分立的形成于箔上的薄型电容器的制造方法技术

公开了一种形成用于嵌入到印刷线路板或有机半导体封装衬底内的单独薄膜电容器的方法，它包括通过喷砂或其它手段去除电容器的选定部分，使得陶瓷电介质不会与酸蚀刻溶液接触。

【技术实现步骤摘要】


是印刷线路板中(PWB)的嵌入式电容器。更具体地，
包括印 刷线路板或半导体封装中由形成于箔上的(formed-on-foil)薄电介质制成的嵌入式薄型陶瓷电容器。
技术介绍
将形成于箔上(一般是烧制于箔上(fired-on-foil))的陶瓷电容器嵌入印刷线路板 能减小电路尺寸和改进电路性能。陶瓷电容器一般嵌入在层叠的并由互连电路连接 的内层板中，内层板的层叠物形成多层印刷线路板或半导体封装的衬底。嵌入式形 成于箔上的陶瓷电容器较佳地具有高电容密度。电介质的电容密度与其介电常数除以电介质的厚度成正比。因此，高电容密 度的电容器可通过在电容器中使用薄的、高介电常数的电介质来实现。通过形成于箔上的薄型陶瓷电介质技术形成的嵌入在印刷电路板中的无源电 路组件是已知的。 一种形成于箔上的薄膜的工艺在Borland等人的美国专利第 7,029,971号中公开。参考图1A，形成于箔上的薄型陶瓷电容器通过首先在金属箔 衬底100上沉积薄型电容器介电材料层110来形成。金属箔衬底100可以是铜箔， 且其厚度一般在12微米至36微米之间的范围中。薄型电容器介电层可通过丝网印 刷、淤浆浇本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造分立的形成于箔上的薄型陶瓷电容器的方法，包括：　　　　提供一结构，所述结构包括第一金属导体、陶瓷电介质和第二金属导体；　　　　在所述金属导体的至少一个上形成光可限定的掩模，从而形成包括第一光可限定的掩模及下面的第一金属导体、陶瓷电介质和相对的第二金属导体的制品；以及　　　　去除所述第一光可限定的掩模和所述的下面的第一金属导体的选定部分，以形成包括第一金属电极的所述制品的有图案的第一侧。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：W博兰德，DR麦克格雷格，DI小埃米，MT昂肯，
申请(专利权)人：EI内穆尔杜邦公司，
类型：发明
国别省市：US[]