本实用新型涉及一种双扇客车门电动内摆门机系统，它包括车身及左扇车门和右扇车门、传动机构、车门摆动机构、应急开门机构和协调机构，其特征在于所述传动机构采用了减速器安装在从动转臂上的设计；应急开门机构采用了碟簧压紧凸轮式操纵机构设计；协调机...

本实用新型涉及一种客车门外滑移门机系统，包括车门扇、驱动电机、导向滑道和同步摆杆，其特征在于还包括传动机构、门扇同步机构和门扇锁定机构；不需要专门气源和复杂气路装置，也不需要一般的电机丝杠式的驱动机构，可以使车门上下端同步外移滑动，既可...

本发明涉及一种客车门机系统，它包括机械连接的车门运动机构、传动机构和应急开门机构，所述的车门运动机构包括机械连接的车门推出机构，导向机构和滑道机构；所述的传动机构包括机电机及其驱动的减速器，其特征在于所述传动机构减速器支座直接安装在所述...

一种三角型加筋复合砌块，属于墙体砌筑材料。主要解决砌筑时形成与墙体轴线垂直的直缝问题。包括主砌块和辅助砌块，在砌块底部的近边缘内嵌有三角形加强筋，砌块上大面三角形的等腰线处有加筋槽。砌筑墙体时，利用它们相互斜交堆积形成竖向抗剪能力，避免...

一种内藏钢筋砼支撑设暗半通缝带边框抗震墙，它是由钢筋砼边框和内藏钢筋砼斜支撑抗震墙板构成，主要技术特征是在抗震墙板两片钢筋网内侧固装着斜支撑的钢筋骨架，斜支撑的形式可是人字形、Ｘ形或单斜支撑，并在“框－撑”节点设固结筋，在抗震墙板上、左...

一种多彩喷涂防盗窨井盖，其主要技术特征是，在井盖的正面喷涂有一层彩色图案，底座上一端装着带连杆的连杆架，另一端开有阀孔。井盖有凸块的一端与连杆连接，另一端装着阀托，阀托上的开关阀穿入阀孔内，使其井盖与底座锁住。该井盖强度高，耐磨耗、耐蚀...

一种小型式扫地车，其结构是在两对车轮的轴上固装着底盘（５），底盘上安装着内有操纵装置的驾驶室（１）、发动机（２）和垃圾储存箱（３），操纵装置和发动机通过液压传动系统与车轮连接，底盘的前端装着由侧扫臂、油缸和液压马达及侧扫刷构成的前侧扫系...

一种小型式扫地车，其结构是在两对车轮的轴上固装着底盘（５），底盘上安装着内有操纵装置的驾驶室（１）、发动机（２）和垃圾储存箱（３），操纵装置和发动机通过液压传动系统与车轮连接，底盘的前端装着由侧扫臂、油缸和液压马达及侧扫刷构成的前侧扫系...

本发明涉及一种高密度纤维过滤板及其制造方法技术，其产品的重量百分比配方为：海泡石纤维１５－６８；纸浆纤维２５－８４．３；胶粘剂０．１－２；湿强剂０．５－３；干强剂０．１－２，所述海泡石纤维的直径为１０－１００μｍ、长度为２００－１０００...

本发明喷墨打印纸用涂料及其制备方法涉及纸的没有颜料的涂层的涂布。本发明涂料的基本组成为：１０％明胶水溶液９３．８～９６．８％、２０％丙烯酸盐－丙烯酰胺共聚物水溶液２．９５～６．１５％、水溶性助剂苯甲酸钠０．０５～０．２５％，组成中的丙烯...

一种海泡石薄页纸及其抄造方法。属于造纸技术。主要解决造纸污染大，成本高，抄造的纸不耐高温，吸水性较小的问题。主要技术要点是将海泡石经超细粉碎、活化处理和纤维打浆或疏解后，加少量纸浆纤维、树脂胶、助留助滤剂、沉淀剂和水，送长网机抄造。该方...

本发明一种双掺铌酸锂晶体及其制备方法涉及以材料为特征的单晶生长领域，该晶体的组成为：Ｌｉ↓［ａ］Ｎｂ↓［ｂ］Ｏ↓［３］∶Ｆｅ↓［ｃ］Ｃｏ↓［ｄ］，其中，ａ、ｂ、ｃ、和ｄ的取值分别是，ａ＝０．９３８００、ｂ＝１．０００００、ｃ＝０．０００...

本实用新型公开了一种能消除硅气相外延层中滑移线与高应力区的装置，旨在提供一种在降低热应力作用的同时还能消除机械应力的影响，以控制和消除外延生长中产生的滑移线和高应力集中区，而且工艺简单，生产效率高的能消除硅气相外延层中滑移线与高应力区的...

一种能在地面模拟空间微重力环境的等效微重力晶体生长用径向辐射式磁场可调的永磁装置，是在生长炉膛周围装着磁体，其特征在于：在炉底座（１）上固装着生长炉膛（２）和其上有导槽的导柱，生长炉膛外围套装着永磁磁环，永磁磁环与炉体有间隙，永磁磁环通...

本实用新型涉及一种自控永磁可变磁场装置，该装置包括机械部分和控制部分，机械部分包括由数量相同的扇形磁块拼接而成并相套在一起的内磁环和外磁环，其通过上轴承和下轴承固装在固定环和底座之间，内磁环通过水平锥齿轮和垂直锥齿轮与底座内的传动轴的中...

本发明涉及一种液体涂抹法区熔硅单晶的掺锗方法。它是使用含锗元素的盐酸溶液涂抹在硅单晶的表面，烘干后装到区熔炉上，按通常的区熔工艺进行区熔熔炼或生长单晶。本发明是理想的掺锗方法，不但使锗掺得进去，而且锗在硅中的浓度均匀可控，掺锗工艺无沾污...

本发明公开了一种厚度一致的硅气相外延层的生长装置及生长方法，旨在提供一种外延层厚度一致，便于操作，效率高的硅气相外延层的生长装置及生长方法。该生长装置包括基座本体，在基座本体上有安放槽，安放槽底部的边缘有宽度为１～３ｍｍ的台阶，台阶上有...

本发明属于半导体加工工艺，尤其涉及一种消除半导体硅晶片表面应力的方法，其特征是：在初加工后的硅片表面划出损伤应力环。本发明的有益效果：通过制作损伤应力环，可有效地减少并除去硅晶片表面应力，避免晶片出现滑移线、位错排和造成集成电路ｐ－ｎ结...

本发明涉及一种钢丝单镀Ｇａｌｆａｎ合金的工艺方法及其设备。该方法依次包括放线、脱脂、酸洗、水洗、助镀、烘干、热浸镀、垂直引出、抹拭、强制冷却和收线工序，其特征在于所述助镀采用电解助镀方法，其电解液配方为硫酸锌８－１２％、ＧＤ－Ｌ催化剂２...

本发明涉及制氧方法及装置。制氧方法采用电化学制氧系统，空气阴极采用催化膜／金属网／防水透气膜结构压制而成，其特征在于催化膜是由６０％的聚四氟乙烯乳液和载银活性炭混合轧制而成，重量比为１∶４－１∶１，厚度为０．１－０．４ｍｍ，银粉在活性炭...