【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】在商业产品或者正准备投放市场的商业产品中更频繁使用包括有机、有机金属和/或聚合物半导体的电子器件。本专利技术中可以提及的例子是用于复印机、和显示器件的有机或者聚合物发光二极管(OLEDs或者PLEDs)中的基于有机的电荷传递材料(通常是基于三芳胺的空穴传输)。有机太阳能电池(O-SCs)、有机场效应晶体管(O-FETs)、有机薄膜晶体管(O-TFTs)、有机集成电路(O-ICs)、有机光放大器或者有机激光器二极管(O-lasers)的研究阶段工作进展良好，将来可以实现至关重要的突破。不管应用场合，这些器件中有许多具有以下一般的层状结构，所述的层状结构与各自的应用场合相应地匹配(1)基材(2)电极，常常为金属或者无机的，也可为有机或者聚合物导电材料(3)电荷注入层，或者用于矫正电极不均匀性的中间层(“平面化层”)，常常为导电的掺杂聚合物(4)有机半导体(5)任选的绝缘层(6)第二电极，材料如(2)中所述(7)线路(8)封装。这些有机器件中许多都具有以下优点，尤其是基于聚合半导体的那些，它们可以从溶液中生产，与通常使用低分子量化合物的真空处理相比，这涉及不太复杂的技术性...
【技术保护点】
一种包括阴极、阳极、至少一个导电掺杂聚合物层及至少一个有机半导体层的有机电子器件，特征在于，在掺杂聚合物及有机半导体之间，引入至少一个导电的或半导体的可交联的聚合缓冲层。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】DE 2003-9-4 103 40 711.11.一种包括阴极、阳极、至少一个导电掺杂聚合物层及至少一个有机半导体层的有机电子器件，特征在于，在掺杂聚合物及有机半导体之间，引入至少一个导电的或半导体的可交联的聚合缓冲层。2.如权利要求1的有机电子器件，特征在于，它是有机或者聚合物发光二极管(OLED，PLED)、有机太阳能电池(O-SC)、有机场效应晶体管(O-FET)、有机薄膜晶体管(O-TFT)、有机集成电路(O-IC)、有机场淬熄(field-quench)元件(FQD)、有机光放大器或者有机激光器二极管(O-激光)。3.如权利要求1和/或2的有机电子器件，特征在于所用的导电掺杂聚合物是聚噻吩衍生物或者聚苯胺衍生物，所述掺杂通过聚合物结合的酸或者通过氧化剂进行。4.如权利要求1-3一项或多项的有机电子器件，特征在于所述有机半导体包括至少一种聚合物化合物。5.如权利要求4的有机电子器件，特征在于所述聚合物化合物是共轭聚合物。6.如权利要求5的有机电子器件，特征在于所用的有机半导体是选自聚对亚苯基亚乙烯基(PPVs)、聚芴、聚螺二芴、聚二氢菲、聚茚并芴、在最广义上基于聚对亚苯基的体系(PPPs)及这些结构衍生物的共轭聚合物。7.如权利要求1-6一项或多项的有机电子器件，特征在于所述有机半导体通过印刷方法施加。8.如权利要求1-7一项或多项的有机电子器件，特征在于所述可交联的聚合物缓冲层的分子量在交联之前为50-500kg/mol。9.如权利要求1-8一项或多项的有机电子器件，特征在于所述可交联的聚合物缓冲层通过印刷方法施加，特别是通过喷墨印刷施加。10.如权利要求1-9一项或多项的有机电子器件，特征在于所述可交联的聚合物缓冲层的层厚度为1-300纳米。11.如权利要求1-10一项或多项的有机电子器件，特征在于所述缓冲层由共轭聚合物构成。12.如权利要求1-11一项或多项的有机电子器件，特征在于所述缓冲层材料是三芳胺、噻吩、三芳基膦聚合物或者这些体系的组合物。13.如权利要求1-12一项或多项的有机电子器件，特征在于所述缓冲层材料是三芳胺、噻吩和/或三芳基膦衍生物与芴、螺二芴、二氢菲和/或茚并芴的共聚物。14.如权利要求1-13一项或多项的有机电子器件，特征在于所述缓冲层是阳离子可交联的。15.如权利要求14的有机电子器件，特征在于所述可交联的基团选自富电子烯烃衍生物、杂原子或者杂基团的异核多重键或者包含杂原子的能进行阳离子开环聚合反应的环。16.如权利要求15的有机...
【专利技术属性】
技术研发人员：大卫克里斯托夫穆勒，尼娜雷克富斯，克劳斯梅尔霍尔茨，弗兰克梅耶尔，勒内朔伊里奇，奥雷莉法尔库，
申请(专利权)人：默克专利有限公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]
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