一种循环利用LiCl制备二碘硅烷的方法技术

本发明专利技术公开了一种循环利用L i C l制备二碘硅烷的方法，包括以下步骤:S1：在惰性气体氛围下，向反应釜中加入碘源、L i C l及溶剂一，反应得到体系一。其中，碘源为Na I和KI中的一种或两种。S2：对体系一进行过滤，过滤掉固体杂质，反应釜内浓缩滤液，得到L i I。S3：在惰性气体氛围下，低温下向反应釜中通入溶剂二、二氯硅烷，反应得到体系二。S4：对体系二进行过滤，得到滤液和滤饼。滤液经分离后得到二碘硅烷，所得滤饼作为上述步骤S1的L i C l进入下一个合成循环。反应生成的副产物LiCl可以实现循环利用，既降低了成本，也避免了锂资源的浪费。也避免了锂资源的浪费。也避免了锂资源的浪费。

【技术实现步骤摘要】
一种循环利用LiCl制备二碘硅烷的方法


[0001]本专利技术涉及半导体元件制造用前驱体材料
，具体涉及一种循环利用LiCl制备二碘硅烷的方法。

技术介绍

[0002]随着半导体制程的发展，芯片微型化趋势，对半导体基材结构提出了新的要求，如氮化硅，需要在越来越严格的条件下沉积。二碘硅烷(DIS)作为化学气相沉积(CVD)的重要硅源，由于Si－I之间的键角合适，可以均匀地反应成分子层厚度的氮化硅。并且，在等离子增强下，二碘硅烷能够产生更活泼的硅自由基，在保持高沉积速率的前提下，反应腔具有温度更低、压力操作更可控的特点，因而越来越受到关注。
[0003]二碘硅烷合成路线较多，但大多存在于实验室阶段，不适合于工业化规模生产。目前对二碘硅烷合成开发主要以工业化生产为目标，其中以苯硅烷和二氯硅烷为原料的工艺路线，关注度较高。
[0004]以苯硅烷制备二碘硅烷研究较早。专利CN110606491A采用苯基二氯硅烷和四氢铝锂制备苯硅烷，再与碘反应进而制备二碘硅烷，二碘硅烷收率在72.8％以上。专利US20160264426A1报道了采用本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种循环利用LiCl制备二碘硅烷的方法，其特征在于，包括以下步骤:S1：在惰性气体氛围下，向反应釜中加入碘源、LiCl及溶剂一，反应得到体系一；其中，碘源为NaI和KI中的一种或两种；S2：对体系一进行过滤，过滤掉固体杂质，反应釜内浓缩滤液，得到LiI；S3：在惰性气体氛围下，向所述反应釜中加入溶剂二，低温下通入二氯硅烷，反应得到体系二；S4：对体系二进行过滤，得到滤液和滤饼；所述滤液经分离后得到二碘硅烷，所得滤饼作为上述步骤S1的LiCl进入下一个合成循环。2.根据权利要求1所述的一种循环利用LiCl制备二碘硅烷的方法,其特征在于，所述碘源与所述LiCl的当量比为(1～3)：1。3.根据权利要求1所述的一种循环利用LiCl制备二碘硅烷的方法,其特征在于，步骤S3中二氯硅烷的添加量与步骤S1中LiCl的添加量之间的当量比为1：(1～3)。4.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：张学奇，李丽君，唐超，朱思坤，李建恒，
申请(专利权)人：合肥安德科铭半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：