电子器件及其制造方法技术

一种电子器件，包含具有沟槽的衬底，该沟槽具有下部和上部，沟槽的下部用固化的旋涂化合物填充，而上部用化学气相沉积的化合物填充。优选地，化学气相沉积化合物具有与衬底表面基本共面的表面。制备这样的器件的特别优选的方法包括以下步骤：其中在衬底中形成沟槽，通过旋涂沉积在构造中沉积第一种化合物。从沟槽中部分去除第一种化合物到低于衬底表面的程度，在进一步的步骤中，在第一种化合物上表面上沉积第二种化合物。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的领域是电子器件，特别是在微电子器件中沉积电介质。
技术介绍
在集成电路中有源和无源器件的介电隔离对于获得较高密度的这些器件通常是必需的，并且通常通过引入浅槽隔离(STI)结构。本领域中已知有许多STI产生方法。在形成STI结构的一种方法中，使用化学气相沉积(CVD)来沉积电介质材料(参见例如Chen等人的US 6,146,971(11/14/00))。一种典型的方法包括在衬底上生长热氧化物，然后在热氧化物上进行氮化硅沉积。随后使氮化硅图案化并蚀刻形成沟槽。在沟槽中生长热氧化物层，通过CVD沉积二氧化硅。在另一个步骤中，二氧化硅被反向掩模(reverse masked)并从活性表面上去除。然后采用化学机械抛光(CMP)使表面平坦，在另一个步骤中，从衬底表面上腐蚀氮化硅和热氧化物层。尽管CVD沉积有许多优点(例如CMP法已经被很好地理解，参见例如ULSI Technology，Chang and Sze，McGraw-Hill Co.Inc.，NewYork，NY，1996)，但是CVD固有的局限性往往降低这些方法的实用性。例如，为了避免在从活性表面上去除氮化硅和热氧化物本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子器件，包括：具有沟槽的衬底，该衬底具有下部和上部；和其中沟槽的下部用固化的旋涂化合物填充，上部用化学气相沉积化合物填充。

【技术特征摘要】
US 2001-8-29 09/943,2371.一种电子器件，包括具有沟槽的衬底，该衬底具有下部和上部；和其中沟槽的下部用固化的旋涂化合物填充，上部用化学气相沉积化合物填充。2.权利要求1的器件，其中所述衬底具有与化学气相沉积化合物的上表面基本共面的表面。3.权利要求2的器件，其中所述沟槽还包含热氧化物涂层。4.权利要求3的器件，其中所述沟槽的深宽比(深度/宽度)不小于5。5.权利要求3的器件，其中所述沟槽的深宽比(深度/宽度)不小于8。6.权利要求1的器件，其中旋涂化合物包含硅。7.权利要求1的器件，其中旋涂化合物用至少一种选自甲基倍半硅氧烷、氢倍半硅氧烷、甲基氢倍半硅氧烷、硅酸酯和全氢硅氮烷的化合物形成。8.权利要求1的器件，其中，化学气相沉积的化合物包含硅。9.权利要求1的器件，其中化学气相沉积的化合物用硅烷或正硅酸四乙酯形成。10.权利要求1的器件，其中所述沟槽具有一定深度，并且其中沟槽下部占该深度的最多60％。11.权利要求1的器件，其中所述沟槽具有一定深度，并且其中沟槽下部占该深度的最多80％。12.一种形成浅沟槽分隔结构的方法，其包括在具有表面的衬底中形成沟槽，使用旋涂沉积向该沟槽中沉积第一种化合物；从所述沟槽中部分去除第一种化合物，使得该化合物的上表面低于衬底的表面；和通过化学气相沉积向...

【专利技术属性】
技术研发人员：D恩迪施，J莱弗特，
申请(专利权)人：霍尼韦尔国际公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]