合肥安德科铭半导体科技有限公司专利技术

合肥安德科铭半导体科技有限公司共有52项专利

  • 本技术提供了一种化工原料储存钢瓶,涉及化工原料储存技术领域,包括储存钢瓶;所述储存钢瓶的底部位于底座内,且底座与储存钢瓶之间拆分连接,所述储存钢瓶的中部套置在内防护套内,且内防护套外设置有外缓冲套,所述储存钢瓶的上端设置有进料口,且储存...
  • 本发明公开了一种亚锡配合物的合成方法,属于有机合成技术领域,包括如下步骤:步骤S1、在惰性气体氛围下,将SnCl<subgt;2</subgt;、溶剂及氨基醇混合,得到反应体系A;所述氨基醇结构式为R<supgt;1&...
  • 本技术提供了一种砷化镓废料分离装置,包括:箱体和收集组件,所述箱体上表面固定连接连通管的一端,连通管的另一端固定连接冷却箱的上表面,且连通管中部固定连接电磁阀,而箱体侧面的下端通过输送管连通冷却箱侧面的下端,同时输送管通过单向气阀连通收...
  • 本技术提供了一种晶片表面清洗装置,包括:箱体和旋转板,所述箱体内的中部固定连接横板,横板内开设传动槽,而传动杆通过轴承活动连接在传动槽内,且箱体侧面固定连接主电机,主电机通过联轴器连接传动杆,而横板的上表面开设活动槽,活动槽内活动连接旋...
  • 本发明公开了用于去除有机胺基锡中金属杂质的吸附剂及其制备方法,属于有机胺基锡合成技术领域,包括以下步骤:氮气保护下,向4‑甲基吡啶中加入中性氧化铝、十二烷基苯磺酸钠、N‑甲基吡咯烷酮、EDTA二钠和四甲基乙二胺,加热搅拌10‑15h,降...
  • 本发明公开了一种制备二碘硅烷的方法,属于半导体元件制造用前驱体材料技术领域,该方法包括如下步骤:S1:在惰性气体氛围下,向反应釜中加入无水碘化锂,密闭后降温至‑60℃~10℃;S2:降温后保持温度不变,通入二氯硅烷,二氯硅烷与无水碘化锂...
  • 本技术提供了一种晶体生长装置,涉及生长装置领域,包括:炉体、进料装置、导向装置和处理机构,所述炉体内部设置有加热器和坩埚,且坩埚内部设有熔体,所述进料装置包括进料斗、竖直管和倾斜管,且竖直管上端连接在进料斗下端,倾斜管倾斜连接在竖直管下...
  • 本技术提供了一种化学原料油水分离器净化装置,涉及净化装置领域,包括:油水分离器主体、净化组件、活动组件和弹性组件,所述油水分离器主体外壁焊接有支腿,且油水分离器主体底部设有排水管,且排水管下端连接有连接管,所述净化组件包括插接管、过滤箱...
  • 本技术提供了一种化学原料运输管道快速冷却装置,涉及化学原料运输领域,包括:化学管道冷却机体、出料承接台和进料承接台,所述化学管道冷却机体上端面安装有离心风机,所述离心风机通过送风管道连通有进风腔,所述进风腔内侧面设置有排风网口,所述化学...
  • 本技术提供了一种节能型化工冷凝器,涉及冷凝器技术领域,包括冷凝器;所述冷凝器内上部安装有转轴,且转轴的杆体左右两部均安装有风扇,并且每组风扇均位于一组排气仓内,所述冷凝器内中部安装有气管,且冷凝器内底部设置有水箱,冷凝器的前侧面下部设置...
  • 本发明提供了一种碳氮化硅薄膜及其制备方法和应用。所述碳氮化硅薄膜的制备方法包括以下步骤:(1)通过热原子层沉积方法在衬底表面通入硅前驱体,得到第一反应物;所述硅前驱体的分子结构中不含卤素;(2)将步骤(1)得到的第一反应物与助剂接触,得...
  • 本技术提供了一种化工蒸汽凝结装置,包括:外箱和内箱,所述外箱内的底部通过固定座固定连接内箱,而外箱内侧面固定连接排气环,且内箱上表面固定连接进气管,同时内箱下表面固定连接回收管,所述内箱内的顶部固定连接分隔板,分隔板的外侧面固定连接分隔...
  • 本技术提供了一种化工废水清净化装置,包括:箱体和定量组件,所述箱体内部通过固定连接的主分隔板分为过滤区和净化区,且主分隔板的下表面固定连接副分隔板,而净化区的底部固定连接定量组件,同时过滤区顶部固定连接过滤网,而主分隔板表面开设贯穿槽,...
  • 本技术提供了一种管式反应器,涉及化工领域,包括:管式反应器本体,所述管式反应器本体通过管道接头相互首尾连接,所述管式反应器本体管体上、下表面分别贴合有缓冲上弧板和缓冲下弧板,所述缓冲下弧板和缓冲上弧板内侧面粘合有多孔吸音棉,所述缓冲下弧...
  • 本发明涉及一种二异丙氨基硅烷的合成方法及应用,所述合成方法包括如下步骤:将固相催化剂填充至管式反应器中,然后分别通入甲硅烷与二异丙胺进行反应,所得反应液经分离纯化处理,得到所述二异丙氨基硅烷;所述固相催化剂包括
  • 本实用新型提供了一种沉淀还原装置,涉及化工领域,包括:化学沉淀还原机体、氮气输送管和搅拌电机,所述化学沉淀还原机体右端通过支撑板承接有吸收箱,所述吸收箱内部通入有输送管道;且输送管道另一端与化学沉淀还原机体相连通,所述输送管道表面安装有...
  • 本发明公开了一种硅基前驱体中金属离子的检测方法,属于半导体材料金属离子检测技术领域
  • 本实用新型提供了一种多组分分离装置,涉及分离装置领域,包括:主骨架、分离框、倾倒装置和驱动组件,所述主骨架内侧设有直线导轨,且分离框滑动连接在直线导轨上端,所述分离框左侧设有放料阀板,右侧设有连接套,且分离框的上端口前后边缘设有滑块,所...
  • 本发明公开了一种循环利用L i C l制备二碘硅烷的方法,包括以下步骤:S1:在惰性气体氛围下,向反应釜中加入碘源、L i C l及溶剂一,反应得到体系一。其中,碘源为Na I和KI中的一种或两种。S2:对体系一进行过滤,过滤掉固体杂质...
  • 本发明提供一种SiOC或SiOCN薄膜及其制备方法和应用,所述制备方法包括将(R1R2N)