河北工业大学专利技术

河北工业大学共有13212项专利

  • 本发明是一种压敏胶粘剂用丙烯酸酯共聚物乳液的制备方法,属于基于丙烯酸酯共聚物的粘合剂。本发明的压敏胶粘剂用丙烯酸酯共聚物乳液的制备方法,包括以下步骤:①种子乳液的制备;②壳层单体的预乳化和③壳层梯度进料。采用种子乳液聚合技术通过向壳层滴...
  • 本发明压敏胶粘剂用的聚丙烯酸酯复合乳液及其制备和应用方法涉及基于丙烯酸酯聚合物的粘合剂。它是一种具有核/壳结构的无机-有机复合乳胶粒子的复合乳液,组成这种复合乳液的乳胶粒子以表面经硅烷偶联剂改性的纳米二氧化硅为核,以丙烯酸酯与丙烯酸单体...
  • 本发明压敏胶粘剂用聚丙烯酸酯复合乳液的制备方法涉及基于丙烯酸酯聚合物的粘合剂,是将纳米二氧化硅水溶胶与丙烯酸酯乳液进行复合,制备具有核/壳结构的无机-有机复合型压敏胶粘剂用的纳米二氧化硅-聚丙烯酸酯复合乳液,具体步骤如下:a.种子乳液的...
  • 本发明公开了一种ULSI多层铜布线化学机械抛光中碟形坑的控制方法,其特征是:选取SiO↓[2]水溶胶为磨料,用不同倍数的去离子水稀释,同时加入金属离子螯合剂用以调节pH为9.5-11.5,加入非离子表面活性剂,在抛光进行前加入氧化剂,在...
  • 本发明涉及一种ULSI多层铜布线化学机械抛光中平整度的控制方法,其特征是:在碱性条件下选取高浓度的SiO↓[2]水溶胶为磨料,用不同倍数的去离子水稀释,同时加入金属离子螯合剂、非离子表面活性剂,在抛光进行前加入氧化剂;具体实施步骤如下:...
  • 一种超大规模集成电路多层铜布线用化学机械全局平面化抛光液,其组成成分是:(重量%)磨料18~50,螯合剂0.1~10,络合剂0.005~25,活性剂0.1~10,氧化剂1~20,余量为去离子水。该抛光液损伤小、平整度高、易清洗;不腐蚀设...
  • 超大规模集成电路多层铜布线中铜与钽化学机械全局平面化抛光液,其组成成分是(重量%)磨料18~50;螯合剂0.1~10;络合剂0.005~25;活性剂0.1~10;余量为去离子水。该抛光液损伤小、平整度高、易清洗;不腐蚀设备,不污染环境;...
  • 本发明公开了一种用于铌酸锂光学晶片研磨抛光的抛光液。本发明抛光液成分和体积%比组成如下:硅溶胶30~90;有机胺碱1~10;无机碱1~5;活性剂0.5~5;螯合剂FA/O0.5~5;去离子水为余量。本发明在CMP条件下,在高pH值条件下...
  • 本发明公开了一种用于微晶玻璃研磨抛光的抛光液的成分和体积%比组成如下:硅溶胶30~90;有机胺碱1~10;活性剂0.5~5;KOH溶液0.5~5;去离子水为余量。在CMP条件,将微晶玻璃的主体二氧化硅(酸性氧化物)在高pH值下快速转化为...
  • 本发明公开了一种用于存储器硬盘的磁盘基片抛光的纳米SiO↓[2]水溶胶为磨料的碱性抛光液。本发明抛光液的成分和重量%比组成如下:螯合剂0.5-10、pH值调节剂0.5-5、硅溶胶50-90、表面活性剂0.5-5、氧化剂0.5-10、去离...
  • 本发明公开了一种对硼酸锂铯晶体有效的无水抛光液及抛光方法。本发明用于硼酸锂铯晶体的化学机械无水抛光液的组成成分wt%如下:(a)纳米SiO↓[2]磨料4-8、(b)有机溶剂72-95、(c)有机碱0.5-10、(d)表面活性剂0.5-1...
  • 本发明涉及蓝宝石衬底材料表面高精密加工过程中化学机械抛光(CMP)抛光液及其制备方法。抛光液成分和重量%比组成为:硅溶胶1~90、碱性调节剂0.25~5、醚醇类活性剂0.5~10、螯合剂1.25~15、去离子水为余量。该抛光液的配制方法...
  • 本发明公开了一种半导体锑化铟化学机械抛光液,旨在提供一种以有机碱替代无机碱,通过添加螯合剂、活性剂降低产品表面粗糙度,减少划伤,提高平整度的锑化铟化学机械抛光液。按体积百分比由下述组分组成:SiO↓[2]浓度为30-50%的硅溶胶50-...
  • 本发明涉及一种电子玻璃的纳米SiO↓[2]磨料抛光液,其特征在于抛光液的组分及重量%如下:磨料:二氧化硅水溶胶固含量:20-45,复合碱:0.5-5.5,渗透剂:1.0-10,表面活性剂:1.0-10,去离子水:余量;将上述各组分逐级混...
  • 本发明涉及一种ULSI多层铜布线化学机械抛光表面粗糙度的控制方法,其特征是:在碱性条件下采用易清洗、小粒径的SiO↓[2]水溶胶为磨料,采用有机碱做pH调节剂和络合剂,并加入非离子表面活性剂配制成抛光液;包括步骤如下:首先配制抛光液:a...
  • 本发明公开了一种化学作用强,易于清洗,有效解决了划伤问题,抛光速率高,流动性好的用于磷酸氧钛钾晶体的化学机械抛光液。本发明抛光液的成分和重量%如下:纳米SiO↓[2]溶胶10-90、无机碱和有机碱0.5-10、非离子表面活性剂0.5-1...
  • 本发明公开了一种超大规模集成电路专用纳米硅溶胶的纯化方法,旨在提供一种有效的降低硅溶胶中金属离子的含量,以提高晶片质量的硅溶胶的纯化方法。将盐酸注入阳离子交换树脂中搅拌,制备酸性阳离子交换树脂;然后将高金属离子含量的碱性硅溶胶加入到酸性...
  • 本发明公开了一种超大规模集成电路专用纳米硅溶胶的稳定方法,旨在提供一种生产工艺简单,稳定性高的高浓度酸性硅溶胶的制备方法。首先采用阳-阴-阳三次离子交换纯化硅溶胶,之后,将交换后的硅溶胶中加入聚醚型非离子表面活性剂,硅溶胶与活性剂的体积...
  • 本发明粉末涂料用丙烯酸树脂的制备方法涉及仅用碳-碳不饱和键反应得到的高分子化合物的聚合工艺过程,是分散聚合方法,步骤包括(1)反应物配料为:分散介质250.0~2000.0、混合单体100.0、自由基引发剂0.5~8.0和链转移剂0或0...
  • 本发明涉及一种隔热涂料及其制备方法。该涂料的质量百分比配方是:A组分75~90%;B组分5~20%;C组分5~20%;A组分包括占其总量的:乳液35~60%;乳胶漆助剂5~30%;钛白粉15~40%;水20~45%;B组分为表面疏水改性...