用于铌酸锂光学晶片研磨抛光的抛光液制造技术

本发明专利技术公开了一种用于铌酸锂光学晶片研磨抛光的抛光液。本发明专利技术抛光液成分和体积％比组成如下：硅溶胶３０～９０；有机胺碱１～１０；无机碱１～５；活性剂０．５～５；螯合剂ＦＡ／Ｏ０．５～５；去离子水为余量。本发明专利技术在ＣＭＰ条件下，在高ｐＨ值条件下，将锂离子形成极稳定的络合物和形成易溶于水的铌酸盐，提高效率和表面质量；本发明专利技术通过有机碱与铌酸锂表面物质形成可溶性胺盐，易于脱离反应表面，从而避免增加磨料粒度和抛光液的黏度，有效地解决了划伤、平整性和吸附物去除问题。

【技术实现步骤摘要】
用于铌酸锂光学晶片研磨抛光的抛光液
本专利技术涉及化学机械抛光
，更具体地说，是涉及一种用于铌酸锂光学晶片研磨抛光的抛光液。
技术介绍
铌酸锂是应用于电子、微电子、光电子领域的一类基础材料，是一种具有铁电、压电、热电、电光、声电和光折变效应等多种性质的功能材料，具有优良的电压、电-光、非线性光学特性。随着光电子技术的发展，新型高性能、高精密、高集成的光电子系统不断涌现，材料表面加工质量作为主要参数，尤其是平整度，粗糙度和洁净度直接影响器件质量，为适应光电子迅速发展的需要，对晶体表面的完整性及精度提出了严格要求，即表面无缺陷、无变质层，表面超光滑。目前，铌酸锂晶片抛光方面的研究报道不多，尚缺乏专门针对铌酸锂结构性能特点的加工技术的报导，铌酸锂晶片的实际生产中往往存在加工效率和成品率低、表面划伤难以控制、加工质量难以控制等问题。因此，研究铌酸锂的抛光加工特性，开展铌酸锂单晶深加工技术，即超光滑无损伤表面抛光加工技术研究，对于开发大直径铌酸锂晶片，进一步提高硬脆材料精密与超精密加工水平，促进光电子产业的发展有着深远的意义。这其中关键是研发出高性能抛光液。专利技术内容-->本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于铌酸锂光学晶片研磨抛光的抛光液，其特征是，所述抛光液的成分和体积％比组成如下：硅溶胶３０～９０；有机胺碱１～１０；无机碱１～５；活性剂０．５～５；鳌合剂ＦＡ／Ｏ０．５～５；去离 子水余量。

【技术特征摘要】
1.一种用于铌酸锂光学晶片研磨抛光的抛光液，其特征是，所述抛光液的成分和体积％比组成如下：硅溶胶30～90；                     有机胺碱1～10；无机碱1～5；                       活性剂0.5～5；鳌合剂FA/O 0.5～5；                去离子水余量。2.根据权利要求1所述的抛光液，其特征是，所述抛光液的成分和体积％比组成如下：硅溶胶50～80；                     有机胺碱1.5～7；无机碱1.5～3；                     活性剂1.5～3.5；鳌合剂FA/O 0.5～5；                去离子水余量。3.根据权利要求1或2所述的抛光液，其特征是，所述硅溶胶为溶剂型二氧...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘玉岭，武晓玲，
申请(专利权)人：河北工业大学，
类型：发明
国别省市：12[中国|天津]