【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及厚膜导体组合物,其能有效地应用于通孔填充和/或线导体,以制造低温共烧陶瓷(LTCC)器件和其它多层互联(MLI)陶瓷复合电路例如基材上的光敏带(PTOS);金、银和混合金属的多层电路和器件,也可以用于LTCC、PTOS、MLI电路和器件的低成本制造。该组合物可单独印刷以减少线导体和通孔填料导体共同或各自的印刷和加工的成本。本专利技术还涉及由高固体含量且低粘度的通孔填充厚膜组合物制备包括大量层和较厚带的多层器件的印刷和加工技术。专利技术技术背景厚膜导体被用作电阻器、电容器、感应器、集成电路等之间的电互联。此外,在多层器件和电路中,这些导体通过构建在器件里的通孔在导线层之间互联。换句话说,在烧制前将LTCC器件的浇带陶瓷生片穿孔、用合适的导线屏蔽,层叠和碾压成层。所述穿孔包括通孔的机械穿孔,该通孔穿过每个层,各层之间由通孔填充导体配制料填充以互联层间电路。在最近的专利技术公开美国临时专利申请No.60/703,530中描述了PTOS电路的加工,在此引入作为参考(代理案卷号EL-0570)。换句话说,互联器件是电阻器、电容器、感应器等的电子电路和表面 ...
【技术保护点】
一种用于低温共烧陶瓷电路的厚膜组合物,以总的厚膜组合物的重量百分数计,其包括: (a)30-96重量%的精细分割颗粒,所述颗粒选自贵金属、贵金属合金和它们的混合物; (b)一种或多种无机粘合剂,其选自: (1)0.2-10重量%的一种或多种在所述电路的烧制温度下具有6-7.6的特定粘度(logn)的难熔玻璃组合物; (2)0.1-5重量%的附加无机粘合剂,其选自(i)金属氧化物,(ii)金属氧化物前体;(iii)非氧化物硼化物;(iv)非氧化物硅化物;和(v)它们的混合物;和 (3)它们的混合物; (c)2-20重量%的有机介质,该有机介 ...
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:KM奈尔,MF麦克库姆斯,
申请(专利权)人:EI内穆尔杜邦公司,
类型:发明
国别省市:US[美国]
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