一种制备低氯含量的氨基硅烷的方法技术

本发明专利技术公开了一种制备低氯含量的氨基硅烷的方法，氨基硅烷制备技术领域。本发明专利技术方法包括如下步骤：将有机氨基硅烷粗品、碱金属或碱土金属化合物混合反应，得到混合液；混合液过滤，得到氨基硅烷粗品；胺基取代硅烷粗品精馏，得到胺基取代硅烷。本申请方法过程简单易操作，适用有机氨基硅烷范围广，基本无损失的得到有机氨基硅烷中氯含量＜1ppm。得到有机氨基硅烷中氯含量＜1ppm。

【技术实现步骤摘要】
一种制备低氯含量的氨基硅烷的方法


[0001]本专利技术涉及氨基硅烷制备
，具体涉及一种制备低氯含量的氨基硅烷的方法。

技术介绍

[0002]有机氨基硅烷广泛用于半导体行业中做为CVD和ALD沉积技术的前驱体，用于制备氧化硅、氮化硅薄膜或其它多功能薄膜。已报道技术用于合成有机氨基硅烷的制备方法中，最常用的是在溶剂存在下，使用氯硅烷SiH4‑
n
Cl
n
(n＝1
‑
4)与有机氨HNR1R2直接反应后，经过过滤除去大量的副产物有机胺盐酸盐，进一步提纯得到SiH4‑
n
(NR1R2)
n
(n＝1
‑
4)。如专利申请号CN107406466A公开了二烷基氨基硅烷的制造方法，其中具体公开了使用二氯硅烷和二烷基胺直接反应得到二烷基氨基硅烷，但是反应除了得到目标双(二烷基氨基)硅烷外，还有大量的二烷基胺盐酸盐副产物产生。专利号CN108084219B公开了一种二(二乙基氨基)硅烷，其中具体公开了在特制催化剂存在下使用二氯硅烷与二乙胺反应较高收率制本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制备低氯含量的氨基硅烷的方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：将氨基硅烷粗品、碱性化合物混合反应，得到混合液；S2：S1中得到的混合液过滤，得到氨基硅烷粗品；S3：S2中得到的氨基硅烷粗品精馏，得到氨基硅烷。2.根据权利要求1所述的一种制备低氯含量的氨基硅烷的方法,其特征在于，有机氨基硅烷的化合物结构通式为SiH4‑
n
(NR1R2)
n
，其中n＝1
‑
4，R1、R2为C1
‑
C6的直链烷烃、C3
‑
C6的支链烷烃中的任一种，R1、R2相同或不同。3.根据权利要求1所述的一种制备低氯含量的氨基硅烷的方法,其特征在于，碱性化合物为碱金属氨基盐...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐超，刘宇，代明生，朱思坤，李建恒，
申请(专利权)人：合肥安德科铭半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：