本发明提供了一种ｎ层磁芯的Ｉ型薄膜变压器阵列及其制备方法，它是由多个Ｉ型ｎ层磁芯的薄膜变压器制作在同一基片上，构成本发明的Ｉ型薄膜变压器阵列；其制备方法采用高精度的薄膜制造技术，以物理或化学气相沉积的方法，在基片上制作多层厚度为纳米级或...

本发明公开了一种制备纳米晶材料的快速循环晶化（简称ＲＲＴＡ）装置和方法，利用本发明提供的制备纳米晶材料快速循环晶化（ＲＲＴＡ）装置，首先确定薄膜样品１７的保温温度Ｔ↓［ａ］，然后，制备出一系列纳米晶材料的快速循环晶化结果，通过对它进行比...

本发明公开了一种制备纳米结的方法，它是通过ＲＦ（射频）溅射方法在硅基片上依次镀制两种异质薄膜，然后采用传统慢扩散热处理方法或快速循环热处理方法获得复合成分的纳米结；按照本发明方法可以制备出通过不同的激励源（如：电场、磁场、光场、超声、微...

本发明提供了一种溶胶－凝胶独立前驱单体薄膜制备方法，它是通过分别制备各种稳定的金属有机溶剂前驱单体，然后在催化剂、金属螯合剂作用下，混合各种前驱单体，并加水，通过水解缩聚形成溶胶凝胶体系，即溶胶前驱体。所述的前驱单体可以是不同的金属离子...

本发明提供的单片光电集成光接收器制作中消除应力和损伤的方法，它是通过采用功率密度很高的激光束照射半导体表面需要退火的区域，在照射区将产生温度随时间的变化率很大、持续时间短的骤冷、骤热过程；将该温度骤变过程控制在合适的变化范围，就可能使半...

一种部分绝缘层上硅材料结构，包括三层，第一层为支撑硅片层，第三层为器件层，其特征是，它还包括起键合和导电作用的多晶硅中间层，多晶硅层中勘入了一层开有一个或多个窗口的纵向隔离介质层，器件层中可以包含一个或多个位于纵向隔离介质层正上方的横向...

本发明提供的一种具有基区局部重掺杂功率双极型晶体管，它是在现有的功率双极型晶体管的基区５局部重掺杂形成重掺杂基区９，所述的重掺杂基区９的掺杂类型与基区５的掺杂类型相同（指同为ｐ型或同为ｎ型），其浓度大于基区５的掺杂浓度；重掺杂基区９位于...

本发明公开了一种单片光电集成回路的制作方法，它是利用激光辅助微细加工技术制作单片光电集成回路，即在制作光器件过程中，利用激光的高度定域性，在扩散、合金等高温工艺中使得高温区域严格限制在光器件所在区域，从而避免对基片上已做成的集成电路产生...

一种氮化镓基高电子迁移率晶体管，属于半导体器件领域，包括衬底上依次形成的成核层、ＧａＮ层和势垒层，以及势垒层上的源极、栅极和漏极，其中源极、漏极与势垒层形成欧姆接触，栅极与势垒层形成肖特基接触，其特征是，它还包括一层位于势垒层上、栅极和...

以双轴织构ＭｇＯ为缓冲层的单一取向铁电薄膜的制备方法，涉及微电子材料领域，特别涉及铁电薄膜与半导体集成中界面控制和生长取向的薄膜制备方法。采用本发明方法制备的ＢａＴｉＯ↓［３］薄膜能够达到单一取向，表面均匀，界面扩散得到有效控制，具体的...

单元热释电红外探测器件及其制备方法，属于材料与元器件技术领域。器件包括上下电极和ＢＳＴ陶瓷半导体（５）和包裹在其外面的ＢＳＴ陶瓷氧化层介质（６）；ＢＳＴ陶瓷半导体（５）由掺有１～５ｗｔ％稀土杂质的（Ｂａ↓［０．７］Ｓｒ↓［０．３］）Ｔｉ...

本发明提供的一种纵向环栅非均匀掺杂锗硅沟道ＣＭＯＳ器件，其特征是它包括：ｎ－ＳｉＧｅ隔离层１０、渐变ｎ↑［＋］→ｎ↑［－］掺杂ＳｉＧｅ层１１、δ型分布ｐ↑［＋］掺杂ＳｉＧｅ层１２、渐变ｎ↑［＋］→ｎ↑［－］掺杂ＳｉＧｅ层１３，１０、１１...

本发明提供了一种菱形的磁性随机存储器存储单元，它包括：自由层（４）、绝缘层（５）、钉扎层（６）；其特征是所述的磁性随机存储器存储单元的俯视图形状是菱形，所述菱形的长轴ａ与短轴ｂ之比（以下简称长宽比）大于等于２，即ａ／ｂ＞＝２。由本发明提...

一种垂直双扩散金属氧化物半导体功率器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明在功率器件中引入部分埋氧区４，所述部分埋氧区４位于器件主要垂直导电通路的两旁，可做在外延层３上，或同时占据衬底２和外延层３的部分区域，或同时占据外延层３和ｐ／ｎ区...

射频ＤＭＯＳ功率器件，属于半导体功率器件技术以及射频集成电路技术领域。在现有部分ＳＯＩ射频ＤＭＯＳ功率器件中，在部分氧化绝缘层下方加入低掺杂的ｎ（或ｐ）埋层，做成具有埋层的部分ＳＯＩ射频ＤＭＯＳ器件，利用ＰＮ结原理增加漏区／外延层结的下...

本发明属于半导体功率器件技术领域。与常规具有介质埋层的ＳＯＩ功率器件相比，具有低介电系数介质埋层的ＳＯＩ功率器件结构采用了低ｋ（介电系数）材料，并且具有ＶＬｋ　　ＳＯＩ、Ｌｋ　　ＳＯＩ、ＶＬｋ　　ＰＳＯＩ和Ｌｋ　　ＰＳＯＩ功率器件四种结...

抗辐照、可集成的垂直双扩散金属氧化物半导体功率器件，属于半导体功率器件技术领域。采用漏引出端位于器件层表面的高功率ＳＯＩ　　Ｖ－ＤＭＯＳ内引入由绝缘体区域４构成的部分埋氧结构，所述部分埋氧结构位于器件主要垂直导电通路的两旁，可紧靠重掺杂...

纳米级陶瓷材料掺杂剂、陶瓷电容器介质材料及二者的制备方法，属于电子材料技术领域。本发明的纳米级陶瓷材料掺杂剂，其配方表示为：ａＡ.ｂＢ.ｃＣ.ｄＲ↓［２］Ｏ↓［３］.ｅＳｉＯ↓［２］；其中，Ａ包括Ｎａ↓［２］Ｏ；Ｂ包括ＭｇＯ、ＣａＯ之一...

耐高温单片集成微传感器结构及系统集成方法，涉及集成电路技术，特别涉及单片集成微传感器技术。本发明的耐高温单片集成微传感器结构，包括ＩＣ层和微结构层，采用耐熔金属硅化物或者耐熔金属硅化物作为互连线。本发明的有益效果是，克服了微传感器系统在...

多元氧化物薄膜晶粒大小控制方法，涉及一种多元氧化物薄膜制备技术，特别是一种控制薄膜晶粒大小，实现生长的薄膜晶粒大小符合实际需要的方法，属于薄膜材料领域。本发明提供一种在制备多元氧化物薄膜时，对薄膜晶粒大小的控制方法，使生长的薄膜晶粒大小...