用于硼酸锂铯晶体的化学机械无水抛光液及平整化方法技术

本发明专利技术公开了一种对硼酸锂铯晶体有效的无水抛光液及抛光方法。本发明专利技术用于硼酸锂铯晶体的化学机械无水抛光液的组成成分ｗｔ％如下：（ａ）纳米ＳｉＯ↓［２］磨料４－８、（ｂ）有机溶剂７２－９５、（ｃ）有机碱０．５－１０、（ｄ）表面活性剂０．５－１０。对硼酸锂铯晶体进行抛光，抛光压力设定在０．０５ＭＰａ至０．１ＭＰａ之间；抛光盘转速为３０ｒ／ｍｉｎ至６０ｒ／ｍｉｎ之间；时间设定５至１０分钟之间。本发明专利技术为流动性好，无毒、无污染，无腐蚀，浓度适中，悬浮性好的无水抛光液，避免了抛光过程中由于潮解致使ＣＬＢＯ晶体开裂的问题，且抛光后表面的光洁度高。

【技术实现步骤摘要】
用于硼酸锂铯晶体的化学机械无水抛光液及平整化方法
本专利技术涉及化学机械抛光
，更具体地说，是涉及一种用于硼酸锂铯(CsLiB6O10，简称CLBO)晶体的化学机械抛光液及一种对CLBO晶体进行平整化的方法。
技术介绍
硼酸锂铯(CsLiB6O10，简称CLBO)是20世纪90年代新发现的一种新型非线性光学晶体材料，该晶体具有非线性系数大、抗光损伤阈值高、透光范围宽、化学性能稳定、易于生长大尺寸CLBO单晶等优点。其综合性能十分优良，特别是紫外波段的倍频性能，使之在宽波段可调谐激光器、全固态短波长激光器、特别是深紫外全固态激光器中具有广阔的应用前景。此外，CLBO还具有较大的温度带宽、角度带宽和光谱带宽，这些使得CLBO倍频器件在实际应用中具有更高的稳定性。随着技术的发展，对晶体表面加工质量要求愈来愈高。但是，CLBO晶体的一个缺点是在环境湿度较大时(超过40％)容易潮解开裂，这给晶体的抛光带来很大困难，且抛光后晶体表面的光洁度不高，这些问题严重影响了这种优秀非线性光学晶体在实际中的应用。传统的机械抛光法易给CLBO晶体表面带来诸如损伤大、划痕、腐蚀坑、抛光料污染物等致使晶体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于硼酸锂铯晶体的化学机械抛光液，其特征是，所述无水抛光液的组成成分ｗｔ％如下：（ａ）纳米ＳｉＯ↓［２］磨料４－８；（ｂ）有机溶剂７２－９５；（ｃ）有机碱０．５－１０；（ｄ）表面活性剂０．５－１０。

【技术特征摘要】
1.一种用于硼酸锂铯晶体的化学机械抛光液，其特征是，所述无水抛光液的组成成分wt％如下：(a)纳米SiO2磨料   4-8；(b)有机溶剂        72-95；(c)有机碱          0.5-10；(d)表面活性剂      0.5-10。2.根据权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征是，所述纳米SiO2磨料粒度是在100nm至200nm之间。3.根据权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征是，所述有机溶剂为醇、胺或酯类。4.根据权利要求3所述的化学机械抛光液，其特征是，所述有...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘玉岭，王胜利，
申请(专利权)人：河北工业大学，
类型：发明
国别省市：12[中国|天津]