本实用新型提供了一种多组分分离装置，涉及分离装置领域，包括：主骨架、分离框、倾倒装置和驱动组件，所述主骨架内侧设有直线导轨，且分离框滑动连接在直线导轨上端，所述分离框左侧设有放料阀板，右侧设有连接套，且分离框的上端口前后边缘设有滑块，所...

本发明公开了一种循环利用L i C l制备二碘硅烷的方法，包括以下步骤:S1：在惰性气体氛围下，向反应釜中加入碘源、L i C l及溶剂一，反应得到体系一。其中，碘源为Na I和KI中的一种或两种。S2：对体系一进行过滤，过滤掉固体杂质...

本发明提供一种SiOC或SiOCN薄膜及其制备方法和应用，所述制备方法包括将(R1R2N)

本发明公开了一种铜互连扩散阻挡层结构及其制备方法，包括：衬底和扩散阻挡层，所述衬底包括第一导电层和介质层；所述扩散阻挡层设置在衬底和第二导电层之间，所述扩散阻挡层包括依次设置的铌层、铌硅氮化物层和氮化铌层，所述第三层与所述第二导电层接触...

本发明公开了一种使用有机硅前驱体制备硅薄膜的方法，属于半导体技术领域，该方法包括如下步骤：步骤1)、将衬底放入原子层沉积设备中，加热；步骤2)、将有机硅前驱体装在不锈钢源瓶中，源瓶通过管路和原子层沉积设备的反应腔相连；步骤3)、将硅前驱...

本发明涉及半导体设备技术领域，具体为一种栅极氧化层对准标记的装置及其形成方法，包括硅片，硅片的顶部依次设有氧化硅、光致抗蚀剂和金属层，金属层的顶部设有栅极氧化层，光致抗蚀剂位于栅极氧化层的左右两侧设有对准标记，光致抗蚀剂位于栅极氧化层的...

本发明公开了一种制备低氯含量的氨基硅烷的方法，氨基硅烷制备技术领域。本发明方法包括如下步骤：将有机氨基硅烷粗品、碱金属或碱土金属化合物混合反应，得到混合液；混合液过滤，得到氨基硅烷粗品；胺基取代硅烷粗品精馏，得到胺基取代硅烷。本申请方法...

本发明涉及集成电路封装领域，具体的说是一种衬底封装设备及其封装方法，本发明中的衬底封装设备包括安装底板，安装底板上设置有集成电路底片多个夹持装置，夹持装置之间设置有协同装置，两个横向移动杆上和两个纵向移动杆上之间还设置有同步装置，安装底...

本发明公开了一种双硅烷生产设备及其生产工艺，包括底板、晃动部件、反应釜和搅拌清壁部件，解决了现有的双硅烷生产设备在制备双硅烷的过程中，通常会采用搅拌的方式对二乙胺和二氯二氢硅的混合物进行搅拌处理，由于现有的搅拌装置无法在反应过程中调节搅...

本发明公开了一种双(2,4

本发明公开了一种单胺基取代硅烷的制备方法，涉及应用于原子层沉积的硅基前驱体材料制备技术领域。本发明以二级有机胺、碱化合物为原料，以烷烃溶剂或醚类溶剂为反应溶剂，反应得到有机胺基碱溶液，将该有机胺基碱溶液与一氯硅烷反应，得到反应物。将反应...

本实用新型公开了一种前驱体源瓶，属于半导体薄膜制备制造领域。包括：瓶体与进气管，所述进气管延伸到所述源瓶的内部，所述进气管上开设有若干贯通的布气孔；所述瓶体上开设有出气口。气口。气口。

本发明属于含钨的金属有机化合物的制备领域，公开了一种双(烷基亚胺基)双(烷基胺基)钨(VI)的制备方法及应用，公开了使用六氯化钨(WCl6)作为原料，通过先后加入一级胺、二级胺基锂的“两步法”，通过简便的流程得到相应的产品；减少了有毒物...

本发明公开一种功函数可调的WCN薄膜沉积方法，包括以下步骤：先将钨前驱体加热到80

本发明涉及前驱体材料生产技术领域，尤其涉及一种高纯前驱体材料取样系统及取样方法，包括收集罐、下料管、真空管道、惰性气体管道、放空管道，下料管设置在收集罐的下方，沿下料管物料走向依次设置有第一隔膜阀、三通隔膜阀a，三通隔膜阀a还连接有取样...

本发明公开一种基于碱土金属的原子层沉积前驱体材料的制备方法，包括以下步骤：(1)制备三烷基取代的环戊二烯R3Cp；(2)将步骤(1)制备的R3Cp与碱B反应，得到相应的(R3Cp)M盐；(3)得到(R3Cp)M后，向其中加入NCl2与N...

本发明公开一种有机镧前驱体La(iPr2‑

本发明公开一种含铌的金属有机化合物的制备方法，具体包括以下步骤：S1、将NbCl5分散于甲苯中，然后加入少量醚，待固体全部溶解后得到体系Ⅰ；S2、将体系Ⅰ冷却，向体系Ⅰ缓慢滴加HNR2R3，滴加完毕后恢复室温并持续搅拌，形成体系Ⅱ；S3...

本发明公开一种含镧有机化合物及其应用，该有机化合物的化学式为LaCl3·

本发明提供一种低温高生长速率氧化硅薄膜的原子层沉积方法，以双氨基取代的乙硅烷作为前驱体，沉积腔体的温度在整个沉积过程中保持在50℃以下。双氨基取代的乙硅烷常温下为液态，比固态产品更易于纯化和输送，且‑SiH