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本发明公开了一种用于铌酸锂光学晶片研磨抛光的抛光液。本发明抛光液成分和体积％比组成如下：硅溶胶３０～９０；有机胺碱１～１０；无机碱１～５；活性剂０．５～５；螯合剂ＦＡ／Ｏ０．５～５；去离子水为余量。本发明在ＣＭＰ条件下，在高ｐＨ值条件下，将...
该专利属于河北工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过河北工业大学授权不得商用。

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