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JSR株式会社专利技术
JSR株式会社共有1438项专利
层叠体及半导体装置制造方法及图纸
本发明的层叠体,含有在半导体层上方设置的、具有规定图案的铜配线(20),在上述铜配线层(20)上设置的、含有聚苯并噁唑树脂层的保护层,在上述保护层上设置的绝缘层(40)。
化学机械研磨垫制造技术
本发明的目的在于提供能够在赋予高研磨速度的同时,充分地抑制被研磨面的刮痕的发生,且对于研磨量能够实现高度的被研磨面内均匀性的化学机械研磨垫。上述目的通过研磨层的表面电阻率为1.0×10↑[7]~9.9×10↑[13]Ω的化学机械研磨垫达...
含氟聚合物及其精制方法以及感放射线性树脂组合物技术
本发明的目的在于提供:新型的含氟聚合物、以及液浸曝光用的感放射线性树脂组合物、以及含氟聚合物的精制方法,其中所说的液浸曝光用的感放射线性树脂组合物含有该聚合物,得到的图案形状良好,焦深优良,且在液浸曝光时在所接触的水中的溶出物的量少,抗...
化学机械研磨用水系分散体、化学机械研磨方法、化学机械研磨用试剂盒以及用于制备化学机械研磨用水系分散体的试剂盒技术
一种化学机械研磨用水系分散体,其特征在于,含有作为磨粒的成分(A)、喹啉羧酸和吡啶羧酸中至少一方的成分(B)、除了喹啉羧酸和吡啶羧酸以外的有机酸的成分(C)、作为氧化剂的成分(D)以及作为具有三键的非离子型表面活性剂的成分(E), 所 ...
化学机械研磨用水系分散体和化学机械研磨方法技术
本发明提供一种化学机械研磨用水系分散体,含有(A)磨粒、(B)有机酸、(C)水溶性高分子、(D)氧化剂及(E)水,并且所述(C)水溶性高分子的重均分子量为50,000~5,000,000。
下层膜形成用组合物及图案形成方法技术
本发明提供一种下层膜形成用组合物,其中,含有具有下述通式(1)所示的萘衍生物结构单元的聚合物(A),通式(1)中,R↓[1]表示羟基等,X表示碳原子数为1~20的可以取代的亚烷基等,n是0~6的整数,m是1~8的整数,n+m是1~8的整...
含氧化物微粒的聚硅氧烷组合物及其制备方法技术
本发明的含氧化物微粒的聚硅氧烷组合物在有机溶剂中,在碱性化合物、酸性化合物或金属螯合化合物的存在下,将(A)硅氧化物微粒和/或金属氧化物微粒、以及(B)多官能聚硅氧烷混合,将上述氧化物微粒(A)分散于有机溶剂中获得。该含氧化物微粒的聚硅...
含金属氧化物微粒的聚硅氧烷组合物及其制备方法技术
本发明的含金属氧化物微粒的聚硅氧烷组合物在有机溶剂中,在碱性化合物、酸性化合物或金属螯合化合物的存在下,将(A)金属氧化物微粒、以及(B1)多官能聚硅氧烷混合,将上述氧化物微粒(A)分散于有机溶剂中获得。其中,所述(B1)多官能聚硅氧烷...
热固化性树脂组合物、固态成像元件的防光晕膜的形成方法、固态成像元件的防光晕膜、以技术
本发明提供含有具有甲基缩水甘油基的聚合物和紫外线吸收剂的热固化性树脂组合物。该热固化性树脂组合物可形成防光晕膜,该膜的保存稳定性优异,同时在形成固态成像元件中的滤色器或显微透镜时的曝光步骤中,可有效抑制来自底层基板的漫反射光、并且具有高...
硅烷组合物、硅膜的形成方法和太阳能电池的制造方法技术
一种用于制造太阳能电池半导体薄膜的硅烷组合物,所述硅烷组合物含有:用式Si#-[n]R#-[m]所示的聚硅烷化合物(式Si#-[n]R#-[m]中,n为3以上的整数,m为n~(2n+2)的整数,m个R互相独立地为氢原子、烷基、苯基或卤素...
半导体基板的化学机械抛光方法和化学机械抛光用水分散液技术
本发明目的在于提供半导体装置制造工序中,对设有配线图案的晶片化学机械抛光时,在配线间、多层配线的层间等形成低介电常数的绝缘膜的情况下,特别适用的化学机械抛光方法以及为此使用的化学机械抛光用水分散液。本发明的半导体基板的化学机械抛光方法,...
抛光垫及多层抛光垫制造技术
抛光垫,其特征在于其中具有在抛光面侧形成的、且从呈格状、环状和螺旋状中选出至少一种形状的沟(a)、凹部(b)和贯穿抛光垫表里的通孔(c)中的至少一个部位,该部位内表面的表面粗糙度(Ra)处于20μm以下,用于化学机械抛光。
用于化学机械抛光的水分散体和半导体设备的生产方法技术
包含磨料颗粒的用于化学机械抛光的水分散体,其中磨料颗粒包括: (A) 由选自于无机颗粒和有机颗粒中的至少一种组成的简单颗粒,和 (B) 复合颗粒。
抛光垫制造技术
一种抛光垫,包括:一种不溶于水的基质材料,该基质材料含有交联聚合物,和分散在该不溶于水的基质材料中的水溶性粒子,其中水溶性粒子在水中的溶解度在25℃时为0.1-10重量%,当抛光垫浸入水中时,水溶性粒子从该垫中洗脱出 ...
抛光垫及其生产方法技术
本发明提供一种抛光垫和一种生产该抛光垫的方法,该抛光垫在抛光过程中甚至在磨光后,显示出优异的抛光稳定性和优异的浆液保持性,能够有效地防止抛光速率的减少,并且对于待抛光基质来说,也具有优异的压平性能。该方法包含将水溶性微粒如β-环糊精分散...
研磨垫、其制法和金属模以及半导体晶片抛光方法技术
一种能透射用于终点探测的光而不减小使用光学终点探测装置的半导体晶片的抛光中的抛光效率的研磨垫,一种制造该研磨垫的方法,一种用于制造研磨垫的金属模以及一种抛光半导体晶片的方法。该研磨垫包括研磨基底和透光组件。透光组件包括交联聚合物如交联的...
抛光垫和化学机械抛光方法技术
一种用于化学机械抛光的抛光垫,其具有优良清除率和能够抛光以获得优良平面性。这种抛光垫包含:(A)70-99.9质量%的交联二烯弹性体和(B)0.1-30质量%的含有酸酐结构的聚合物,以上述化合物(A)和(B)总量为100质量%计,并且其...
抛光垫及抛光半导体晶片的方法技术
一种研磨垫,一种层合研磨垫以及半导体晶片抛光方法,它们都防止浆料从研磨基材和窗口元件之间的间隙中泄漏和因刮伤而造成的抛光效率降低,并能有效进行抛光终点光学检测。该研磨垫包含具有从前侧延伸向背侧的通孔的研磨基材以及安置于该通孔中的光透射元...
用于浅沟槽隔离的化学/机械抛光方法技术
一种具有不规则表面的待抛光物体的抛光方法,其中该物体具有带凸面和凹面的基质,在基质的凸面上形成的终止(stopper)层,和覆盖基质的凹面与终止层而形成的嵌入绝缘层,该方法的特征在于包括;第一抛光步骤:使用可维持500埃/分钟或更低抛光...
硅膜形成用组合物和硅膜的形成方法技术
本发明提供含有硅粒子和分散介质的硅膜形成用组合物以及在基体上形成上述硅膜形成用组合物的涂膜,接着进行瞬间熔融、热处理或者光处理的硅膜的形成方法。采用该组合物和方法,能够高效率并且简便地形成用作为太阳能电池的硅膜那样的具有所要求的膜厚的多...
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