本发明涉及平坦无翘曲、零收缩的低温共焙烧陶瓷（ＬＴＣＣ）体、复合物、模块或组件，由在层叠物ｚ轴以独特或假对称排列的构形的三种或更多种不同介电带化学性能的前体素料（未焙烧）的层叠物得到。

本发明涉及平坦无翘曲、零收缩的低温共焙烧陶瓷（ＬＴＣＣ）体、复合物、模块或组件的制备方法，由在层叠物ｚ轴以独特或假对称排列的构形的三种或更多种不同介电带化学性能的前体素料（未焙烧）的层叠物得到。

本发明涉及平坦无翘曲、零收缩的低温共焙烧陶瓷（ＬＴＣＣ）体、复合物、模块或组件，由在层叠物ｚ轴以独特或假对称排列的构形的三种或更多种不同介电带化学性能的前体素坯（未焙烧）的层叠物得到。

本发明涉及一种制造低温共烧制陶瓷结构的方法，该方法包括：提供包括至少一层芯带的前体生材层压体，所述芯带的介电常数至少为２０；提供一层或多层自约束带；提供一层或多层初级带；排列所述芯带层、自约束带层和初级带层；对所述芯带层，自约束带层和初...

本发明涉及一种厚膜导体组合物，它包含：（ａ）７０－９８重量％的一种或多种电功能粉末；（ｂ）０．５－１０重量％的玻璃粉；（ｃ）０．５－６重量％的无机硼化物；所述组分分散在（ｄ）有机介质中，所述重量百分比以总的厚膜组合物计。所述组合物用作通...

本发明涉及一种用于低温共焙烧陶瓷电路的厚膜组合物，以总厚膜组合物的重量百分数表示，它包含：（ａ）３０－９８重量％细粉碎的颗粒，选自贵金属、贵金属合金以及它们的混合物；（ｂ）一种或多种选择的无机粘合剂和／或它们的混合物；分散在（ｃ）有机介...

一种埋入厚膜箔上烧结电容器的方法包括完全覆盖具有密封电极的电介质，以避免由于电极和电介质之间的收缩和温度膨胀系数差异在电介质中产生的破裂。

一种包含电源芯线的器件，所述电源芯线包括：包含至少一个嵌入式单立电容器的至少一个嵌入式单立电容器层，其中所述嵌入式单立电容器至少包括第一电极和第二电极，并且其中所述嵌入式单立电容器定位在电源芯线的外层上，且该电容器的第一和第二两个电极定...

本发明涉及厚膜导体组合物，其能有效地应用于通孔填充和／或线导体，以制造低温共烧陶瓷（ＬＴＣＣ）器件和其它多层互联（ＭＬＩ）陶瓷复合电路例如基材上的光敏带（ＰＴＯＳ）；金、银和混合金属的多层电路和器件。本发明能有效地形成微波和其它高频电路...

本发明涉及一种电介质薄膜组合物以及包含这种组合物的电容器，所述组合物包括：（１）选自（ａ）钛酸钡、（ｂ）可在烧制期间形成钛酸钡的任何组合物、以及（ｃ）其混合物的一种或多种含钡／钛的添加剂；其溶解于（２）有机媒质；以及其中用０．００２到０...

在陶瓷互连基板上形成的厚膜电容器，具有高电容密度和其他需要的电学和物理性能。电容器电介质在高温下进行烧制。

本发明公开具有通路连接和电极的多个电容器，它们被设计成提供低电感路径，由此减少所需要的电容，同时实现将嵌入式电容器用于功率传递和其它用途。本发明的一个实施例公开的电容器包括：顶部电容器电极和底部电容器电极，其中顶部电容器电极小于底部电容...

施加在箔上烧制陶瓷电容器和嵌入印刷电路板内的有机封装剂组合物使电容器能耐印刷电路板化学品，并通过１０００小时的高温、高湿度和直流偏压下进行的加速寿命试验。

一种制造电容器的方法，该方法包含在衬底上使用第一电极或稀有金属箔形成电介质层，在电介质层上沉积顶传导层，对电介质层和顶传导层退火，其中箔或第一电极、电介质和传导层构成了电容器。

公开了一种形成用于嵌入到印刷线路板或有机半导体封装衬底内的单独薄膜电容器的方法，它包括通过喷砂或其它手段去除电容器的选定部分，使得陶瓷电介质不会与酸蚀刻溶液接触。

一种电子元件，包括基片和具有粘着性并附着到所述基片上的导电片。多个电子元件可以被叠合。该电子元件可以被用于电容器。

本发明涉及一种高电容密度嵌入式陶瓷电容器的制造方法，具体涉及制造金属／电介质／金属结构物的方法，包括将金属淤浆流延到临时衬底上，随后将电介质和金属淤浆流延到该金属上，去除临时衬底并共烧制之，所述电介质包括其含量小于该电介质的无机成分的２...

本发明总体上涉及在可见光区具有最大发射值的电致发光Ｐｔ（Ⅱ）配合物和用Ｐｔ（Ⅱ）配合物制造的器件。

本发明涉及的厚膜组合物包含：ａ）功能性组分；ｂ）ＰＶＤＦ／ＨＦＰ聚合物树脂，ＰＶＤＦ／ＨＦＰ聚合物树脂的共聚物，或它们的混合物；溶解在ｃ）有机溶剂中，附加条件是ＰＶＤＦ／ＨＦＰ树脂具有ｉ）０．２－０．７千泊的熔体粘度和ｉｉ）在８５－９８...

本发明一般涉及包含连接有许多取代基的聚合物主链的聚合物，这些取代基含有稠芳环基团，条件是须该聚合物不含选自三芳胺基和咔唑基的基团。它还涉及用该聚合物制成的器件。