用于微晶玻璃研磨抛光的抛光液制造技术

本发明专利技术公开了一种用于微晶玻璃研磨抛光的抛光液的成分和体积％比组成如下：硅溶胶３０～９０；有机胺碱１～１０；活性剂０．５～５；ＫＯＨ溶液０．５～５；去离子水为余量。在ＣＭＰ条件，将微晶玻璃的主体二氧化硅（酸性氧化物）在高ｐＨ值下快速转化为可溶性硅酸盐，用复合碱形成高ｐＨ值，采用均一性好易清洗的硅溶胶做磨料，有机碱和活性剂使二氧化硅溶胶胶核形成一个稳定的膜，使ｐＨ在大于１２．５仍很稳定，不会发生溶解。本发明专利技术有效解决划伤问题，且抛光速率高，流动性好，无沉淀产生，易于清洗。

【技术实现步骤摘要】
用于微晶玻璃研磨抛光的抛光液
本专利技术涉及化学机械抛光
，更具体地说，是涉及一种用于光学晶片研磨抛光的抛光液。
技术介绍
微晶玻璃是应用于电子、微电子、光电子领域的一类基础材料，主要用于第二代计算机硬盘以及具有光电、热电、声光、磁光等功能元器件，是制作飞机控制、惯性导航、制导控制光学元件的基础材料。微晶玻璃的研究是国防重点项目，由于其应用领域的特殊性，要求微晶玻璃的表面粗糙度小于0.1纳米，同时对面形、疵病和清洁度等有严格要求。目前军用及高质量光学元件均使用柏油抛光，但是由于柏油抛光仍处于手工操作阶段，人为因素影响较大、表面加工周期长且粗糙度大、成品率低、易造成塌边；而且采用CeO2磨料进行研磨，该磨料一般采用粉碎工艺制成，存在颗粒不均匀，表面不光滑的问题，这些会对抛光质量造成不良影响，使表面产生划伤，并且采用该磨料还存在不易清洗，工序繁琐等问题。微晶玻璃抛光中存在的以上问题已经成为微晶玻璃得到广泛推广应用的障碍，为提高抛光速率，美国一些公司如：Cabot、Rodel等公司采用大粒径磨料(130nm左右)提高抛光过程中的机械作用，进而提高抛光速率，但是这种方法也同时产生了表本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于微晶玻璃研磨抛光的抛光液，其特征是，所述抛光液的成分和体积％比组成如下：硅溶胶３０～９０；有机胺碱１～１０；活性剂０．５～５；ＫＯＨ溶液０．５～５；去离子水余量。

【技术特征摘要】
1.一种用于微晶玻璃研磨抛光的抛光液，其特征是，所述抛光液的成分和体积％比组成如下：硅溶胶30～90；                    有机胺碱1～10；活性剂0.5～5；                    KOH溶液0.5～5；去离子水余量。2.根据权利要求1所述的抛光液，其特征是，所述抛光液的成分和体积％比组成如下：硅溶胶50～80；                    胺碱         3～8；活性剂1.5～4；                    25％的KOH溶液0.5～3；去离子水余量。3.根据权利要求1或2所...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘玉岭，武晓玲，
申请(专利权)人：河北工业大学，
类型：发明
国别省市：12[中国|天津]