美台高科上海微电子有限公司专利技术

美台高科上海微电子有限公司共有25项专利

  • 本发明涉及ESD仿真技术领域,公开了一种ESD仿真方法,包括以下工作步骤:第一步:建立电子元件和环境的几何模型;其中电子元件的几何模型包括但不限于导体元件、绝缘层和连接线,环境的几何模型包括但不限于空气环境和封装材料;第二步:分析材料的...
  • 本发明涉及二极管技术领域,且公开了一种双向TVS二极管结构,该双向TVS二极管结构,包括二极管本体,所述二极管本体的端部固定安装有连接套,所述二极管本体的端部固定安装有连接芯,所述连接套的内部设置有锁紧连接机构。为了保证外部电路线插入后...
  • 本发明公开了一种静电保护的ESD封装结构,包括封装台、静电防护罩和导热机构,所述封装台通过转动连接件与封板连接,且封板远离转动连接件的一侧底部连接有凸块,且凸块卡合在顶槽的内部,所述顶槽开设在封装台上,且封装台的侧壁上连接有翻转开合机构...
  • 本实用新型公开了一种具有保护结构的低压差线性稳压器,包括放置板和绝缘插槽,所述放置板上设置有稳压器主体,所述放置板上通过调节组件活动连接有固定板,所述连接螺杆上端活动连接有压板,所述放置板上端两侧活动卡接有固定保护板,所述固定保护板侧面...
  • 本实用新型公开了一种具有引脚保护结构的MOS管,包括管体和引脚,所述管体侧面通过活动卡接件连接有固定保护板,所述固定保护板侧面活动连接有延长保护板,所述固定保护板和延长保护板上设置有保护通孔,所述保护通孔侧壁上通过弹性件连接有夹持板,所...
  • 本实用新型公开了一种新型降噪低压差线性稳压器,包括外设有降噪罩的线性稳压器本体,所述线性稳压器本体左右两侧分别设有固定片、引脚,所述降噪罩包括分别活动套设于线性稳压器本体两侧降噪盖一、降噪盖二,所述降噪盖一、降噪盖二相互靠近一侧设有互相...
  • 本实用新型公开了一种具有针脚隔绝结构的小电流过压保护芯片,包括两侧分别设有接线针脚的芯片本体,所述芯片本体外侧覆盖有柔性的导热罩,所述导热罩两端存在间隙并通过快拆件连接,且所述快拆件位于芯片本体底部,所述导热罩上下两侧内壁均匀设有与芯片...
  • 本实用新型公开了一种TVS二极管表层钝化结构,包括设置在二极管台面造型区的防护机构,所述防护机构包括由内至外的衬层、玻璃层、PI膜层、内氧化铝层、中间钝化膜层和外氧化铝层。采用上述技术方案制成了一种TVS二极管表层钝化结构,通过内氧化铝...
  • 本实用新型公开了一种具有静电防护功能的MOS管,包括MOS管壳体,所述MOS管壳体外侧设有防静电膜,所述MOS管壳体内设有G端引脚,所述G端引脚一侧设有S端引脚,所述G端引脚上方设有D端引脚,所述G端引脚、S端引脚以及D端引脚上均设有接...
  • 本实用新型公开了一种防尘贴片TVS二极管,包括瞬态二极管芯片和壳体,所述壳体包括上壳和下壳,所述上壳内侧通过连接臂固定连接有卡勾头,所述下壳上端内侧固定连接有连接板,所述连接板上设置有卡接孔,所述顶盖上设置有上散热孔,所述下壳底端设置有...
  • 本实用新型公开了一种具有线圈固定结构的共模电感,包括底板,所述底板上方中部设有支撑块,所述支撑块上方设有防护壳,所述防护壳内设有磁芯,所述磁芯外侧缠绕有线圈,所述防护壳内壁开设有与线圈相匹配的限位槽,所述防护壳上设有盖板,所述防护壳靠近...
  • 本实用新型公开了一种瞬态电压抑制二极管引脚固定结构,包括二极管本体和引脚,所述二极管本体两端卡接有连接套筒,所述连接套筒的截面为正多边形,所述连接套筒侧面卡接有延长板,所述连接套筒相互远离的侧面上固定连接有固定套筒,所述固定套筒上等间距...
  • 本实用新型公开了一种ESD封装压膜稳定装置,包括底板,所述底板顶部通过导柱活动连接有下模仓和上模仓,所述上模仓下侧设置有压板,所述上模仓顶部的导热板内矩形分布有零件的成型腔,所述下模仓两侧通道内对应卡设有防护罩,所述防护罩侧壁垂直设置有...
  • 本实用新型公开了一种TVS二极管,包括二极管本体,所述二极管本体包括半导体衬底,所述半导体衬底上形成有多个第一P阱,多个所述第一P阱纵向排列,每个所述第一P阱中设置有多个N+注入区和P+注入区;在多个所述第一P阱的一侧形成有多个横向排列...
  • 本实用新型公开了一种瞬态电压抑制二极管,包括二极管本体,所述二极管本体包括半导体衬底,所述半导体衬底上形成有两个第一P阱,每个所述第一P阱中设置有多个N+注入区和P+注入区;在两个所述第一P阱的一侧形成有多个N阱和第二P阱,每个所述第二...
  • 本实用新型公开了一种瞬态保护二极管,包括二极管本体,所述二极管本体包括半导体衬底,所述半导体衬底上形成有多个第一P阱,多个所述第一P阱纵向排列,每个所述第一P阱中设置有多个N+注入区和P+注入区;在多个所述第一P阱的一侧形成有多个横向排...
  • 本实用新型公开了一种瞬态电压抑制器,包括二极管本体,所述二极管本体包括半导体衬底,所述半导体衬底上形成有多个P阱,多个所述P阱横向排列,每个所述P阱间隔设置有多个N+注入区和P+注入区;在多个所述P阱的一侧形成有多个纵向排列的注入区,每...
  • 本实用新型公开了一种具有良好散热功能的TVS结构,包括安装壳、顶盖,所述安装壳的内部底部固定连接有限位卡座,所述限位卡座的内部卡接有TVS本体,所述TVS本体的左右两侧均固定连接有导线,所述安装壳的左右两侧均开设有通孔,所述导线的另一端...
  • 本实用新型公开了一种密封性好的小信号TVS管安装结构,包括TVS管本体和防护外壳,TVS管本体的背面固定连接有引脚,防护外壳的内部固定连接有压板,引脚的顶部设设置有凹槽,压板贴合在压板的顶部,防护外壳的顶部四边均开设有卡槽,卡槽的顶部卡...
  • 本实用新型公开了一种带引脚固定架构的共模电感,包括共模电感本体,所述共模电感本体的下端固定安装有支脚,所述支脚侧壁的下端开设有凹槽。本实用新型采用上述结构,通过卡位组件起到便于共模电感本体安装的作用,通过卡位组件与支撑弹簧配合,达到固定...