本发明属于磁性材料与元器件技术领域，涉及磁记录技术，具体涉及一种交换偏置场型自旋阀。本发明提供的一种双交换偏置场型自旋阀，其中双交换偏置场型自旋阀结构由基片／缓冲层／反铁磁层ＡＦＭ１／铁磁层Ｆ１／隔离层／铁磁层Ｆ２／反铁磁层ＡＦＭ２／覆...

一种包含Ｐ↑［－］（或ｎ↑［－］）的衬底及其在表面的ｎ↑［＋］（或ｐ↑［＋］）区构成的高压器件中，提供高耐压的表面区结构，其特点是在ｎ↑［＋］（或ｐ↑［＋］）区周围的表面为一种半导体薄层。此薄层的平均有效施主（或有效受主）密度随着离开ｎ...

本发明的特征是采用含有隧道结直接键合（ＴＪＢ）单晶衬底代替了以往的异性高阻硅厚外延片，并给出了ＴＪＢ层的设计规则。在本发明提供的ＴＪＢ单晶衬底上采用常规的电导调制功率器件制作工艺，就可制得各种相对应的高速全耐压范围的电导调制功率器件和高...

一种用于半导体器件的表面耐压区，它位于第一种导电类型的衬底（１）之上形成的第二种导电类型（２）的中心部分周围，该耐压区的平均有效第二种导电类型的杂质密度随离开所述第二种导电类型（２）的中心部分的距离的增加而逐渐或阶梯式减少。此种表面耐压...

本发明给出了锗硅阳极绝缘栅异质结晶体管（ＳｉＧｅ－Ａ－ＩＧＨＢＴ），其特征是采用不同于器件衬底Ｓｉ材料的ＳｉＧｅ异质材料作为器件的阳极。在ＳｉＧｅ阳极中Ｇｅ的组分含量可从１％～１００％变化，以据需要实现对阳极发射极注入水平的调控；其Ｇｅ...

本发明给出了一种新结构的ＳｉＧｅ异质结构Ｖ↓［Ｆ］高速二极管，其特征在于它采用ＳｉＧｅ多晶、ＳｉＧｅ赝晶、Ｓｉ单晶多层结构，从而使ＰＮ结的Ｖ↓［Ｆ］大大减小；当ＳｉＧｅ多晶中Ｇｅ组分足够大时，使本发明成为多子器件。本发明具有低Ｖ↓［Ｆ］...

本发明给出了一簇绝缘栅异质结双极晶体管，其特征在于采用了不同于衬底Ｓｉ材料的窄禁带ＳｉＧｅ材料做为源区或准ＳｉＧｅ源区，并又采用宽禁带材料作为阳极或短路阳极。在本发明中，ＳｉＧｅ源区窄禁带发射极ＨＢＴ具有很低的β值，使器件闭锁条件得不到...

本发明给出了一簇新型ＭＯＳＦＥＴ，其特征在于采用了不同于器件衬底材料的窄禁带异质材料做为器件的源区或源、漏区，使器件中的寄生ＢＪＴ的发射结成为异质结，并且有β＜＜１的特点，因而本发明从器件结构上彻底消除了寄生ＢＪＴ对ＢＶ↓［ＤＳ］的影响...

本发明属钕钡铜氧、（Ｎｄ↓［１］Ｂａ↓［２］Ｃｕ↓［３］Ｏ↓［７－δ］）高温超导材料体系。本发明采用倒筒式直流溅射方法比已有技术的分子束外延法和激光沉积法能更容易控制薄膜组分，特别是在制备技术中采用了合适的基片温度和较低的氧分压，及后处...

一种用于低端电压浮动的高压半导体器件的表面耐压层，它含有两个耐压区，第一个耐压区被第二个耐压区所包围。第一个耐压区与边缘的顶部的电压可以相对于衬底而浮动。利用本发明可在同一芯片上不用介质隔离或ｐ－ｎ结隔离技术而制作有浮动电压端的高端高压...

本发明公开了一种用于半导体陶瓷生产过程中的半导化热处理工艺的承烧钵，它是由镍铁合金制作而成。由镍铁合金特性，使得半导体陶瓷的半导化热处理工艺中采用镍铁合金承烧钵取代陶瓷承烧钵，具有明显改善的工艺适应性和良好的经济效益。

本发明提出一种用高介电系数薄膜覆盖于半导体表面作为实现最佳横向变通量的方法或辅助方法。此高介电系数的膜可以在半导体表面引入电通量，也可以在半导体表面取出电通量，也可以在一部分取出电通量而在另一部分引入电通量。利用最佳横向变通量可以制造横...

本发明公开了一种有源矩阵板，它是由二端子器件按像素位置或按有源矩阵的要求排列、并埋入聚合物之中，二端子器件的一端与二端子器件板表面的像素电极连接；二端子器件的另一端按有源矩阵的要求作电气连接，像素电极在二端子器件板的表面。该结构的优点是...

一种在一个轻掺杂的第一种导电类型的半导体材料的衬底的表面形成的多种半导体叉指条横向（表面）器件，其中至少包括一个器件在表面有一个对衬底而言为最大电压的区域及一个对衬底而言可从零电压变化到接近最大电压的可浮动电压的区域，还可包括一个以上可...

本发明公开了一种双稳态有机发光像素单元及其显示矩阵的结构，它是由透光基片、光敏元件和ＯＬＥＤ依序重叠所构成，其中，光敏元件２由透光电极２３、光敏功能片２ｂ和遮光电极２ａ依序重叠构成，其特征在于光敏功能片２ｂ的面积小于ＯＬＥＤ元件３的面积...

本发明提供了一种新型环栅垂直ＳｉＧｅＣ　　ＭＯＳ器件，它包括：栅氧化层３、多晶硅栅层４、栅极５、源极６、漏极７以及电极引线８和ＳｉＯ↓［２］隔离区９；其特征是它还包括：生长在ｎ－Ｓｉ衬底上的ｐ↑［＋］－Ｓｉ↓［１－α－β］Ｇｅ↓［α］Ｃ...

一种ＳＯＩ功率器件中的槽形绝缘耐压层，它包括衬底层（１）、绝缘层（Ｉ层）（２）、有源层（Ｓ层）（３），其特征是它还包括耐压层（１４）和（１５），耐压层１４和１５分别由多个绝缘槽单元（３５）均匀分布在Ｉ层（２）的两侧组成；耐压层（１４）和...

一种用于光电子器件封装的精密对接装置，其特征在于它是由：基座（１）、双向平动平台（２、２７）、四个定位座（４、７、２３、２６）、动平台（９）、定长杆（６、１９、２０、２４）、上光纤夹紧装置、下光纤夹具（１０）、以及激光焊枪（１１、１６、...

一种具有表面横向３Ｄ－ＲＥＳＵＲＦ层的新型功率器件，它包括衬底１和外延层２，外延层２下表面与衬底１相连；其特征是它还包括表面横向３Ｄ－ＲＥＳＵＲＦ层结构，所述的表面横向３Ｄ－ＲＥＳＵＲＦ层结构是由导电类型相反的半导体区域４和半导体区域５...

一种电子聚合物气体传感器阵列，其特征是由开槽宽度不同的４个电子聚合物气体传感器阵列单元构成，所述的电子聚合物气体传感器阵列单元结构包括ｎ型Ｓｉ基片（７）、ｐ型掺杂半导体（８）、ＳｉＯ↓［２］层（９）、Ａｕ／Ｃｒ电极（１０），它还包括电子...