

本发明涉及有机电致磷光器件的改进，其特征在于由基质材料组成的发光层与导电层直接相邻，其中基质材料掺杂有至少一种磷光发光体。

一种任选取代的低聚物或者聚合物，包括通式（Ⅰ）的重复单元；其中每一个Ａｒ↑［１］和Ａｒ↑［３］是相同或者不同的，独立表示任选取代的芳基或者杂芳基；ｎ至少是１；Ａｒ↑［２］表示包括两个氮原子都与其直接连接的连接环的任选取代的芳基或者杂芳基...

本发明描述一种电致发光元件，包括阴极和阳极和至少一个发光层，其中该发光层包括至少一种含特定元素的基质材料Ａ和至少一个从三重态发光的发光体层Ｂ。