一种近化学计量比铌酸锂晶片的制备方法技术

一种近化学计量比铌酸锂晶片的制备方法，其特征是采用反质子交换反应加热炉进行，先将用Ｋ↓［２］Ｏ助熔剂提拉技术生长的ＬｉＮｂＯ↓［３］晶片双面抛光，然后将其浸入置于反质子交换反应加热炉中含Ｌｉ离子的混合熔体中，混合熔体中的Ｌｉ离子将取代Ｋ离子进入晶体中，部分Ｋ离子从晶体中扩散出来，进而提高晶片中Ｌｉ↓［２］Ｏ的含量；所述的含Ｌｉ离子的混合熔体为ＫＮＯ↓［３］、ＮａＮＯ↓［３］和ＬｉＮＯ↓［３］组成的硝酸盐混合熔体，其中，硝酸盐混合熔体中ＫＮＯ↓［３］和ＮａＮＯ↓［３］的浓度比为１∶１，而ＫＮＯ↓［３］和ＬｉＮＯ↓［３］的浓度比为１∶（０．１－１）；其交换温度为：３００－３５０℃，交换时间为：０．５－１５ｈｒ。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是一种近化学计量比铌酸锂(Stoichiometric LiNbO3，简称SLN)晶片的制备方法，具体涉及到用类似反质子交换(Reverse ProtonExchange，简称RPE)法制备SLN基片。目前，国际上主要发展了3种获得SLN晶体的方法。其中，助熔剂提拉技术以起独特的优势得到了人们的广泛注意。1992年乌克兰科学家G.Malovichko等人采用这种技术从掺入K2O助熔剂的LiNbO3熔体中生长，K2O的掺入降低了熔体的熔点，当熔体中K2O的含量达到11mol％时，熔体温度降低了大约100℃，生长出的LN晶体中的/非常接近化学计量比(参见Phys.Stat.Sol.，(a)第133卷，1992年，第K29页)。在先技术生长的SLN单晶，有明显缺点/难以达到真正的化学计量比，而且，生长的SLN单晶中掺杂有少量的K离子，少量K离子的存在会影响SLN单晶的物理性能。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种SLN晶片的制备方法，以克服在先技术生长的LiNbO3单晶中/没有达到真正的化学计量比和K离子掺杂的缺点。本专利技术的技术解决方案是一种近化学计量比铌酸锂晶片(SLN)的制备方法，其特点是采用反质子交换反应加热炉进行，先将用K2O助熔剂提拉技术生长的LiNbO3晶片双面抛光，然后将其浸入置于反质子交换反应加热炉中含Li离子的混合熔体中，混合熔体中的Li离子将取代K离子进入晶体中，部分K离子从晶体中扩散出来，进而提高晶片中Li2O的含量；所述的含Li离子的混合熔体为KNO3、NaNO3和LiNO3组成的硝酸盐混合熔体，硝酸盐混合熔体中KNO3和NaNO3的浓度比为1∶1，而KNO3和LiNO3的浓度比为1∶(0.1-1)；其交换温度为300-350℃，交换时间根据情况选择0.5-15小时。所述的，包括如下具体的工艺流程<1>将KNO3、NaNO3和LiNO3粉料按所需比例混合均匀，配比为KNO3∶NaNO3∶LiNO3＝1∶1∶(0.1-1)，制成含Li离子的混合熔体；<2>将以上混合熔体(5)装入石英管(4)内，将该石英管(4)装入反质子交换反应加热炉中，然后升温，将上述混合熔体(5)加热到所需的交换温度，恒温一段时间(0.5-1hr)；<3>然后将用K2O助溶剂提拉技术生长的LiNbO3晶片(6)浸入混合熔体(5)中，在选定的交换温度下交换时间为0.5-15hr；<4>用预热的钳子将制备好的近化学计量比铌酸锂基片缓慢地从石英管(4)中取出，在空气中自然冷却，即获得所需的近化学计量比铌酸锂晶片。所述的K2O助溶剂提拉技术生长的LiNbO3晶片(6)的厚度可为0.5-1mm。与在先技术相比，本专利技术采用类似于RPE法将用K2O助溶剂提拉技术生长的LiNbO3中的K离子交换出来，从而提高晶体的/(＞49.9mol％)。本专利技术简单易操作，适宜批量生产，以满足光电子技术迅猛发展的市场需求，具有良好的经济效益。本专利技术中SLN晶片的制备方法，是先将用K2O助熔剂提拉技术生长的LiNbO3晶片双面抛光，然后将其浸入含Li离子的混合熔体中，混合熔体中的Li离子将取代K离子进入晶体中，部分K离子从晶体中扩散出来，进而提高晶片中Li2O的含量。含Li离子的混合熔体5为KNO3、NaNO3和LiNO3组成的硝酸盐混合熔体，其中，硝酸盐混合熔体中KNO3和NaNO3的浓度比为1∶1，而KNO3和LiNO3的浓度比为1∶(0.1-1)。交换温度为300-350℃，交换时间为0.5-15hr。本专利技术的Li离子置换K离子进入晶体的反应式是 反应式中Li1-xKxNbO3是用K2O助熔剂提拉技术生长的含有x％摩尔比K+离子的铌酸锂晶体分子式，其中0＜x＜1，经过以上的反质子交换(RPE)后，有y％摩尔比K+离子被Li+离子置换出来，其中0＜y＜1，。本专利技术的SLN晶片制备的工艺流程如下<1>将KNO3、NaNO3和LiNO3粉料按所需比例混合均匀，我们选取配比为KNO3∶NaNO3∶LiNO3＝1∶1∶(0.1-1)，制成含Li离子的混合熔体5。<2>将以上混合熔体5装入石英管4内，然后升温，将上述混合熔体5加热到所需的温度300-350℃，恒温一段时间(0.5-1hr)。<3>然后将用K2O助溶剂提拉技术生长的LiNbO3晶片6(厚度为0.5-2mm)浸入混合熔体中，交换合适的时间0.5-15hr。<4>用预热的钳子将制备好的SLN基片缓慢地从石英管中取出，在空气中自然冷却，即获得所需的SLN晶片。下面举例说明本专利技术。实施例1按工艺步骤<1>和<2>将KNO3∶NaNO3∶LiNO3＝1∶1∶0.1(摩尔比)粉料混合均匀，装入石英管内，加热到300℃，形成含有LiNO3的硝酸盐混合熔体，恒温30min左右；按工艺步骤<3>将长度为20mm，宽为8mm，厚度为1mm的用K2O助溶剂提拉技术生长的LiNbO3晶片浸入熔体中，交换3hr；按工艺步骤<4>用预热的钳子将制备好的SLN晶片缓慢地从石英管中取出，在空气中自然冷却。实施例2；按工艺步骤<1>和<2>将KNO3∶NaNO3∶LiNO3＝1∶1∶0.5(摩尔比)混合均匀后装入石英管内，加热到320℃，形成含有LiNO3的硝酸盐混合熔体，恒温30min左右；按工艺步骤<3>将长度为20mm，宽为8mm，厚度为1mm用K2O助溶剂提拉技术生长的LiNbO3晶片浸入熔体中，交换10hr； <3>用预热的钳子将制备好的SLN晶片缓慢地从石英管中取出，在空气中自然冷却。实施例3；按工艺步骤<1>将KNO3∶NaNO3∶LiNO3＝1∶1∶1(摩尔比)混合均匀后装入石英管内，加热到350℃，形成含有LiNO3的硝酸盐混合熔体，恒温30min左右；按工艺步骤<2>将长度为20mm，宽为8mm，厚度为1mm的用K2O助溶剂提拉技术生长的LiNbO3晶片浸入熔体中，交换13hr；按工艺步骤<4>用预热的钳子将制备好的SLN晶片缓慢地从石英管中取出，在空气中自然冷却。本专利技术同样适合用助溶剂提拉技术生长的各种掺杂的LiNbO3晶片，如掺镁和锌(掺杂量为0-5mol％)等。所制备的SLN晶片中K离子含量很低，Li2O的含量达到49.9mol％以上，可以满足日益发展的光电技术的市场需求。权利要求1.一种，其特征是采用反质子交换反应加热炉进行，先将用K2O助熔剂提拉技术生长的LiNbO3晶片双面抛光，然后将其浸入置于反质子交换反应加热炉中含Li离子的混合熔体中，混合熔体中的Li离子将取代K离子进入晶体中，部分K离子从晶体中扩散出来，进而提高晶片中Li2O的含量；所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐军，王海丽，周圣明，张连翰，杭寅，周国清，赵广军，司继良，
申请(专利权)人：中国科学院上海光学精密机械研究所，
类型：发明
国别省市：