半导体基板的化学机械抛光方法和化学机械抛光用水分散液技术

本发明专利技术目的在于提供半导体装置制造工序中，对设有配线图案的晶片化学机械抛光时，在配线间、多层配线的层间等形成低介电常数的绝缘膜的情况下，特别适用的化学机械抛光方法以及为此使用的化学机械抛光用水分散液。本发明专利技术的半导体基板的化学机械抛光方法，使用含有（Ａ）磨料以及（Ｂ）从具有杂环的多元羧酸及其酸酐中选出的至少一种化合物的化学机械抛光用水系分散液，和抛光垫，在固定该抛光垫的定板转数为５０～２００ｒｐｍ、该抛光垫对固定在加压头上的半导体基板施加７００～１８０００Ｐａ压力的条件下，对半导体基板的被抛光面抛光。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体基板的化学机械抛光方法和化学机械抛光用水分散液。更详细地讲，本专利技术涉及半导体装置制造工序中，对设有配线图像的晶片进行化学机械抛光(以下有时也叫作“CMP”)时，在配线间、多层配线的层间等形成低介电常数的绝缘膜的情况下特别有用的化学机械抛光方法，以及为此而使用的化学机械抛光用水分散液。现有技术在半导体元件等上形成的绝缘膜，过去主要使用由CVD法等真空方法形成的SiO2膜。但是近年来，人们关注的是为提高超LSI性能的绝缘膜的低介电常数化。由于这种低介电常数化的结果，作为介电常数高的SiO2膜的代用品，开发出了含硅倍半氧丙环(Silsesquioxane，介电常数约2.6～3.0)、加氟SiO2(介电常数约3.3～3.5)、聚酰胺类树脂(介电常数约2.4～3.6，日立化成工业公司制，商品名为“PIQ”，Allied Signal公司制，商品名为“FLARE”等)、苯并环丁烷(介电常数约2.7，道化学公司制，商品名为“BCB”等)、含氢SOG(介电常数约2.5～3.5)和有机SOG(介电常数约2.9，日立化成工业公司制，商品名为“IISGR7”)等的绝缘膜。但是本文档来自技高网...

【技术保护点】
半导体基板的化学机械抛光方法，其特征在于使用含有（Ａ）磨料和（Ｂ）从具有杂环的多元羧酸及其酸酐中选出的至少一种化合物的化学机械抛光用水系分散液，和抛光垫，在固定该抛光垫的定板转数为５０～２００ｒｐｍ、该抛光垫对固定在加压头上的半导体基板施加７００～１８０００Ｐａ压力的条件下，对半导体基板的被抛光面抛光。

【技术特征摘要】
JP 2002-1-25 016701/2002;JP 2002-10-7 293223/20021.半导体基板的化学机械抛光方法，其特征在于使用含有(A)磨料和(B)从具有杂环的多元羧酸及其酸酐中选出的至少一种化合物的化学机械抛光用水系分散液，和抛光垫，在固定该抛光垫的定板转数为50～200rpm、该抛光垫对固定在加压头上的半导体基板施加700～18000Pa压力的条件下，对半导体基板的被抛光面抛光。2.按照权利要求1记载的半导体基板的化学机械抛光方法，其中所说的(A)磨料是由无机粒子和有机粒子中选出的至少一种粒子，以及有机无机复合粒子组成的。3.按照权利要求2记载的半导体基板的化学机械抛光方法，其中所说的(B)具有杂环的多元羧酸及其酸酐，是从2，3-吡啶二羧酸、2，3-吡啶二羧酸酐、2，5-吡啶二羧酸、2，6-吡啶二羧酸、3，4-吡啶二羧酸、3，5-吡啶二羧酸、1-(1’，2’-二羧基乙基)苯并三唑、4，4’-二羧基-2，2’-双联吡啶和5，5’-二羧基-2，2’-双联吡啶中选出的至少一种化合物。4.按照权利要求3记载的半导体基板的化学机械抛光方法，其中所说的被抛光面上有从铜膜和绝缘膜中选出的至少一种膜。...

【专利技术属性】
技术研发人员：金野智久，元成正之，服部雅幸，川桥信夫，
申请(专利权)人：JSR株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]