半导体锑化铟化学机械抛光液制造技术

本发明专利技术公开了一种半导体锑化铟化学机械抛光液，旨在提供一种以有机碱替代无机碱，通过添加螯合剂、活性剂降低产品表面粗糙度，减少划伤，提高平整度的锑化铟化学机械抛光液。按体积百分比由下述组分组成：ＳｉＯ↓［２］浓度为３０－５０％的硅溶胶５０－９８％，胺碱０．１－１．５％，螯合剂０．１－０．５％，表面活性剂０．５－２％，氧化剂０．５－２％，余量的去离子水。本发明专利技术将有效的解决锑化铟表面的划伤问题，提高产品的成品率；有效降低ＩｎＳｂ的表面粗糙度。后清洗简单，可以降低后清洗中的费用。

【技术实现步骤摘要】
半导体锑化铟化学机械抛光液
本专利技术涉及一种抛光液，更具体的说，是涉及一种适用于锑化铟材料的高浓度、小粒径、高活性的化学机械抛光液。
技术介绍
响应在1～5.5um波段的InSb凝视红外焦平面器件具有灵敏度高(比PtSi)，工艺成熟(相对于MCT)，成本效益好等优点。目前在军用凝视红外领域中占据主导地位。例如在美国弹道导弹防御系统和若干关键性常规战术武器系统中。InSb焦平面器件大量用于制导和热成像装置中。民用方面，医用诊断、消防、救援、工业监视、森林保护等领域广泛使用InSb热成像技术。在空对空成像制导应用中，64×64元InSb凝视红外焦平面列阵被优先考虑。红外焦平面列阵器件是兼具有红外辐射探测和信号读出及处理能力的新一代红外成像传感器。凝视型的焦平面列阵可使现代红外光电系统在温度灵敏度、空间分辨率和时间分辨率方面同时实现优异的性能，又使系统更加轻便、可靠。因此InSb半导体材料要求表面无划伤，粗糙度小于3A。过多的划伤、过大的粗糙度将影响器件的灵敏度。目前国内外主要采用以三氧化二铝、氧化铈等为磨料的抛光液，上述抛光液主要存在下述问题：以三氧化二铝、氧化铈等为磨料的抛光液硬度本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体锑化铟化学机械抛光液，其特征在于按体积百分比由下述组分组成：ＳｉＯ↓［２］浓度为３０－５０％的硅溶胶５０－９８％，胺碱０．１－１．５％，螯合剂０．１－０．５％，表面活性剂０．５－２％，氧化剂０．５－２％，余量的去离子水。

【技术特征摘要】
1、一种半导体锑化铟化学机械抛光液，其特征在于按体积百分比由下述组分组成：sio2浓度为30-50％的硅溶胶50-98％，胺碱0.1-1.5％，螯合剂0.1-0.5％，表面活性剂0.5-2％，氧化剂0.5-2％，余量的去离子水。2、根据权利要求1所述的半导体锑化铟化学机械抛光液，其特征在于所述胺碱是多羟多胺类有机碱。3、根据权利要求1所述的半导体锑化铟化学机械抛光液，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘玉岭，刘承霖，
申请(专利权)人：河北工业大学，
类型：发明
国别省市：12[中国|天津]