基于终端短路法的介质材料高温复介电常数测量方法，属于微波、毫米波电介质材料复介电常数测试技术。本发明在采用终端短路法进行高温介质材料复介电常数测试时，将具有一定长度的散热波导、隔热波导、高温波导与耦合装置、短路板一起构成反应式谐振腔，通...

低损耗电介质材料高温复介电常数测试装置，包括微波信号源、圆柱形高Ｑ谐振腔、真空高温炉和标量网络分析仪；圆柱形高Ｑ谐振腔位于真空高温炉中；　　　　其特征在于，所述圆柱形高Ｑ谐振腔，包括圆柱型腔筒（１）、上端盖（２）、下端盖（３）和连接波导...

一种毫米波３ｄＢ功率分配／合成网络，包括毫米波矩形波导、两个形状和构造相同的探针和两条微带传输线；两探针面对面沿着矩形波导Ｅ－面，从波导宽边表面的同一开口垂直插入矩形波导内，其插装位置对称于矩形波导的宽边中心面，且两探针中心线与矩形波导...

一种高温微波测试用圆柱形高Ｑ谐振腔，属于微波测试技术领域。圆柱形高Ｑ谐振腔包括圆柱形腔筒、上端盖、下端盖和连接波导，圆柱形腔筒、上端盖和下端盖均分为内外两层，内层为薄层耐高温贵金属材料，外层为厚层耐高温支撑材料。其实质是采用薄层高温贵金...

回旋管开槽波导，其特征在于该波导（１）的内壁上开设一个或多个轴向槽（２）以切断竞争模式的角向壁电流；或在波导（３）的内壁上开设一个或多个角向槽（４），以切断竞争模式的纵向壁电流。

本发明公开了一种回旋管开槽开放谐振腔，其特点是该谐振腔（１）的内壁上开设一个或多个轴向槽（２）以切断竞争模式的角向壁电流；或者在谐振腔（３）的内壁上开设角向槽（４），以切断竞争模式的纵向壁电流。当工作模式为非轴对称模式时，在工作模式角向...

本发明公开了一种用于回旋管的多级复合谐振腔，其特点是该多级复合谐振腔含有３个或３个以上小谐振腔，小谐振腔之间为突变结构或渐变结构连接。多级复合谐振腔所有小谐振腔中工作波导模式角向指标相同，多级复合谐振腔入口第一个小谐振腔中工作波导模式阶...

一种减小宽带ＣＳ／ＣＧ有源巴伦相位不平衡度的方法，属于微波毫米波集成技术领域，涉及ＣＳ／ＣＧ有源巴伦相位性能。首先根据ＣＳ／ＣＧ有源巴伦的增益、电流指标确定ＣＳ／ＣＧ　ＦＥＴ的物理尺寸；其次设定ＣＳ／ＣＧ　ＦＥＴ的直流工作点，使ＣＳ／Ｃ...

本发明涉及薄膜电路产品，特别涉及一种介电薄膜电极结构及其制备方法。本发明针对现有技术介电薄膜使用中损耗大，漏电流大的缺点，公开了一种具有复合电极结构的介电薄膜及其制备方法，可以降低介电损耗和漏电流。本发明的技术方案是，具有复合电极结构的...

隧道泵高速绝缘栅双极晶体管（ＴＩＧＢＴ）其特征在于采用了含有隧道泵的硅片直接键合（ＳＤＢ）材料作为衬底（１０），衬底（１０）的下部为Ｐ↑［＋］高浓度硅单晶材料（９），上部为Ｎ↑［－］低浓度硅单晶材料（６），在上、下部之间有由多个高浓度的...

本实用新型提供一种用于功率器件的具有窗口的双介质层ＳＯＩ耐压结构以及采用具有窗口的双介质层ＳＯＩ耐压结构的ＳＯＩ功率器件，其特征是：耐压层结构含有两层介质层，两介质层之间填充半导体或半绝缘材料，且第一层介质有窗口。当器件加上反偏电压时，...

本实用新型提供了一种用于ＳＯＩ功率器件的具有双介质埋层的耐压层结构，以及采用该耐压层结构的ＳＯＩ功率器件，属于ＳＯＩ功率器件耐压技术领域。本实用新型耐压层具有双介质埋层，两介质埋层之间设置中间层。本实用新型采用的耐压层及其采用该耐压层制...

通过温度调制在硅基片上制备铁电薄膜的方法，涉及电子材料，特别涉及铁电薄膜的制备技术。本发明提供一种铁电薄膜的制备方法，以实现铁电薄膜在Ｓｉ基片上的选择性择优定向生长，减小、抑制ＢＳＴ／Ｓｉ界面互扩散行为。为此，本发明提供一种通过温度调制...

金属氧化物薄膜的制备方法，涉及材料技术，特别涉及超导带材氧化物过渡层薄膜的制备技术。采用本发明，能够快速生长具有良好的织构和高的表面平整度的氧化物薄膜。本发明包括以下步骤：１）在具有织构特性的金属基片上沉积金属薄膜，沉积方式为蒸发、溅射...

导电氧化物电极材料及其制备方法，属微电子材料领域，特别涉及导电氧化物电极材料及其制备方法。本发明提供一种可应用于铁电微波器件的底电极材料，特别是在氧化镁衬底上的双晶外延导电氧化物镍酸镧薄膜的制备方法。本发明提供的导电氧化物电极材料，微观...

本发明提供一种用于功率器件的具有窗口的双介质层ＳＯＩ耐压结构以及采用具有窗口的双介质层ＳＯＩ耐压结构的ＳＯＩ功率器件，其特征是：耐压层结构含有两层介质层，两介质层之间填充半导体或半绝缘材料，且第一层介质有窗口。当器件加上反偏电压时，中间...

一种氮化镓基高电子迁移率晶体管，属于半导体器件，特别涉及氮化镓基高电子迁移率晶体管。它是由衬底７上依次形成的成核层６、高电阻半导体层５和能带比高电阻半导体层５宽的势垒层４，以及势垒层４上的源极１、栅极２和漏极３，其中源极１、漏极３与势垒...

本发明公开了一种在ＬＥＤ芯片表面制备荧光粉薄膜层的方法，包括以下步骤：①荧光粉层形状的控制：将ＬＥＤ芯片上电极部分通过感光胶体遮挡住，形成电极遮挡部分，只留下需要荧光粉覆盖的芯片发光区域；②制备荧光粉层：在ＬＥＤ芯片上未遮挡部分制备成厚...

一种垂直双扩散金属氧化物半导体器件的制造方法，属于半导体工艺制造领域。本发明主要制造步骤包括：Ｎ↑［＋］衬底的制备，Ｎ↑［－］外延生长，栅氧氧化，多晶硅淀积及掺杂，淀积二氧化硅，刻出多晶硅窗口，Ｐ阱注入及推进，高浓度深Ｐ↑［＋］注入，Ｎ...

积累层控制的绝缘栅双极型晶体管，属于半导体功率器件技术领域。包括沟槽绝缘栅双极型晶体管、平面绝缘栅双极型晶体管和横向绝缘栅双极型晶体管。器件在阻断状态下，Ｐ↑［＋］体区（１０）和Ｎ↑［－］基区（４）形成的内建电场构成一个电子的势垒，阻止...