【技术实现步骤摘要】
具有广谱终点检测窗口的化学机械抛光垫以及使用该抛光垫进行抛光的方法
本专利技术一般涉及化学机械抛光领域。具体而言,本专利技术涉及具有广谱终点检测窗口块体的化学机械抛光垫;其中,所述广谱终点检测窗口块体具有<40%的光谱损失。本专利技术还涉及使用具有广谱终点检测窗口块体的化学机械抛光垫对基材进行化学机械抛光的方法;其中,所述广谱终点检测窗口块体具有<40%的光谱损失。
技术介绍
在集成电路和其它电子器件的制造中,在半导体晶片的表面上沉积多层的导体材料、半导体材料和介电材料,或者将这些材料层从半导体晶片的表面除去。可以使用许多沉积技术沉积导体材料、半导体材料和介电材料的薄层。现代加工中常用的沉积技术包括物理气相沉积(PVD)(也称为溅射)、化学气相沉积(CVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)和电化学镀覆(ECP)等。当材料层被依次沉积和除去时,晶片的最上层表面变得不平。因为随后的半导体加工(例如镀覆金属)需要晶片具有平坦的表面,所以所述晶片需要被平面化。平面化可用来除去不合乎希望的表面形貌和表面缺陷,例如粗糙表面,团聚材料,晶格破坏,划痕和污染的层或材料。化学机械平面化,或者化学机械抛光(CMP)是一种用来对基材,例如半导体晶片进行平面化的常用技术。在常规的CMP中,将晶片安装在支架组件上,设置在与CMP设备中的抛光垫接触的位置。所述支架组件为晶片提供可控制的压力,将其压向抛光垫。通过外界驱动力使得抛光垫相对于晶片运动(例如转动)。与此同时,在晶片和抛光垫之间提供抛光介质(例如浆液)。从而,通过抛光垫表面以及抛光介质的化学作用和机械作用, ...
【技术保护点】
一种化学机械抛光垫,其包括:具有抛光表面的抛光层;以及广谱终点检测窗口块体,其沿着垂直于所述抛光表面的平面的轴方向上的厚度为TW;其中所述广谱终点检测窗口块体包含环状烯烃加成聚合物;其中所述广谱终点检测窗口块体在其厚度TW上具有均匀的化学组成;其中所述广谱终点检测窗口块体的光谱损失≤40%;以及其中所述抛光表面适于对选自磁性基材、光学基材和半导体基材的基材进行抛光。
【技术特征摘要】
2013.03.07 US 13/788,4851.一种化学机械抛光垫,其包括:具有抛光表面的抛光层;以及广谱终点检测窗口块体,其沿着垂直于所述抛光表面的平面的轴方向上的厚度为TW;其中所述广谱终点检测窗口块体是由环状烯烃加成聚合物组成的;其中所述广谱终点检测窗口块体在其厚度TW上具有均匀的化学组成;其中所述广谱终点检测窗口块体的光谱损失≤40%;以及其中所述抛光表面适于对选自磁性基材、光学基材和半导体基材的基材进行抛光。2.如权利要求1所述的化学机械抛光垫,其特征在于,所述广谱终点检测窗口块体沿着垂直于所述抛光表面的平面的轴方向上的平均厚度TW-avg为5-75密耳。3.如权利要求2所述的化学机械抛光垫,其特征在于,所述环状烯烃加成聚合物选自环状烯烃加成共聚物。4.如权利要求3所述的化学机械抛光垫,其特征在于,所述环状烯烃加成聚合物由至少一种脂环族单体聚合形成;其中所述至少一种脂环族单体选自具有桥环双键的脂环族单体和具有环外双键的脂环族单体。5.如权利要求4所述的化学机械抛光垫,其特征在于,所述具有桥环双键的脂环族单体选自下组:降冰片烯、三环癸烯、二环戊二烯、四环十二碳烯、六环十七碳烯、三环十一碳烯、五环十六碳烯、乙叉降冰片烯、乙烯基降冰片烯、降冰片二烯、烷基降冰片烯、环戊烯、环丙烯、环丁烯、环己烯、环戊二烯、环己二烯、环辛三烯,以及茚;所述具有环外双键的脂环族单体选自乙烯基环己烯、乙烯基环己烷、乙烯基环戊烷、乙烯基环戊烯。6.如权利要求3所述的化学机械抛光垫,其特征在于,所述环状烯烃加成共聚物由至少一种脂环族单体和至少一种非环状烯烃单体共聚形成。7.如权利要求6所述的化学机械抛光垫,其特征在于,所述至少一种脂环族单体选自具有桥环双键的脂环族单体和具有环外双键的脂环族单体;其中所述具有桥环双键的脂环族单体选自下组:降冰片烯、三环癸烯、二环戊二烯、四环十二碳烯、六环十七碳烯、三环十一碳烯、五环十六碳烯、乙叉降冰片烯、乙烯基降冰片烯、降冰片二烯、烷基降冰片烯、环戊烯、环丙烯、环丁烯、环己烯、环戊二烯、环己二烯、环辛三烯,以及茚;其中所述具有环外双键的脂环族单体选自乙烯基环己烯、乙烯基环己烷、乙烯基环戊烷和乙烯基环戊烯;以及其中,所述至少一种非环状烯烃单体选自下组:乙烯、丙烯、1-丁烯、异丁烯、2-丁烯、1-戊烯、1-己烯、1-庚烯、1-辛烯、1-壬烯、1-癸烯、2-甲基-1-丙烯...
【专利技术属性】
技术研发人员:A·雷珀,D·B·詹姆士,M·A·洛伊格斯,
申请(专利权)人:罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司,陶氏环球技术有限公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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