一种电子部件，预期包括衬底层（１１０），连接到衬底层（１１０）的电介质层（１２０），连接到电介质层（１２０）的阻挡层（１３０），连接到阻挡层（１３０）的导电层（１４０）；以及连接到导电层（１４０）的保护层（１５０）。一种电子部件的制造方...

一种红外检测器在具有空腔的盖板中有一个窗口，用以将检测器像素暴露给入射辐射。所述窗口具有以支柱区的形式形成在空腔内的减反射元件。在空腔中形成支柱结构区的方法是：首先将支柱刻蚀成所需图案，然后在整个区域进行一般刻蚀以便形成所述空腔。

一种形成微电子器件并防止光刻胶中毒的方法。把各种导电金属和介电材料层按照选择的顺序沉积到基板上，以形成集成电路。通过曝光并使光刻胶材料图案化在该结构中形成通孔和沟槽。绝缘层的介电材料被防护，防止光刻胶产生导致光刻胶中毒的化学反应。通过沉...

一微辐射计阵列具有像素，该像素具有有金属吸收器层的二氧化硅的薄平台，并且该像素与衬底反射器具有谐振缝隙。氧化钒的像素电阻器具有低的总阻抗，其金属触点位于相对边上。

一种带有用多个导体（３００）刺穿的热固层（１００）的组件（１０），在释放层（２００）上成形后，被夹在ＩＣ和ＰＷＢ或其它支撑表面之间，然后再固化。在固化热固材料之前或期间去除释放层。在固化前去除可以通过剥离来实现，在固化期间去除可以通过固...

二氧化硅电介质膜，不管是纳米孔泡沫二氧化硅电介质还是无孔二氧化硅电介质都易于受到制造方法和能减少或除去电介质表面疏水性的试剂的损伤。本发明提供了使这些基材上受损二氧化硅电介质膜具有疏水性能的方法。本发明还提供了使新的或受损的二氧化硅电介...

一种低介电常数分层材料和用于制造所述分层材料的方法，所述方法包括以下步骤：ａ）提供一个表面；ｂ）将介质材料旋涂到所述表面上；ｃ）固化所述介质材料，形成介质层；ｄ）将低介电常数材料旋涂到所述介质层上；以及ｅ）固化所述低介电常数材料，形成低...

在形成具有低热收缩的填隙介电材料中使用分散在溶剂中由致密材料构成的纳米颗粒的胶体悬浮体。该介电材料特别用于预金属介电材料和浅槽分隔用途。根据形成介电材料的这种方法，把胶体悬浮体沉积在衬底上并干燥形成多孔中间层。通过用液相基质材料如旋涂聚...

一种多孔的、柔性的、弹性传热材料，该材料包括金属薄片网。这样的传热材料最好由首先形成的包括挥发性的有机溶剂和导电金属薄片的导电膏来生产。将该导电膏加热到低于金属薄片的熔点的温度，从而蒸发溶剂且只在薄片边缘烧结薄片。薄片的边缘熔合到邻近的...

根据本发明，提供了生产层状低介电常数纳孔材料的组合物和方法，其包含与基板毗邻的第一层、与第一层毗邻的第二纳孔层、和与第二层毗邻的附加层。本发明的层状介电体使用纳孔材料制备，通过（ａ）在基板上沉积第一层；（ｂ）沉积第二层，其是纳孔的并且与...

本发明包括微电子封装件罩，散热器，和包括微电子罩或散热器的半导体封装件。在本发明的一个特定方面，微电子罩包括一具有矩形周边形状从而确定了四个边的材料。此外，沿少于全部周边缘的几个周边，罩具有突起的周边轨道（１１２）。例如，罩只沿两条边有...

一种电子器件，包含具有沟槽的衬底，该沟槽具有下部和上部，沟槽的下部用固化的旋涂化合物填充，而上部用化学气相沉积的化合物填充。优选地，化学气相沉积化合物具有与衬底表面基本共面的表面。制备这样的器件的特别优选的方法包括以下步骤：其中在衬底中...

本发明包括一种半导体封装（１０），所述封装包括半导体基片（１４）和散热器（１８）。热界面材料（２０）热连接所述基片和散热器（１８）。所述热界面材料基本上由铟、锌和一种或多种选自镁、钙、铌、钽、硼、铝、铈、钛和锆的元素组成。本发明还包括了...

本发明提供了一种组合物，所述组合物包括：（ａ）热固性组分，所述组分包括：（１）任选的至少一种下式（Ⅰ）的单体和（２）至少一种下式（Ⅱ）的低聚物或聚合物，其中Ｅ是笼形化合物（如下定义）；每个Ｑ相同或不同并选自氢、芳基、支化芳基和取代芳基，...

本发明提供了一种组合物，所述组合物包括：（ａ）热固性组分，所述组分包括：（１）任选的下式Ⅰ的单体和（２）至少一种下式Ⅱ的低聚物或聚合物，其中Ｅ、Ｑ、Ｇ、ｈ、ｉ、ｊ和ｗ如下定义；和（ｂ）成孔剂，所述成孔剂与热固性组分（ａ）结合。优选所述成...

本发明提供了一种组合物，所述组合物包括：（ａ）介电材料；和（ｂ）成孔剂，所述成孔剂包括至少两个稠合芳环，其中所述稠合芳环上各自具有至少一个烷基取代基且在相邻芳环上的至少两个烷基取代基间存在键。优选所述介电材料为一种包含以下组分的组合物：...

本发明涉及一种新的含钛材料，其可被用来形成用于铜的钛合金阻挡层。在一种含氮溅射气氛中可反应性溅射钛合金溅射靶以形成钛合金氮化物膜，或者作为选择，在一种含氮和含氧气氛中形成钛合金氧氮薄膜。根据本发明形成的薄膜可包括非柱状晶粒结构、低电阻率...

本发明涉及多层介电结构的生产并涉及包含这些结构的半导体设备和集成电路。通过将多孔介电层经中间的增粘介电层粘合到基本上无孔的贴面层上来制备本发明的结构。所制备的多层介电结构具有孔隙率为约１０％或更高的多孔介电层；在所述多孔介电层上的增粘介...

一种使用自对准主体结（ＳＡＢＴ）处理形成的硅基绝缘体（ＳＯＩ）器件结构（１００）。所述ＳＡＢＴ处理将所述部分耗尽（ＰＤ）的结构的硅主体连接至偏置终端。另外，所述ＳＡＢＴ处理在所述有效区域的边缘周围产生自对准的硅区域，由标准晶体管有效区域...

本发明提供一种有机硅氧烷，包括至少８０重量％的化学式１：［Ｙ↓［０．０１－１．０］ＳｉＯ↓［１．５－２］］↓［ａ］［Ｚ↓［０．０１－１．０］ＳｉＯ↓［１．５－２］］↓［ｂ］［Ｈ↓［０．０１－１．０］ＳｉＯ↓［１．５－２］］↓［ｃ］此处Ｙ...