一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：像素阵列区，形成在半导体衬底之上，所述像素阵列区包括光电二极管和晶体管；逻辑区，形成在所述半导体衬底之上，所述逻辑区包括多个晶体管；金属互连和绝缘层结构，连接到所述晶体管并覆盖所述像素阵列区...

本发明公开了一种图像传感器及其制造方法。该图像传感器包括：设置在半导体衬底上的读出电路；设置有金属线的层间介电膜，该层间介电膜设置在半导体衬底上；设置在层间介电膜上的下部电极，该下部电极被连接到金属线；设置在下部电极上的第一类型导电层图...

本发明公开了一种电可擦可编程只读存储器（ＥＥＰＲＯＭ）及其制造方法。该ＥＥＰＲＯＭ包括：隧道区，形成在半导体衬底中；控制栅极区，形成在半导体衬底中并通过器件隔离层与隧道区分开；隧道氧化层，形成在半导体衬底的沟槽中，该沟槽位于隧道区和控制...

本发明披露了一种三态掩膜以及用其制造半导体器件的方法。该三态掩膜用于光刻工艺的曝光过程中并且以常规图案形成，包括：用于完全传输光的第一传输部分、用于传输一部分光的第二传输部分以及用于阻挡光的传输的屏蔽部分。因此，该三态掩膜将两次光刻工艺...

本发明的目的是提供一种ＬＤＭＯＳ晶体管及其制造方法，可以提高ＬＤＭＯＳ晶体管的漏极－源极之间的阻抗。ＬＤＭＯＳ晶体管包括：Ｐ型本体区，形成在Ｎ阱中；源极区和源极接触区，形成在Ｐ型本体区中；漏极区，形成在与Ｐ型本体区隔开一定距离处；ＬＯＣ...

本发明披露了一种图像传感器及其制造方法。该图像传感器包括：设置在半导体衬底上的读出电路；层间介电膜，覆盖读出电路并包含金属线；设置在层间介电膜上的缓冲层；设置在缓冲层上的结晶硅层；离子注入区，用来隔离对应于在结晶硅层中的单元像素的光电二...

公开了图像传感器和用于制造图像传感器的方法。提供一种图像传感器，该图像传感器包括读出电路、层间电介质、互连连接、图像传感装置、离子注入区、接触和像素分离层。读出电路被布置在第一衬底上。层间电介质被布置在第一衬底上。互连连接被布置在层间电...

本发明提供一种图像传感器和其制造方法。图像传感器包括：读出电路、层间电介质、互连、图像感测器件以及接触。读出电路形成在第一衬底处。层间电介质形成在第一衬底上。互连形成在层间电介质中。互连电气连接到读出电路。图像感测器件形成在互连上。图像...

提供了一种图像传感器及其制造方法，该图像传感器包括读出电路、电气结区、互连以及图像感测器件。读出电路被设置在第一衬底处。电气结区在第一衬底处与读出电路电连接。互连被设置在于第一衬底上设置的层间电介质中，并与电气结区电连接。图像感测器件包...

本发明公开了一种图像传感器及其制造方法。所述图像传感器可以包括：在第一基底上形成的读出电路；层间介电层，其包括电连接到读出电路的至少一个金属和接触塞；以及在第二基底上形成的图像传感装置，其结合到层间介电层并且被提供有第一导电型导电层和第...

本发明披露了一种布线结构、一种具有该结构的半导体器件及其制造方法。该布线结构包括：第一金属层；在第一金属层上的第二金属层；第一金属层和第二金属层之间的绝缘层；以及形成在绝缘层中的金属通孔图样，该金属通孔图样将第一和第二金属层彼此电连接。...

本发明提供了一种图像传感器及其制造方法。所述图像传感器包括读出电路、第一图像传感装置、互连结构和第二图像传感装置。读出电路布置在第一基片中。第一图像传感装置布置在第一基片的读出电路的一侧。互连结构布置在第一基片的上方，并且电连接到读出电...

本发明提供一种图像传感器及其制造方法。所述图像传感器包括：读出电路、互连、图像感测器件和插塞。读出电路设置于第一衬底中。所述互连设置在第一衬底上并电连接至读出电路。图像感测器件设置在互连上。插塞在像素边界处形成并电连接图像感测器件和互连。

本发明公开了一种ＣＭＯＳ图像传感器及其制造方法。该方法包括：在衬底上形成多个滤色器，每个滤色器具有一个曲率；以及在滤色器上形成微透镜，每个微透镜具有随滤色器的波长变化的曲率半径，其中，微透镜形成在滤色器上。

一种包括半导体器件（例如静电放电保护半导体器件）的电子器件及其制造方法。一种静电放电保护半导体器件可以包括衬底和在衬底中和／或上方的栅极。该栅极可以是多层的，并且可以包括栅极氧化层和栅电极。一种静电放电保护半导体器件可以包括形成在栅极一...

本发明实施方案提供一种图像传感器及其制造方法。图像传感器包括读出电路、层间电介质、互连和图像感测器件。所述互连包括下部阻挡金属和在下部阻挡金属之下形成的氮化物阻挡物。穿过氮化物阻挡物，形成电连接下部阻挡金属至下部互连的接触塞阻挡物。

本发明公开了一种压电晶体管，其包括诸如半导体衬底之类的衬底。衬底可包括空腔，并且该空腔可被向下蚀刻。压电晶体管可包括以悬臂形式形成在半导体衬底上方的压电材料，并且其可向上和／或向下弹性应变。压电晶体管可包括通过压电效应来电连接至压电材料...

一种半导体器件及其制造方法。提供一种半导体器件和闪存器件的制造方法。所述半导体器件的制造方法包括：在半导体衬底上形成氮化物膜；在所述氮化物膜上形成牺牲垂直结构；在所述牺牲垂直结构的侧面上形成牺牲间隔物；用所述牺牲垂直结构和所述牺牲间隔物...

本发明公开了图像传感器及其制造方法。所述图像传感器包括：在衬底上的图像感测器件、在图像感测器件上的层间介电层和在层间介电层上的非球面微型透镜。

一种用于形成金属线和通路接触件的掩模以及使用该掩模来制造半导体器件的方法，能够将不对准最小化。该掩模包括：具有用于遮光的暗色调的第一掩模区域；具有半色调的第二掩模区域，布置在第一掩模区域内且用于形成金属线，以及具有亮色调的第三掩模区域，...