本发明公开了一种频率合成器。所述频率合成器包括：相位频率检测器，用于通过检测基准信号与比较信号之间的频率差和相位差，产生向上信号和向下信号；电荷泵，用于根据所述向上信号和所述向下信号来输出控制信号；压控振荡器，用于根据所述控制信号来输出...

一种电压电平移位器电路。高电压电平的第一功率电压输入到第一功率电压端，使能信号输入到使能端，中间电压电平的第二功率电压输入到第二功率电压端，其中该中间电压电平在第一功率电压与使能信号的高电压之间。第一反相器和第二反相器连接至使能端。第一...

本发明提供一种具有保持功能的ＭＴＣＭＯＳ触发器，其构成为在实现睡眠模式下的延迟功能的同时在高速下运行和减小漏电流。该ＭＴＣＭＯＳ触发器包括：信号发生器，适用于根据延迟信号和外部时钟信号的变化而输出内部时钟信号或者睡眠模式控制信号；主锁存...

本发明公开一种相位时钟发生器。相位时钟发生器可包括晶体管和缓冲器。晶体管连接在电力线和地线之间，并且设置成４×Ｎ矩阵的形式，以通过它们的栅极端接收多个相位延迟信号。４个晶体管可形成在电力线和地线之间的单元列。从地线到电力线，单元列的首先...

本发明实施例涉及一种四分之一周期延迟时钟发生器。根据本发明实施例，四分之一周期延迟时钟发生器可以包括：用以产生参考时钟信号的参考时钟发生器；第一逻辑电路，该第一逻辑电路用来在参考时钟信号的上升沿捕捉输入到其中的第一输入信号并且输出第一输...

本发明公开了一种ＬＣＤ驱动器ＩＣ，该ＩＣ包括：ＰＯＲ（开机复位）电路；以及计数器，其接收来自于ＰＯＲ电路的信号以延迟时间，并且在栅极驱动器ＩＣ的电源稳定之后释放该ＰＯＲ电路的ＲＥＳＥＴＢ。本发明降低了静态电流的消耗，减少了芯片的故障，并...

本发明实施例涉及一种电流型逻辑电路，该电流型逻辑电路可以包括：第一ＮＭＯＳ晶体管，该第一ＮＭＯＳ晶体管的漏极可以被耦合至第一负载，而该第一ＮＭＯＳ晶体管的栅极可以被耦合至输入端，其中通过该输入端可以输入数据；第二ＮＭＯＳ晶体管，该第二Ｎ...

本发明公开了一种通电电路，该通电电路可产生不受Ｉ／Ｏ电压或核心电压的上升速度影响的通电信号。通电信号可根据基于Ｉ／Ｏ电压或核心电压的ＮＭＯＳ和ＰＭＯＳ晶体管的电流驱动能力而产生。当核心电压的电平低于Ｉ／Ｏ电压时，通电电路可以控制Ｉ／Ｏ电压。

本发明涉及一种电平转换器，其使用单电压源，甚至当低电压和高电压之间的差较大时也具有极好的工作特性，并能够被容易地设计。本发明的实施方式涉及一种电平转换器，其用于在与通过低电压源工作的电路块连接的输入端子和与通过高电压源工作的电路块连接的...

本发明提供一种半导体器件的电压控制设备。其中提供一种芯片上的小型化系统，其将正高电压电荷泵和负高电压电荷泵整合至一个泵电路中并共享组件。在半导体器件中的电压控制设备可包括以下组件中的至少一个；第一和第二输入／输出单元，其能够输入或输出电...

本发明的实施方式涉及一种用于保护半导体ＩＣ器件使之不静电放电的器件。根据本发明的实施方式，该器件具有快的反映速度和抗ＥＳＤ的稳定运行，并且可以有效地保护半导体ＩＣ的内部电路防止低于结击穿电压的ＥＳＤ电压。根据本发明的实施方式，用于保护该...

本发明公开了一种用于制造带阻滤波器的方法和装置。在一种方案中，该方法使用全息光刻以生产较小尺寸的带阻滤波器而不需要掩模。

一种在半导体器件上形成电感器的方法，包括在硅半导体衬底上顺序形成防蚀膜、第一层间绝缘膜和具有第一孔的第一硬掩模薄膜；在第一硬掩模薄膜上形成第二层间绝缘膜；在第二层间绝缘膜上形成第二硬掩模薄膜；在第二硬掩模薄膜上形成具有用于形成开口的沟槽...

本发明披露了一种半导体器件。本发明实施例涉及一种包括有源区的半导体器件，该有源区包括源区、漏区和沟道区。在有源区的周围形成栅电极、源电极和漏电极。多个栅指从栅电极分叉至沟道区中。多个源指从源电极分叉至源区中，源指以预定的图样布置于栅指之...

本发明披露了一种具有快速频率特性的金属－绝缘体－金属（ＭＩＭ）电容器及其制造方法。本发明所披露的ＭＩＭ电容器可以包括第一金属间绝缘膜，在第一金属间绝缘膜上方形成的下部金属层，在下部金属层周围形成的第二金属间绝缘膜和在下部金属层上方形成的...

本发明披露了一种半导体器件及其制造方法，通过该半导体器件及其制造方法提高了沟道的迁移率并且可以使闪烁噪声的影响最小化。本发明实施例涉及一种制造半导体器件的方法，该方法包括：在衬底上方形成第一外延层，在第一外延层上方形成第二外延层，在第二...

一种液晶显示器驱动集成电路及其制造方法。在本发明的一个示例性实施例中，液晶显示器驱动集成电路包括：相互隔开形成的第一和第二主多晶硅图样，连接主多晶硅图样的连接多晶硅图样，以及形成于主多晶硅图样上以阻挡该主多晶硅图样的自对准硅化物阻挡层（...

一种制造半导体器件的金属线的方法，该方法防止了金属线中锯齿状突起的形成，从而提高了半导体器件的操作可靠性。该方法包括：在半导体衬底中形成下部金属线；在包括下部金属线的半导体衬底上方形成第一氮化层作为蚀刻停止层；在第一氮化层上方形成第一绝...

一种使用籽晶层制造的用于图像传感器的微透镜以及不包括回流工艺的用于制造该微透镜的方法。制造微透镜的方法包括：在晶片上形成籽晶层图样，通过应用等离子来磨圆籽晶层图样的转角部分，以及然后在籽晶层图样上沉积氧化膜。

本发明提供一种具有感应器的半导体器件及其制造方法。该半导体器件可包括：连接布线，设置在半导体衬底上；金属布线，以螺旋形设置在绝缘层上并且电连接到连接布线；以及孔，设置在绝缘层中并且位于金属布线与硅衬底之间。本发明通过在感应器的硅衬底与金...